Магазин
Транзистор AP4506GEH ( 4506GEH ) оригінал
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, комплементарна пара N+P |
| Напруга Vds, N-канал | 30 В |
| Напруга Vds, P-канал | −30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В (обидва канали) |
| Струм стоку Id, N-канал | 9 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id, P-канал | −8 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on), N-канал | 24 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252-4L |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp (APEC) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC4467
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 120 В (Ic 50 мА, Ib 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 50–180 при Ic 3 А, Vce 4 В |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс.) при Ic 3 А, Ib 0,3 А |
| fT | 20 МГц (тип.) при Ic 0,5 А, Vce 12 В |
| Cob | 200 пФ (тип.) при Vcb 10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
Транзистор 2SA1694
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -120 В (Ic -50 мА, Ib 0) |
| Струм колектора Ic | -8 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 50–180 при Ic -3 А, Vce -4 В |
| Vce(sat) | -1,5 В (макс.) при Ic -3 А, Ib -0,3 А |
| fT | 20 МГц (тип.) при Ie 0,5 А, Vce -12 В |
| Cob | 300 пФ (тип.) при Vcb -10 В, f 1 МГц |
Резистор 0,05*5W ( 0,05 Ом 5Вт / 0.05 Ом 5 Вт / 0,05R 5W / 0.05R 5W / 0,05 Om 5 W / 0.05 Om 5 W / R05 5W )
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Опір | 0,05 Ом |
| Потужність | 5 Вт |
Резистор 0,02*5W ( 0,02 Ом 5Вт / 0.02 Ом 5 Вт / 0,02R 5W / 0.02R 5W / 0,02 Om 5 W / 0.02 Om 5 W / R02 5W )
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Опір | 0,02 Ом |
| Потужність | 5 Вт |
Мікросхема PA2032A
В наявності
400,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Клас підсилювача | AB |
| Корпус | Flexiwatt 25 (на платі посадка під 27 виводів) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Інше позначення | PAL012A |
Демонтаж
Мікросхема NCP1027P65 ( P1027P65 , NCP1027P065G ) демонтаж, DIP-7
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Напруга пробою BVdss | 700 В (мін.; ID(off) = 120 мкА, TJ = 25 °C) |
| RDS(on) | 5,8 Ом тип., 7,0 Ом макс. (ID = 100 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 65 кГц (TJ = 25 °C) |
| Пік струму | 800 мА (TJ = 25 °C) |
| Напруга запуску VCC | 8,5 В |
| Напруга вимкнення VCC | 7,2 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема LV5685 оригінал
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | HZIP15, 15 виводів |
| Макс. напруга VCC1, VCC2 | 36 В (Ta 25 °C) |
| Макс. напруга V6IN | 7 В (Ta 25 °C) |
| Робоча напруга VCC1 | 7–16 В (вихід VDD) |
| Струм споживання | 65 мкА (тип., працює лише вихід VDD) |
| Захист від перенапруги VCC1, VCC2 | 23 В (тип.) |
| Теплове відключення | 175 °C (тип.) |
| Pd max | 1,3 Вт (без радіатора, Ta ≤ 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV5684N оригінал
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Макс. напруга VCC1, VCC2 | 36 В |
| Робоча напруга VCC1 | 7–16 В |
| Вихід VDD | 3,3 В, до 350 мА |
| Вихід SYSTEM | 3,3 В, до 450 мА |
| Вихід CD | 5 В / 8 В, до 1300 мА |
| Захист від перенапруги | 23 В |
| Теплове відключення | 175 °C |
| Корпус | HZIP15, 15 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV47004 оригінал ( заміна для LV47004P )
В наявності
261,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (раніше Sanyo Semiconductor) |
| Тип | 4-канальний BTL підсилювач потужності |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Вихідна потужність (макс.) | 41 Вт на канал (типове, VCC = 15,2 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 10 % | 24 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 1 % | 17 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Рекомендована напруга живлення | 14,4 В (Ta = 25 °C) |
| Робочий діапазон напруги живлення | 9–16 В (Ta = 25 °C, у межах Pd max) |
| Опір навантаження | 4 Ом (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Ta = 25 °C, з нескінченним радіатором) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV47002 оригінал
В наявності
300,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo Semiconductor |
| Тип | 4-канальний BTL підсилювач потужності |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Вихідна потужність (макс., JEITA) | 48 Вт на канал (типове, VCC = 15,2 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 10 % | 28 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 1 % | 21 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Рекомендована напруга живлення | 14,4 В (Ta = 25 °C) |
| Робочий діапазон напруги живлення | 9–16 В (Ta = 25 °C, у межах Pd max) |
| Опір навантаження | 4 Ом (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Ta = 25 °C, з нескінченним радіатором) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2131 , so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Напруга VB | 300 В |
| Напруга Vcc | 11–20 В |
| Вихідний струм Io- | 1,5 А |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Мертвий час | 250 нс |
| Робоча температура | -45…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема ACS108-5SN ( ACS108-5S , ACS1085S ) оригінал , sot223
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 500 В (Tj 125 °C) |
| Номінальний струм It(rms) | 0,8 А (SOT-223, Tamb 75 °C) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (Vout = 12 В, RL = 140 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга Vtm | 1,3 В макс. (Iout = 1,1 А, tp = 500 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 500 В/мкс мін. (Vout = 400 В, Tj 110 °C) |
| Робоча температура переходу | -30…125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Електролітичний конденсатор 220uF 450V 85C ( 220мкФ 450В 85град , 220*450*85гр ) жорсткі виводи 25*40 мм
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 220 мкФ |
| Робоча напруга | 450 В |
| Максимальна температура | 85 °C |
| Розмір (Ø×L) | 25×40 мм |
| Виводи | жорсткі |
Датчик Холла SS41F (41F – маркування) , TO-92S-3 цифровий (на виході тільки 2 стани – LOW и HIGH)
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Honeywell |
| Тип | цифровий біполярний датчик Холла |
| Корпус | TO-92S |
| Напруга живлення Vs | 4.5–24.0 В |
| Струм споживання | 6.8 мА (тип.), 10.0 мА (макс.) |
| Вихідний струм | 20.0 мА (макс.) |
| Напруга насичення Vsat | 0.4 В (макс.) при Iout=15 мА, Vs=12 В, Bop>170 Гс |
| Точка спрацювання Bop | 40–150 Гс при 25 °C |
| Точка відпускання Brp | -150…-40 Гс при 25 °C |
| Гістерезис | 40 Гс (мін.) |
| Час наростання | 0.5 мкс (тип.), 1.5 мкс (макс.) при Vs=4.5 В |
| Час спаду | 0.2 мкс (тип.), 1.5 мкс (макс.) при Vs=4.5 В |
| Робоча температура | -40…150 °C |
| Вихід | відкритий колектор (sink) |
Мікросхема FAN7602 , so-8
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення VCC, максимум | 25 В |
| Поріг вмикання UVLO | 12 В |
| Поріг вимикання UVLO | 8 В |
| Робочий струм споживання | 1,0 мА (типово, вихід не перемикається) |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Температура переходу | від -40 до +150 °C |
Транзистор TW120N03D ( 120N03 ) оригінал (30V,120A), D-PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А при VGS=10 В |
| Струм стоку Id (100 °C) | 75 А при VGS=10 В |
| Імпульсний струм Idm | 384 А |
| Опір Rds(on) | тип. 3,0 мОм (макс. 3,8 мОм) при VGS=10 В, ID=15 А |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | тип. 4,4 мОм (макс. 5,5 мОм) при VGS=4,5 В, ID=10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 9,8 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2485 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 62,5 Вт при TC=25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Енергія лавини EAS | 198 мДж |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVD4N65F оригінал, TO220F
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement mode, DMOS |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4,0 А |
| Опір Rds(on) | макс. 3,0 Ом (тип. 2,3 Ом) при VGS=10 В, ID=2 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 15,8 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 556 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 33 Вт |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1504N ( JMSH1504NC ) оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, SGT Power MOSFET |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 200 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 126 А |
| Опір Rds(on) | макс. 4,8 мОм (тип. 3,9 мОм) при VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 122 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 8537 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Потужність Pd (100 °C) | 100 Вт |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004A ( JMSH1004AE ) оригінал, D2PAK
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 190 А (розрахунковий), обмеження корпусом 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 134 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм макс. (тип. 3,0 мОм), VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,7 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4398 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P1825HDB оригінал ( заміна для P1825BD ) , D-PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А |
| Опір Rds(on) | 230 мОм макс. (тип. 193 мОм), VGS=10 В, ID=9 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 286 мОм макс. (тип. 210 мОм), ID=9 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (тип. 2 В) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 788 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 74 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NIKO-SEM |
| Стан | Оригінал |