Магазин
Транзистор BUZ90AF оригінал
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vdss | 600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tc 25 °C, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.0 А (Tc 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.0 Ом (макс.; Vgs 10 В, Id 2.8 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–4.0 В (Vds 10 В, Id 1.0 мА, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55~150 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.2 В (макс.; Is 2.8 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 50R380P ( MMD50R380P ) оригінал (550V,11A), DPAK
Немає в наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C; 550 В при Tj max) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Опір Rds(on), тип. | 0.35 Ом (VGS=10 V, ID=3.8 A, Tc 25 °C; макс. 0.38 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0 В (2.5–3.5 В) (VDS=VGS, ID=0.25 mA) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 21.8 нКл (VGS=10 V, VDS=400 V, ID=11 A) |
| Потужність Pd | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW30NC60KD ( STGW30NC60KD ) , TO247 оригінал демонтаж б/в, TO247
Немає в наявності
296,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 60 А (Tc = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 28 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,7 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,5–6,5 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий (ultra fast), IF = 30 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5793 оригінал , TO-3PML
Немає в наявності
244,87 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 40 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 95 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | мін. 10 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Час спаду tf | макс. 0,2 мкс (Ic 10 А, Ib1 1,6 А, Ib2 –5 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K50EH5 ( IKW50N65H5 )(650V,80A) , TO247 оригінал демонтаж б/в
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT TRENCHSTOP 5 H5 з діодом RAPID 1 |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм IC при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Струм IC при 100 °C | 56 А |
| Імпульсний струм колектора | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C, IC = 50 А | 1,65 В тип., 2,10 В макс. |
| Заряд затвора QG | 120 нКл |
| Потужність Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор BTS141 оригінал, TO220
Немає в наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, Smart SIPMOS, нижній ключ (low side) |
| Напруга Vds | 60 В (Tj = 25 °C) |
| Rds(on) | 25 мОм тип., 28 мОм макс. (VIN = 10 В, ID = 12 А, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) при 150 °C | 45 мОм тип., 56 мОм макс. (VIN = 10 В, ID = 12 А, Tj = 150 °C) |
| Поріг входу VIN(th) | 1,3–2,2 В, тип. 1,7 В (ID = 2,7 мА) |
| Струм обмеження ID(lim) | 25–50 А, тип. 35 А |
| Номінальний струм ID(ISO) | 12 А (TC = 85 °C) |
| Макс. робоча температура | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA5Q0765RT ( 5Q0765RT ) оригінал
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F-5L |
| Напруга стік–витік Vdss | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 3,8 А (Tc 25 °C); 2,4 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 1,3 Ом тип., 1,6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4,0 А, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 47 Вт (Ta 25 °C) |
| Частота генератора | 20 кГц (18–22 кГц, Ta 25 °C) |
| Максимальна напруга Vcc | 40 В |
| Максимальна температура переходу | 160 °C |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Конденсатор комп’ютерний 1500uF 25V 105C ( 1500мкФ 25В 105град , 1500*25*105гр ) CapXon 10×25мм
Немає в наявності
18,80 ₴
Мікросхема SM4108 , QFN88
Немає в наявності
159,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PMIC для TFT LCD панелей |
| Виробник | Silicon Mitus |
| Вхідна напруга живлення | 8,7…14,5 В |
| Частота перетворення | 750 кГц |
| Ключ boost-перетворювача | 20 В, 3,3 А, 0,15 Ом (режим напруги) |
| Смуга ОП (-3 дБ) | 15 МГц |
| Вихідний струм ОП | 100 мА |
| Вихідні рівні сканувального драйвера | -25…35 В |
| Корпус | QFN88 (88 QFN, 10 × 10 мм) |
Демонтаж
Мікросхема TOP247YN демонтаж , TO220-6
Немає в наявності
59,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-перемикач TOPSwitch-GX |
| Виробник | Power Integrations |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін; IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 3,60 А |
| Опір каналу RDS(ON) | 1,95 Ом (тип.; ID = 400 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO220-6 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема SD6835 , DIP8
Немає в наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Струмовий ШІМ/PFM-контролер з MOSFET |
| Напруга пробою MOSFET BVDSS | 650 В (мін.) |
| Rds(on) | 1.6 Ом (typ, VGS = 10 В, ID = 3 А) |
| Макс. частота генератора | 67 кГц (typ) |
| Мін. частота генератора | 25 кГц (typ) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (typ) |
| Поріг старту VSTART | 16 В (typ) |
| Поріг зупинки VSTOP | 8.5 В (typ) |
| Піковий струм обмеження | 2.2 А (typ) |
| Захист від перенапруги VOVP | 24.5 В (typ) |
| Тепловий захист | 150 °C (typ) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
Мікросхема RT9193-33GB , sot23-5
Немає в наявності
15,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Лінійний стабілізатор (LDO) |
| Вихідна напруга | 3,3 В (допуск ×0,98…×1,02; IOUT = 40 мА, VIN = VOUT + 1 В) |
| Макс. вихідний струм | 300 мА (типове; VIN = VOUT + 1 В) |
| Макс. вхідна напруга | 6 В (абсолютний максимум) |
| Падіння напруги | 90 мВ (типове; IOUT = 100 мА) |
| PSRR | 70 дБ (типове; IOUT = 40 мА, f = 1 кГц) |
| Струм споживання | 70 мкА (типове; VIN = VOUT + 1 В) |
| Розсіювана потужність | 400 мВт (SOT23-5L) |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
Мікросхема TOP224YN , TO220-3
Немає в наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line ШІМ-перемикач із силовим MOSFET |
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, від -0,3 В) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін; ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 75 Вт (корпус Y, з радіатором, Tj нижче 100 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 45 Вт (корпус Y, з радіатором, Tj нижче 100 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 1,5 А (мін 1,35, макс 1,65; di/dt = 240 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| Опір каналу RDS(ON) | 5,2 Ом (тип.; макс 6,0; ID = 150 мА, TJ = 25 °C) |
| Опір каналу RDS(ON) при 100 °C | 8,6 Ом (тип.; макс 10,0; ID = 150 мА, TJ = 100 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц (мін 90, макс 110; IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % (мін 64, макс 70; IC = ICD1 + 0,4 мА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C (робоча, від -40 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус RθJC | 2 °C/Вт (корпус Y) |
| Тепловий опір перехід–повітря RθJA | 70 °C/Вт (корпус Y, без радіатора) |
| Корпус | TO-220/3 (корпус Y), 3 виводи: DRAIN, SOURCE, CONTROL |