Магазин
Демонтаж
Мікросхема KA1M0880 ( 1M0880 ) , TO3P-5 демонтаж
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга стоку | 800 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм стоку неперервний (TC 25 °C) | 8,0 А |
| Струм стоку неперервний (TC 100 °C) | 5,6 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 1,2 Ом (тип.), 1,5 Ом (макс.) (Vgs 10 В, Id 5,0 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (макс.) (Vgs 10 В, Id 8,0 А, Vds 0,5·BVDSS) |
| Повна розсіювана потужність | 190 Вт (зниження 1,54 Вт/°C) |
| Частота перетворення | 67 кГц (тип.), 61–73 кГц |
| Корпус | 5-вивідний TO-3P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема KA1M0565R ( 1M0565R ) , TO220F-4
Немає в наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга стоку | 650 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм стоку неперервний (TC 25 °C) | 5,0 А |
| Струм стоку неперервний (TC 100 °C) | 3,5 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 1,76 Ом (тип.), 2,2 Ом (макс.) (Vgs 10 В, Id 2,5 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (макс.) (Vgs 10 В, Id 5,0 А, Vds 0,5·BVDSS) |
| Повна розсіювана потужність | 140 Вт (зниження 1,11 Вт/°C) |
| Частота перетворення | 67 кГц (тип.), 61–73 кГц (Ta 25 °C) |
| Корпус | TO-220F-4L |
Мікросхема KA1M0380R , TO220F-4
Немає в наявності
99,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга стік-витік | 800 В |
| Струм стоку (TC 25 °C) | 3,0 А |
| Струм стоку (TC 100 °C) | 2,1 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=1,5 А) | 4,0 Ом (тип.), 5,0 Ом (макс.) |
| Робоча частота | 67 кГц |
| Потужність розсіювання | 35 Вт |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Мікросхема IRS2186 ( S2186 ) оригінал , so-8
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга плаваючого каналу VOFFSET | 600 В |
| Вихідний струм (джерело / стік) | 4 / 4 А |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Затримка вмикання / вимикання (typ) | 170 / 170 нс (VBIAS = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 0 В) |
| Час наростання / спаду (typ) | 22 / 18 нс |
| Логіка входів | 3,3 В та 5 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR4428
Немає в наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Двоканальний низькосторонній драйвер MOSFET та IGBT |
| Напруга живлення Vs | 6–20 В (рекомендований робочий діапазон; абсолютний максимум 25 В) |
| Вихідний струм IO+ / IO– | 1,5 / 1,5 А (IO+ / IO–) |
| Час вмикання / вимикання | 85 / 65 нс (тип.) |
| Струм спокою Vs | 100 мкА (тип.), 200 мкА (макс.); Vs = 15 В, TA 25 °C |
| Робоча температура | -40…125 °C (TA) |
| Корпус | 8-pin SOIC, 8-pin PDIP |
Мікросхема IR4426 , DIP8
Немає в наявності
104,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Двоканальний драйвер нижнього ключа MOSFET та IGBT |
| Вихідний струм (відкриття) IO+ | 1,5 А |
| Вихідний струм (закриття) IO- | 1,5 А |
| Напруга живлення VS | 6–20 В (рекомендована) |
| Макс. напруга живлення VS | 25 В (абсолютний максимум) |
| Затримка вмикання ton | 85 нс (тип.) |
| Затримка вимикання toff | 65 нс (тип.) |
| Поріг логічного входу VIH | 2,7 В (мін.; VS 15 В, TA 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема IRS2184 ( S2184 ) оригінал (заміна для IR2184 ) , DIP8
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Напівмостовий драйвер MOSFET та IGBT |
| Напруга верхнього плеча | 600 В (макс.) |
| Вихідний струм (відкриття) | 1,4 А |
| Вихідний струм (закриття) | 1,8 А |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Затримка вмикання ton | 680 нс (тип.; макс. 900; VS 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 270 нс (тип.; VS 0 В або 600 В) |
| Мертвий час | 400 нс (внутрішній, тип.; мін. 280, макс. 520) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2161 , DIP8
Немає в наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга плаваючого живлення VB | 625 В (абсолютний максимум) |
| Макс. вихідний струм виходів | ±500 мА (абсолютний максимум) |
| Поріг увімкнення VCCUV+ | 12,1 В (тип.; VCC росте від 0 В) |
| Поріг вимкнення VCCUV- | 10,5 В (тип.; VCC падає з 14 В) |
| Струм старту | 250 мкА (тип.; VCC 11 В) |
| Обмеження VCC стабілітроном | 15,4 В (тип.; ICC 5 мА) |
Мікросхема IR2113 , DIP14
Немає в наявності
94,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга верхнього плеча VOFFSET | 600 В (макс.) |
| Вихідний струм (відкриття) IO+ | 2 А |
| Вихідний струм (закриття) IO- | 2 А |
| Напруга живлення драйвера VOUT | 10–20 В |
| Напруга живлення логіки VDD | 3,3–20 В |
| Затримка вмикання ton | 120 нс (тип.) |
| Затримка вимикання toff | 94 нс (тип.) |
| Розсіювана потужність Pd | 1,6 Вт (DIP14, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема IR2112 , DIP14
Немає в наявності
78,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга верхнього плеча VOFFSET | 600 В (макс.) |
| Вихідний струм (відкриття) IO+ | 200 мА |
| Вихідний струм (закриття) IO- | 420 мА |
| Напруга живлення драйвера VOUT | 10–20 В |
| Напруга живлення логіки VDD | 3,3–20 В |
| Затримка вмикання ton | 125 нс (тип.; CL 1000 pF, VBIAS 15 В, TA 25 °C) |
| Затримка вимикання toff | 105 нс (тип.; CL 1000 pF, VBIAS 15 В, TA 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 1,6 Вт (DIP14, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема IR2111S , smd
Немає в наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга плаваючого каналу Voffset | 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В (рекомендовані умови) |
| Вихідний струм Io+ (джерело) | 200 мА мін. / 250 мА тип. (імпульсний, VO = 0 В, VIN = Vcc) |
| Вихідний струм Io- (стік) | 420 мА мін. / 500 мА тип. (імпульсний, VO = 15 В, VIN = 0 В) |
| Затримка вмикання ton | 750 нс тип. / 950 нс макс. (VS = 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 150 нс тип. / 180 нс макс. (VS = 600 В) |
| Мертвий час | 650 нс тип. |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт (TA = +25 °C, 8-lead SOIC) |
Мікросхема IR2106S ( S2106 ) , so-8
Немає в наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга плаваючого каналу Voffset | 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В (рекомендовані умови) |
| Вихідний струм Io+ (джерело) | 120 мА мін. / 200 мА тип. (імпульсний, VO = 0 В) |
| Вихідний струм Io- (стік) | 250 мА мін. / 350 мА тип. (імпульсний, VO = 15 В) |
| Затримка вмикання ton | 220 нс тип. / 300 нс макс. (VS = 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 200 нс тип. / 280 нс макс. (VS = 0 В або 600 В) |
| Сумісність входів | 3,3 В, 5 В, 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт (TA = +25 °C, 8-lead SOIC) |
Мікросхема IR2104S оригінал ( заміна для IRS2104 , S2104 ) , so-8
Немає в наявності
95,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга плаваючого каналу Voffset | 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В (рекомендовані умови) |
| Вихідний струм Io+ (джерело) | 130 мА мін. / 210 мА тип. (імпульсний, VO = 0 В) |
| Вихідний струм Io- (стік) | 270 мА мін. / 360 мА тип. (імпульсний, VO = 15 В) |
| Затримка вмикання ton | 680 нс тип. / 820 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 150 нс тип. / 220 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 600 В) |
| Мертвий час | 520 нс тип. |
| Сумісність входів | 3,3 В, 5 В, 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт (TA = +25 °C, 8-lead SOIC) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2101 , DIP8
Немає в наявності
55,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 8-lead PDIP (IR2101); 8-lead SOIC (IR2101S) |
| Виробник | Infineon |
| Макс. напруга плаваючого каналу Voffset | 600 В |
| Вихідний струм Io+ (джерело) | 130 мА мін. / 210 мА тип. (імпульсний, VO = 0 В) |
| Вихідний струм Io- (стік) | 270 мА мін. / 360 мА тип. (імпульсний, VO = 15 В) |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В (рекомендовані умови) |
| Затримка вмикання ton | 160 нс тип. / 220 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 150 нс тип. / 220 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 600 В) |
