Магазин
Мікросхема GM0765R ( FSGM0765R )
Немає в наявності
98,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим високовольтним ключем (FPS) |
| Напруга пробою стік-витік BVDSS | 650 В (VCC = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 1,3 Ом тип., 1,6 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Піковий струм обмеження ILIM | 2,60 А (2,37–2,83 А, di/dt = 300 мА/мкс) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц, VCC = 14 В, VFB = 4 В) |
| Робоча напруга живлення VCC | 13–23 В |
| Безперервний струм стоку ID | 6,4 А (TC = 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 45 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга ізоляції | 2,5 кВ |
| Корпус | TO-220F-6L |
Мікросхема RFRXD0420
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Діапазон частот прийому | 300–450 МГц |
| Напруга живлення VCC | 2,5–5,5 В (до 400 МГц); 2,7–5,5 В (понад 400 МГц) |
| Струм споживання | 8,2 мА (тип., LNAGAIN = 0) |
| Струм у режимі очікування | менше 100 нА (ENRX = 0) |
| Максимальна швидкість даних | ASK 80 кбіт/с; FSK 40 кбіт/с (NRZ) |
| Проміжна частота | 455 кГц – 21,4 МГц |
| Діапазон RSSI | 70 дБ |
| Температурний діапазон | -40…+85 °C |
| Корпус | LQFP-32 |
| Кількість виводів | 32 |
Мікросхема PIC16F688 I SL
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Напруга живлення | 2,0–5,5 В |
| Тактова частота | до 20 МГц (цикл команди 200 нс) |
| Пам'ять програм (Flash) | 4096 слів |
| Пам'ять даних (SRAM) | 256 байт |
| Пам'ять даних (EEPROM) | 256 байт |
| Лінії вводу-виводу | 12 |
| АЦП | 10 біт, 8 каналів |
| Струм у режимі сну | 1 нА (тип., VDD 2,0 В) |
| Температурний діапазон | -40…+85 °C (виконання -I) |
| Корпус | SOIC-14, 150 mil (код SL) |
| Кількість виводів | 14 |
Мікросхема PIC12C509AG
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Пам'ять програм (EPROM) | 1024 x 12 слів |
| Пам'ять даних (RAM) | 41 байт |
| Напруга живлення | 3,0–5,5 В |
| Тактова частота | до 4 МГц (цикл команди 1 мкс) |
| Кількість команд | 33 |
| Струм споживання | менше 2 мА (5 В, 4 МГц) |
| Кількість виводів | 8 |
Мікросхема ENC28J60 SP
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Корпус | SPDIP-28 (код SP, Skinny Plastic DIP) |
| Кількість виводів | 28 |
| Напруга живлення VDD | 3,1–3,6 В (типово 3,3 В; входи толерантні до 5 В) |
| Частота SPI | до 20 МГц |
| Тактовий вхід | 25 МГц |
| Буфер пакетів | 8 Кбайт (двопортова SRAM для передачі та прийому) |
| Струм споживання при передачі пакетів | 160 (тип.), 180 (макс.) мА (VDD 3,30 В, FSCK 10 МГц, SO без навантаження, світлодіоди LEDA/LEDB відкриті, ECON2 = 0) |
| Струм споживання без передачі пакетів | 120 (тип.) мА (VDD 3,30 В, світлодіоди LEDA/LEDB відкриті, ECON2 = 0) |
| Температурний діапазон | -40…+85 °C (промисловий) |
Мікросхема AD8065A (AD8065)
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Analog Devices |
| Діапазон напруги живлення | 5–24 В |
| Смуга пропускання за рівнем –3 дБ | 145 МГц (G = +1, Vo 0,2 В розмах, Vs ±12 В, Rl 1 кОм, Ta 25 °C) |
| Швидкість наростання | 180 В/мкс (G = +2, стрибок 4 В, Vs ±12 В, Rl 1 кОм, Ta 25 °C) |
| Час встановлення до 0,1 % | 55 нс (G = +2, стрибок 2 В, Vs ±12 В) |
| Шум за напругою на вході | 7 нВ/√Гц (f 10 кГц) |
| Напруга зміщення нуля Vos | 0,4 (тип.), 1,5 (макс.) мВ (Vcm 0 В, корпус SOIC, Vs ±12 В) |
| Вхідний струм зміщення | 3 (тип.), 7 (макс.) пА (корпус SOIC, Vs ±12 В, Ta 25 °C) |
| Струм споживання на підсилювач | 6,6 (тип.), 7,4 (макс.) мА (Vs ±12 В) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C |
Рядковий трансформатор 003071078 ( 058.413-TR1 ) оригінал ( HR8030 )
Немає в наявності
385,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Рядковий трансформатор TFB4231AG ( BSC23-N0180 ) оригінал
Немає в наявності
