Магазин
Демонтаж
Транзистор 70N60DM2 ( STW70N60DM2 , 70N60M2 , STW70N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247( 600V, 66A , 0.042R )
Немає в наявності
221,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 66 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 42 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 37 мОм (тип.), 42 мОм (макс.); Vgs 10 В, Id 33 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 / 4 / 5 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (тип.; Vdd 480 В, Id 66 А, Vgs 0…10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 446 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55…150 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 150 нс (тип.; Isd 66 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В; 250 нс при Tj 150 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.6 В (макс.; Vgs 0 В, Isd 66 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TC4424 ( TC4424CPA ) , DIP8
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Тип | Двоканальний неінвертувальний драйвер MOSFET |
| Напруга живлення VDD | 4,5–18 В (абсолютний максимум +22 В) |
| Піковий вихідний струм | 3 А (типово, TA 25 °C, VDD 4,5–18 В; максимум 5 А) |
| Вихідний опір низького рівня | 3,5 Ом (типово, IOUT 10 мА, VDD 18 В, TA 25 °C; максимум 5 Ом) |
| Вихідний опір високого рівня | 2,8 Ом (типово, IOUT 10 мА, VDD 18 В, TA 25 °C) |
| Час наростання | 23 нс (типово, CL 1800 пФ, TA 25 °C) |
| Час спаду | 25 нс (типово, CL 1800 пФ, TA 25 °C) |
| Вхідна напруга логічної 1 | 2,4 В мін. |
| Діапазон робочих температур | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ETA9742 , so-8
Немає в наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | заряд Li-Ion акумулятора з підвищуючим перетворювачем 5 В |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальний струм заряду | 3 А (Riset = 56 кОм) |
| Вхід USB, режим заряду | 4,5–5,5 В |
| Напруга заряду акумулятора | 4,21 В |
| Вихід у режимі підвищення | 5,1 В |
| Струм у режимі підвищення | 2,4 А (5 В) |
| ККД | до 96 % |
| Частота перемикання | 650 кГц |
| Робоча температура | -40…85 °C |
IGBT-транзистор FGD4536 оригінал , D-PAK (360V,220A,125W)
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга колектор–емітер Vces | 360 В (абсолютний максимум; BVCES при VGE 0 В, IC 250 мкА) |
| Імпульсний струм колектора | 220 А (Tc 25 °C, півсинусоїда, D<0,01, імпульс <1 с) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,59 В тип., 1,8 В макс. (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,66 В (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3,3 В тип., 2,4–4,0 В (IC 250 мкА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл (VCE 200 В, IC 20 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (VCE 30 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 1,0 °C/Вт (IGBT) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Конденсатор металоплівковий змінної напруги 0,15 mkf-250 VAC (±10%) шаг 22,5 мм
Немає в наявності
26,32 ₴
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30J124 ( 30J124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( GT30J122 , 30J122 )
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Ta = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А (Ta = 25 °C; імпульсний ICP 100 А, 1 мс) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,8 В макс. (IC = 50 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Напруга відсікання VGE(off) | 3,0–6,0 В (IC = 50 мА, VCE = 5 В) |
| Час спаду tf | 0,25 мкс тип., 0,40 мкс макс. (IC = 50 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |