Магазин
Демонтаж
Мікросхема TOP227YN ( TOP227Y ) оригінал демонтаж, TO220-3
Немає в наявності
120,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line ШІМ-перемикач із силовим MOSFET |
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, від -0,3 В) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін; ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 150 Вт (корпус Y, з радіатором, Tj нижче 100 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 90 Вт (корпус Y, з радіатором, Tj нижче 100 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 3,0 А (мін 2,70, макс 3,30; di/dt = 480 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| Опір каналу RDS(ON) | 2,6 Ом (тип.; макс 3,0; ID = 300 мА, TJ = 25 °C) |
| Опір каналу RDS(ON) при 100 °C | 4,3 Ом (тип.; макс 5,0; ID = 300 мА, TJ = 100 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц (мін 90, макс 110; IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % (мін 64, макс 70; IC = ICD1 + 0,4 мА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C (робоча, від -40 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус RθJC | 2 °C/Вт (корпус Y) |
| Тепловий опір перехід–повітря RθJA | 70 °C/Вт (корпус Y, без радіатора) |
| Корпус | TO-220/3 (корпус Y), 3 виводи: DRAIN, SOURCE, CONTROL |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема SEM2107 , so-28
Немає в наявності
64,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | SEM2107 |
| Корпус | SOP-28 |
Транзистор 2SA1943+2SC5200 оригінали , ТО264
Немає в наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | 2SA1943 – PNP, 2SC5200 – NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 230 В (2SA1943: -230 В) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 230 В (2SA1943: -230 В) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (2SA1943: -5 В) |
| Струм колектора Ic | 15 А (2SA1943: -15 А) |
| Струм бази Ib | 1.5 А (2SA1943: -1.5 А) |
| Розсіювана потужність Pc | 150 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 30 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Корпус | TO-3P(L) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А (Tc = 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В тип., 1,8 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 195 нКл (VCC = 1080 В, IC = 20 А) |
| Потужність Pd | 310 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW40NC60KD ( STGW40NC60KD ) , TO247
Немає в наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Струм колектора Ic | 70 А (Tc 25 °C); 38 А (Tc 100 °C), розрахункові за формулою з документа |
| Імпульсний струм колектора Icp | 220 А (ширина імпульсу обмежена Tj max) |
| Повна розсіювана потужність Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 135 нКл (Vce 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.1 В тип. / 2.7 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C); 1.9 В тип. (Tc 125 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.5 / 6.5 В (мін. / макс.; Vce = Vge, Ic 250 мкА) |
| Час спаду струму tf | 87 нс (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C); 130 нс (Tc 125 °C) |
| Втрати вимкнення Eoff | 716 мкДж (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C); 1200 мкДж (Tc 125 °C) |
| Час витримки короткого замикання | 10 мкс (Vce = 0,5 V(br)ces, Tj 125 °C, Rg 10 Ом, Vge 12 В) |
| Вбудований діод | є, надшвидкий (ultra fast free-wheeling) |
| Пряма напруга діода Vf | 2.4 В тип. (If 30 А, Tc 25 °C); 1.8 В тип. (Tc 125 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 45 нс (If 30 А, Vr 50 В, di/dt 100 А/мкс, Tc 25 °C); 100 нс (Tc 125 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.5 °C/Вт (IGBT, макс.); діод 1,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
Транзистор ME12N15 ( ME12N15-G ) , D-PAK (150V,13.6A,0.15R)
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 150 В (VGS=0 V, ID=250 µA) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 13.6 А |
| Струм Id (Tc 70 °C) | 10.9 А |
| Опір Rds(on), макс. | 150 мОм (VGS=10 V, ID=8 A; 250 мОм при VGS=4.5 V, ID=5 A) |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В (VDS=VGS, ID=250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 31.8 нКл (VDD=120 V, VGS=10 V, ID=8 A) |
| Потужність Pd | 28.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N (logic level) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AOD5N50 ( D5N50 , 5N50 ) , D-PAK
Немає в наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (ID=250 µA, VGS=0 V, Tj 25 °C; 600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 3.1 А |
| Опір Rds(on), тип. | 1.2 Ом (VGS=10 V, ID=2.5 A, Tj 25 °C; макс. 1.6 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 4.1 В (3.4–4.5 В) (VDS=5 V, ID=250 µA) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 11.5 нКл (VGS=10 V, VDS=400 V, ID=5 A) |
| Потужність Pd | 104 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Вбудований діод | є (Vsd тип. 0.76 В, макс. 1 В при Is=1 A, VGS=0 V) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема R2A20117 , sop-16
Немає в наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер корекції коефіцієнта потужності (PFC) |
| Виробник | Renesas Electronics |
| Максимальна напруга живлення Vcc | 24 В |
| Опорна напруга Vref | 5 В (допуск ±1,5 %) |
| Піковий струм виходу керування затвором | –300 / 1200 мА (втікаючий / витікаючий) |
| Робочий діапазон температур переходу | –40…150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема PS224U ( PS224 ) , DIP16
Немає в наявності
48,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silicon Touch Technology (SiTI) |
| Діапазон напруги живлення | 3,8–16 В |
| Максимальна напруга VCC | 16 В (гранично допустима, від –0,5 В) |
| Затримка сигналу Power Good | 300 мс (вбудована) |
| Кількість виводів | 16 |
| Корпус | DIP16 |
Позистор MZ9 круглий , діаметр 9мм ( PTC-термістор , РТС-терморезистор ) R= 30-60 Om