705,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SG6859 ( SG6859A ) , sot23-6
Немає в наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | SOT23-6 |
| Максимальна напруга живлення Vdd | 30 В (абсолютний максимум) |
| Рекомендована напруга живлення Vdd | 22 В (максимум для нормальної роботи) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+85 °C |
| Струм запуску | 9 мкА |
| Робочий струм споживання | 3 мА (Vdd 15 В, затвор навантажений 1 нФ) |
| Частота ШІМ | 70 (65–75) кГц (Ri 95 кОм, Vdd 15 В, Ta 25 °C) |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 75 (70–80) % (Vdd 15 В, Io 20 мА) |
| Обмеження напруги на затворі | 17 В |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
Мікросхема STRX6756 оригінал
Немає в наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-3PF-7L |
| Кількість виводів | 7 |
| Напруга VDSS (вбудований MOSFET) | 650 В, мін. (Ta 25 °C) |
| RDS(on) | 0,73 Ом, макс. (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм IDpeak | 13,2 А |
| Енергія лавини EAS | 378 мДж |
| Напруга живлення VCC, макс. | 35 В |
| VCC(ON) | 18,2 В |
| VCC(OFF) | 9,7 В |
| Частота fOSC, мін. | 22 кГц |
| Потужність MOSFET PD1 | 41 Вт (з нескінченним радіатором) |
| Температура каналу, макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2213S , sop-16
Немає в наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Напруга плаваючого каналу Voffset | 1200 В (максимум) |
| Імпульсний струм виходу Io+ / Io– | 1,7 / 2 А мін. (типово 2,0 / 2,5 А; Vbias 15 В, Ta 25 °C, імпульс не більше 10 мкс) |
| Напруга живлення драйвера | 12–20 В |
| Напруга живлення логіки Vdd | 3,3–20 В (логіка сумісна з 3,3 В) |
| Затримка вмикання ton | 280 нс (типово; Vbias 15 В, Cl 1000 пФ, Vs 0 В, Ta 25 °C) |
| Затримка вимикання toff | 225 нс (типово; Vbias 15 В, Cl 1000 пФ, Vs 0 В, Ta 25 °C) |
| Розбіжність затримок каналів | 30 нс (максимум) |
| Виробник | Infineon |
Транзистор IRF1010NS оригінал , D2PAK
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vdss | 55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 85 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 60 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 11 мОм (макс.; Vgs 10 В, Id 43 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл (макс.; Id 43 А, Vds 44 В, Vgs 10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C (робочий діапазон -55…+175 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.3 В (макс.; Tj 25 °C, Is 43 А, Vgs 0 В) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 69 нс (тип., макс. 100 нс; Tj 25 °C, If 43 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Рядковий трансформатор QQH0021-002 оригінал демонтаж
Немає в наявності
517,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Рядковий трансформатор BSC25-N0102 оригінал демонтаж
Немає в наявності
470,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Рядковий трансформатор BSC24-01N40TA демонтаж
Немає в наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Рядковий трансформатор 1142.1515 оригінал демонтаж ( 1142.1515A , HR8019 )
Немає в наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діодний міст DB207
Немає в наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Конфігурація | однофазний мостовий, скляна пасивація |
| Напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча напруга Vrms | 700 В |
| Напруга Vdc | 1000 В |
| Прямий струм If(av) | 2.0 А (Tc 40 °C, активне або індуктивне навантаження 60 Гц) |
| Імпульсний струм Ifsm | 50 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vf | 1.1 В (If 2 А, на діод) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr) |
| Зворотний струм Ir (100 °C) | 500 мкА (Ta 100 °C, номінальна Vr) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | DB (JEDEC DB, пластик, 4 виводи) |