| Час наростання tr | 100 нс тип. / 170 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Час спаду tf | 50 нс тип. / 90 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Струм споживання Vcc | 150 мкА тип. / 270 мкА макс. (VIN = 0 В або 5 В) |
| Поріг блокування по недонапрузі Vcc (UV+ / UV-) | 8,9 / 8,2 В (тип.) |
| Сумісність входів | 3,3 В, 5 В, 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 1,0 Вт (TA = +25 °C, 8-lead PDIP) |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 25 В (абсолютний максимум) |
| Напруга живлення верхнього плеча Vb, макс. | 625 В (абсолютний максимум) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (абсолютний максимум) |
Мікросхема ICL7660 , DIP
Немає в наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 8-pin Plastic DIP (також SO, µMAX) |
| Призначення | інвертор / подвоювач напруги на перемиканих конденсаторах |
| Діапазон напруги живлення V+ | 3,0–10,0 В (RL = 10 кОм, LV вільний) |
| Діапазон напруги живлення V+ (LV на GND) | 1,5–3,5 В (RL = 10 кОм, LV на GND) |
| Напруга живлення, абсолютний максимум | 10,5 В (V+ до GND) |
| Струм споживання без навантаження | 80 мкА тип. / 175 мкА макс. (V+ = 5 В, LV = 0 В, RL = ∞, TA = +25 °C) |
| Вихідний опір | 55 Ом тип. / 100 Ом макс. (IL = 20 мА, fOSC = 5 кГц, LV вільний, TA = +25 °C) |
| Частота генератора | 10 кГц тип. (V+ = 5 В, COSC = 1 пФ) |
| ККД перетворення потужності | 95 % мін. / 98 % тип. (RL = 5 кОм, TA = +25 °C, fOSC ≤ 5 кГц, LV вільний) |
| Ефективність перетворення напруги | 99,0 % мін. / 99,9 % тип. (RL = ∞, TA = +25 °C, LV вільний) |
| Вихідний струм | 10 мА (при падінні вихідної напруги 0,5 В) |
Мікросхема ICL7660 , so-8
Немає в наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | CMOS-перетворювач напруги (зарядовий насос) |
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Вхідна напруга | 1.5–10.0 В |
| Вихідна напруга | -1.5…-10.0 В |
| Частота генератора | 10 кГц (V+ = 5.0 В, без навантаження) |
| Струм споживання | 170 мкА типово, 500 мкА макс. (V+ = 5 В, TA = 25 °C) |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
Демонтаж
Мікросхема ICE3BR1065JF демонтаж, TO220F-6
Немає в наявності
81,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PG-TO220-6-247 (у назві товару TO220F-6) |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В (за таблицею типів) |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 1.0 Ом (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 67 кГц (фіксована) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 230 В AC ±15 % | 178 Вт (open frame, Ta 50 °C, Tj 125 °C, зовнішній радіатор RthSA 2.7 К/Вт) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 120 Вт (open frame, Ta 50 °C, Tj 125 °C, зовнішній радіатор RthSA 2.7 К/Вт) |
| Імпульсний струм стоку | 13 А (тривалість імпульсу обмежена Tj макс. 150 °C) |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 27 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 82 К/Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус | 4.4 К/Вт |
| Потужність розсіювання Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C (мін. -40 °C) |
| Температура переходу контролера (макс.) | 130 °C (діапазон від -25 °C) |
| Споживання в режимі очікування | <100 мВт (без навантаження, Vin 270 В AC, Active Burst Mode) |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема ICE3BR0665J , DIP8 ( Заміна для ICE3BR0665JZ , DIP7 )
Немає в наявності
62,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 0.65 Ом (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 65 кГц (фіксована; з jitter 56.5–73.5 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Макс. вихідна потужність, вхід 230 В AC ±15 % | 74 Вт (розрахункова, Ta 50 °C, Tj 125 °C, без зовнішнього радіатора) |
| Імпульсний струм стоку | 15.75 А (обмежений максимальною Tj) |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 27 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт (корпус PG-DIP-8) |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C (мін. -40 °C) |
