Магазин
Демонтаж
Транзистор F13N65A ( JMPF13N65A , STF13N65 , MDF13N65B ) оригінал демонтаж , TO220F
Немає в наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 10 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.3 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 370 мОм тип., 430 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (Vdd 520 В, Id 10 А, Vgs 0…10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Конденсатор 0,3мкФ*1200V MKPH (0,3mkF*1200V MKPH) для індукціонки , варильної поверхні
Немає в наявності
235,00 ₴
Демонтаж
Електролітичний конденсатор 2,2uF 100V 105C ( 2,2мкФ 100В 105град , 2,2*100*105гр ) samwha 5*11мм
Немає в наявності
2,82 ₴
IGBT-транзистор FGW40N120HD ( 40G120HD ) оригінал ( заміна для FGW40N120WD , 40G120WD ), TO247
Немає в наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 70 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,8 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,0 В (Vce 20 В, Ic 40 мА) |
| Заряд затвора Qg | 300 нКл (Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Потужність Pd | 340 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор 75N60FL2 ( NGTB75N60FL2WG )оригінал демонтаж б/в (600V,75A),TO247
Немає в наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,75 В (Vge 15 В, Ic 75 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,5 В (Vge = Vce, Ic 350 мА) |
| Заряд затвора Qg | 310 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Потужність Pd | 595 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1353 ( IHW30N135R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247 (1350V,30A,349W)
Немає в наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом (Reverse-conducting) |
| Напруга Vce | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 60 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 90 А |
| Vce(sat) тип. | 1,65 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,8 В (IC 0,75 мА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В) |
| Потужність Ptot | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXTQ82N25P демонтаж(250V,82A,0.035R) , TO-3P
Немає в наявності
267,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vdss | 250 В (Tj 25…150 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 82 А (Tc 25 °C; обмеження виводів 75 А) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 38 мОм макс. (Vgs 10 В, Id = 0.5 × Id25, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg(on) | 142 нКл (Vgs 10 В, Vds = 0.5 × Vdss, Id = 0.5 × Id25) |
| Розсіювана потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | швидкий (Fast Intrinsic Rectifier) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема LTK5128D , so-8
Немає в наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LTKCHIP |
| Напруга живлення | 2,5–7 В |
| Максимальна напруга живлення VDD | 7 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність (4 Ом) | 6 Вт (VDD = 7 В, навантаження 4 Ом + 33 мкГн, THD+N 10 %) |
| Вихідна потужність (3 Ом) | 7,3 Вт (VDD = 7 В, навантаження 3 Ом + 33 мкГн, THD+N 10 %) |
| Струм у режимі вимкнення | < 1 мкА (вивід SD) |
| Режим роботи | AB / D, перемикання виводом MODE |
| Температура зберігання | –65…150 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
Діод Шоттки 63CTQ100 оригінал (100V,60A) , TO220-3pin (Заміна для MBR60100CT )
Немає в наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Зворотна напруга Vrrm | 100 В |
| Середній прямий струм If(av) | 60 А (30 А на плече) |
| Імпульсний струм Ifsm | 300 А (на плече; 10 мс, синус) |
| Пряма напруга Vf | 0.82 В (If = 30 А, Tj 25 °C, макс. на плече) |
| Пряма напруга Vf при 125 °C | 0.69 В (If = 30 А, макс. на плече) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.2 °C/Вт (на плече) |
| Конфігурація | спільний катод (center tap) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40RR21 ( GT40RR21 ) оригінал (1350V,40A) , TO3P
Немає в наявності
243,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic | 40 А (абсолютний максимум) |
| Vce(sat) | 2,05 В (IC 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 230 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (VCE 10 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема AT90S2313-10SI , so-20
Немає в наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Atmel |
| Архітектура | 8-бітний AVR RISC, 118 команд |
| Flash-пам'ять програм | 2 КБ (внутрішньосхемне програмування) |
| SRAM | 128 Б |
| EEPROM | 128 Б |
| Лінії вводу-виводу | 15 (програмовані) |
| Максимальна тактова частота | 10 МГц (для варіанта -10) |
| Напруга живлення | 4,0–6,0 В (для варіанта AT90S2313-10) |
| Струм у робочому режимі | 2,8 мА (4 МГц, 3 В, 25 °C) |
| Робочий температурний діапазон | –40…+85 °C (індустріальний, код -10SI) |
| Корпус | SOIC-20, 0,300″ (код 20S) |
| Кількість виводів | 20 |
Мікросхема STRW6754 ( STRW6754R )
Немає в наявності
170,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Тип | Квазірезонансний імпульсний регулятор з вбудованим MOSFET |
| Напруга стік–витік MOSFET (VDSS) | 650 В |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 0,96 Ом (максимум) |
| Вихідна потужність, вхід Wide | 100 Вт |
| Вихідна потужність, вхід 230 В | 160 Вт |
| Напруга запуску VCC | 18,2 В |
| Напруга зупинки VCC | 9,7 В (типове значення; максимум 10,6 В) |
| Поріг захисту SS/OLP | 4,9 В |
| Корпус | TO-220, 7 виводів, вивід 2 відсутній |
Мікросхема PN8034 ( PN8034A ) , DIP7
Немає в наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | DIP7 |
| Пробивна напруга вбудованого MOSFET (BVDSS) | 650 В (мін., ISW 250 мкА, TA 25 °C, VDD 11 V) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 13.5 Ом (ISW 400 мА, Tj 25 °C) |
| Максимальна напруга SW | 650 В (Absolute Maximum) |
| Максимальна напруга VDD | 35 В (Absolute Maximum) |
| Напруга вмикання VDDon | 11.5 В (typ) |
| Обмеження струму Ilimit | 590 мА (typ) |
| Вихідна потужність, DIP-7 | 3.6 Вт (150–265 В AC, 12 В / 300 мА) |
| Температура переходу Tj | –40…150 °C |
| Тепловий опір RθJC | 40 °C/Вт |
Мікросхема AOZ1031AI , so-8
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип | Синхронний знижувальний DC/DC-стабілізатор |
| Вхідна напруга | 4,5–18 В |
| Вихідний струм | 3 А (безперервний) |
| Вихідна напруга | 0,8…VIN В (регулюється дільником) |
| Напруга зворотного зв'язку | 0,8 В (0,788–0,812 В, TA = 25 °C) |
| Частота ШІМ | 600 кГц (діапазон 500–700 кГц, VIN = 12 В, TA = 25 °C) |
| Опір верхнього ключа | 80 мОм |
| Опір нижнього ключа | 30 мОм (з вбудованим діодом Шотткі) |
| Струм споживання без навантаження | 1,6 мА (IOUT = 0, VFB = 1,2 В, VIN = 12 В) |
| ККД | до 95 % |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема AD823 (AD823A , AD823ARZ ) , so-8
Немає в наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Analog Devices |
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач з JFET-входом |
| Напруга живлення | 3–36 В (однополярне або двополярне) |
| Смуга пропускання | 16 МГц (G = +1, VO = 0,2 В розмах, +VS = 5 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 22 В/мкс (f = 10 кГц, +VS = 5 В, TA = 25 °C) |
| Напруга зміщення | 0,8 мВ (максимум, +VS = 5 В, TA = 25 °C) |
| Вхідний струм | 25 пА (максимум, TA = 25 °C) |
| Струм споживання | 5,6 мА (максимум на мікросхему) |
| Робочий діапазон температур | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (R-8) |