Немає в наявності
58,75 ₴
Мікросхема NCP1653 ( N1653 ) , so-8
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Частота перемикання | 100 кГц (NCP1653; варіант із суфіксом A – 67 кГц; тип. 102, мін. 90, макс. 110 кГц; VCC = 15 В) |
| Максимальна напруга живлення VCC | 18 В |
| Поріг вмикання UVLO | 13,25 В (тип.; мін. 12,25, макс. 14,5 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 8,7 В (тип.; мін. 8,0, макс. 9,5 В) |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 94 % (мін., VM = 0 В) |
| Захист від перенапруги | 107 % від номінального вихідного рівня |
| Робочий діапазон температур переходу | –40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MIP2K3 , DIP7
Немає в наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга Vdss | 700 В |
| Струм обмеження | 0,5 А |
| Опір відкритого каналу R(DS)ON | 10 Ом |
| Вихідна потужність | до 8 Вт (орієнтир; залежить від трансформатора та умов охолодження) |
| Частота перетворення | 100 кГц (тип.; з модуляцією частоти ±5,5 кГц, частота модуляції 260 Гц) |
| Корпус | DIP7 |
Транзистор R6015ANX оригінал , TO220F
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 7.0 А |
| Опір Rds(on) тип. | 0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 7.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.3 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 77 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема HT7536-1 ( 7536-1 ) , sot89
Немає в наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Holtek |
| Вихідна напруга | 3,6 В (VIN = 5,6 В, IOUT = 10 мА, Ta 25 °C) |
| Максимальна вхідна напруга | 30 В |
| Вихідний струм | 100 мА (VIN = 5,6 В) |
| Падіння напруги (dropout) | 25 мВ (IOUT = 1 мА, зміна VOUT на 2 %) |
| Струм власного споживання | 2,5 мкА |
| Розсіювана потужність | 0,5 Вт (SOT-89, Ta 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | –40…85 °C |
| Корпус | SOT-89 |
Мікросхема UC3854N , DIP16
Немає в наявності
137,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vcc | 17–35 В |
| Пороги Vcc (вмикання / вимикання) | 16 / 10 В |
| Опорна напруга | 7.5 В |
| Кількість виводів | 16 |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема FA5760N ( FA5760 ) , so-16
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Призначення | Контролер LLC-резонансного напівмостового перетворювача |
| Діапазон робочої частоти | 25–220 кГц |
| Напруга драйвера верхнього плеча | 630 В |
| Напруга пускового пристрою | 600 В |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | –0.3…+30 В (абсолютний максимум) |
| Напруга живлення VBS (макс.) | –0.3…+30 В (абсолютний максимум) |
| Вхідна напруга виводу VH | –0.3…+600 В (абсолютний максимум) |
| Допустима швидкість зміни зсуву живлення dV/dt | ±50 кВ/мкс (макс.) |
| Повні втрати | 0.83 Вт |
| Робоча температура переходу | –40…+150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Транзистор APM4052D ( APM4052DU ) (40V,7.5A,6A) , TO252
Немає в наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N + P (комплементарна пара) |
| Напруга Vds (N-канал) | 40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Напруга Vds (P-канал) | -40 В (VGS = 0 В, IDS = -250 мкА) |
| Струм Id (N-канал, Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (P-канал, Tc 25 °C) | -18 А |
| Опір Rds(on) (N-канал) | 30 мОм (VGS = 10 В, IDS = 7.5 А, Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) (P-канал) | 40 мОм (VGS = -10 В, IDS = -6 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252-4 (DPAK, 4 виводи) |
Мікросхема AD8008 ( AD8008AR , CSC8008 , SC8008 , MD8008 ) , so-8
Немає в наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Analog Devices |
| Кількість підсилювачів | 2 |
| Напруга живлення | 5–12 В |
| Макс. напруга живлення | 12.6 В (абсолютний максимум) |
| Смуга –3 дБ | 650 МГц (G=+1) |
| Швидкість наростання | 1000 В/мкс |
| Шум напруги на вході | 2.7 нВ/√Гц |
| Шум струму на вході (інвертуючий) | 22.5 пА/√Гц |
| Струм споживання на підсилювач | 9 мА (типово) |
| Напруга зміщення нуля | 0.5 мВ (типово) |
| 2-а гармоніка | –77 дБн (20 МГц) |
| 3-я гармоніка | –98 дБн (20 МГц) |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Демонтаж
Рядковий трансформатор CJ28069-00CJ1 оригінал демонтаж
Немає в наявності
361,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема OB3353CP , so-8
Немає в наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright (OB) |
| Призначення | LED-драйвер підсвітки LCD, струмовий PWM-контролер boost-перетворювача |
| Напруга живлення VIN | 9–30 В (рекомендований діапазон) |
| Макс. напруга VIN, GATE, OVP | 33 В (абсолютний максимум) |
| Робоча частота | 120 кГц (VIN 12 В, PWM 5 В, TA 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Опорна напруга підсилювача помилки | 400 мВ (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Поріг UVLO (вимкнення) | 8.3 В |
| Струм споживання | 2 мА (VIN 12 В, PWM 5 В, без навантаження) |
| Струм у режимі очікування | 130 мкА (PWM низький понад 50 мс) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура середовища | –40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема CS8508E , so-8
Немає в наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моноаудіопідсилювач 8 Вт, перемикання режимів AB/D |
| Робоча напруга живлення | 2,5–8,8 В |
| Максимальна напруга живлення | 9 В |
| Потужність, режим D, 4 Ом | 8,50 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %, f 1 кГц) |
| Потужність, режим D, 8 Ом | 4,20 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %) |
| Потужність, режим AB, 4 Ом | 8,00 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %) |
| Потужність, режим AB, 8 Ом | 4,00 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %) |
| ККД у режимі D | до 90 % |
| Частота перемикання | 750 кГц (VDD 2,5–8,8 В) |
| Корпус | ESOP-8 |