| Споживання в режимі очікування | <50 мВт (Active Burst Mode) |
| Виробник | Infineon |
Мікросхема ICE3B0565 ( ICE3B0565J ) оригінал, DIP8
Немає в наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 4,70 Ом при Tj 25 °C |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 25 Вт |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. шпаруватість | 75 % |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B0365J , DIP8
Немає в наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 6.45 Ом (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 67 кГц (фіксована; діапазон 58–76 кГц, Tj 25 °C) |
| Девіація частоти (jitter) | ±2.7 кГц (±4 % від 67 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0.75 (мін. 0.70, макс. 0.80, CS = 1 В) |
| Імпульсний струм стоку | 1.6 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 27 В |
| Поріг вмикання VCC | 18.0 В (мін. 17.0, макс. 19.0) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт (корпус PG-DIP-8) |
| Температура переходу контролера (макс.) | 130 °C (діапазон від -25 °C) |
| Температура переходу CoolMOS (макс.) | 150 °C (мін. -25 °C) |
| Споживання в режимі очікування | <100 мВт (без навантаження, Vin 270 В AC, Active Burst Mode) |
| Виробник | Infineon |
Мікросхема ICE3A2565 ( 3A2565 ) оригінал, DIP8
Немає в наявності
119,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Корпус | DIP8 |
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим ключем CoolMOS |
| Напруга ключа | 650 В |
| Опір відкритого ключа | 0.65 Ом (тип., 25 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 72 % |
| Вхідна потужність | 68 Вт (230 В AC), 33 Вт (85–265 В AC) |
| Поріг увімкнення / вимкнення VCC | 15.0 / 8.5 В (тип.) |
| Струм споживання | 8.1 мА (тип.) |
| Позначення | ICE3A2565 (3A2565) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3A0565 , DIP8
Немає в наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим CoolMOS |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 4.70 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 2.3 А (тривалість імпульсу обмежена Tj макс. 150 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (мін. 92, макс. 108, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0.72 (мін. 0.67, макс. 0.77) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 230 В AC ±15 % | 25 Вт (розрахункова, за таблицею типів) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 12 Вт (розрахункова, за таблицею типів) |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 22 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт (корпус PG-DIP-8) |
| Температура переходу контролера (робоча, макс.) | 130 °C (мін. -25 °C) |
| Температура переходу CoolMOS (робоча, макс.) | 150 °C (мін. -25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ICE2QS01 , DIP8
Немає в наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер |
| Макс. напруга живлення VCC | 27 В (абсолютний максимум) |
| Макс. напруга виводу HV | 500 В (абсолютний максимум) |
| Макс. напруга виходу OUT | 27 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | від -40 до 125 °C (абсолютний максимум) |
| Вхідна потужність у режимі очікування | < 1 Вт (active burst mode) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ICE2PCS06 , so-8
Немає в наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | PFC-контролер, режим CCM |
| Частота перетворення | 65 кГц (фіксована, +5 % при 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % (25 °C) |
| Опорна напруга | 3 В (+2 %, 25 °C) |
| Поріг вмикання VCC | 11,8 В (тип., діапазон 11,4–12,7 В) |
| Поріг вимикання VCC (UVLO) | 11,0 В (тип., діапазон 10,4–11,7 В) |
| Струм споживання з активним виходом GATE | 10 мА (тип., макс. 13 мА, CL = 2,2 нФ) |
| Макс. напруга живлення VCC | 25 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | від -40 до 150 °C (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-8 |