Магазин

Показано 4657–4680 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема DM0465R , TO220-6 ( Заміна для GM0465R )

Немає в наявності

69,09 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-220F-6L
Напруга стоку BVDSS650 В (Ta 25 °C)
Постійний струм стоку2,2 А (Tc 25 °C), 1,4 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм стоку9,6 А (Tc 25 °C)
Частота перетворення66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В
Поріг запуску Vcc12 В
Поріг вимкнення Vcc8 В
Розсіювана потужність45 Вт (Tc 25 °C, з радіатором)
Робоча температура середовища-25…+85 °C

Мікросхема DM0265RN ( DM0265R ) DIP8

Немає в наявності

33,84 ₴
ПараметрЗначення
КорпусDIP8
Макс. напруга стоку650 В (Ta 25 °C)
Імпульсний струм стоку8,0 А
Опір відкритого каналу Rds(on)5,0 Ом тип., 6,0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5 А, Ta 25 °C)
Частота перетворення67 кГц (61–73 кГц), Ta 25 °C
Обмеження пікового струму1,5 А тип. (1,3–1,7 А)
Поріг запуску Vcc12 В
Поріг вимкнення Vcc8 В
Розсіювана потужність1,56 Вт
Робоча температура середовища-25…+85 °C

Мікросхема DK125 , DIP8

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
КорпусDIP8
Вхідна напруга AC90–265 В
Типова потужність24 Вт (90–265 В AC, у закритому корпусі при 45 °C)
Напруга вбудованого ВВ-транзистора700 В (Ioc = 1 мА)
Частота ШІМ65 кГц (Vcc = 5 В, Fb = 1,5…2,5 В)
Частота у режимі Burst22 кГц (Fb = 2,5…2,8 В)
Споживання в режимі очікування< 0,3 Вт (AC 265 В, без навантаження)
Напруга запуску5,2 В (AC 85–265 В)
Захист від ESD4 кВ

Мікросхема DDA009 , so-24

Немає в наявності

148,05 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіDDA009
КорпусSOP-24

Мікросхема DAS001 , so-8 ( TSM103AIW , 103AIW )

Немає в наявності

49,35 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SO-8 (D), 8 виводів
Напруга живлення3–32 В
Струм споживання (без опорного джерела)0,7 мА тип., 1,2 мА макс. (Vcc+ = 5 В, без навантаження)
Смуга пропускання (одиничне підсилення)0,9 МГц тип. (Vcc = 30 В, RL 2 кОм, CL 100 пФ, f = 100 кГц)
Швидкість наростання0,4 В/мкс тип. (Vcc = 15 В, RL 2 кОм, CL 100 пФ)
Опорна напруга2,5 В тип.

Мікросхема DAP8A smd

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипМікросхема
МонтажSMD

Мікросхема DAP6A , so-8

Немає в наявності

18,80 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ПризначенняКвазірезонансний ШІМ-контролер струмового режиму
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SO-8 (CASE 751)
Кількість виводів8
Піковий струм драйвера500 мА (джерело/стік)
Напруга живлення Vcc / Drv, макс.18 В (безперервно; 20 В короткочасно, <10 мс, Ivcc <10 мА)
Напруга на виводі HV (8), макс.450 В (Vcc (6) з розв’язкою 10 мкФ)
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–повітря178 °C/Вт (версія SOIC)
Температура зберігання-60…+150 °C

Мікросхема DAP08 , so-8

Немає в наявності

41,36 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-8

Мікросхема DAP018B , so-14

Немає в наявності

68,62 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ПризначенняШІМ-контролер струмового режиму
КорпусSO-14
Корпус (докладно)SOIC-14 (CASE 751A)
Кількість виводів14
Частота перетворення65 кГц (версія B, фіксована; спад до 25 кГц при малому навантаженні)
Brown-outє (версія B)
Захист від КЗ на виходіавто-відновлення (версія B)
Піковий струм драйвера+500 / -800 мА
Напруга живлення Vcc, макс.28 В (безперервно, абсолютний максимум)
Напруга на виводі HV (14), макс.500 В
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–повітря120 °C/Вт

Мікросхема CXA1691BS , sdip

Немає в наявності

52,17 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSony
ПризначенняОдночипова ІС FM/AM радіо
КорпусSDIP, 30 виводів
Напруга живлення, макс.14 В (Ta 25 °C, абсолютний максимум)
Робоча напруга живлення2–8.5 В
Струм споживання, режим FM5.8 мА (Vcc 3 В, типово)
Струм споживання, режим AM4.7 мА (Vcc 3 В, типово)
Вихідна потужність ПНЧ (EIAJ)500 мВт (Vcc 6 В, навантаження 8 Ом, типово)
Потужність розсіювання1000 мВт (Ta 25 °C)
Робоча температура-10…+60 °C
Температура зберігання-50…+125 °C

Транзистор NCE80H11 оригінал, TO220

Немає в наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (TC = 25 °C)105 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)80 А
Опір Rds(on)8 мОм макс., VGS = 10 В, ID = 40 А (типово 6,3 мОм)
Заряд затвора Qg125 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Поріг Vgs(th)2–4 В
Потужність Pd200 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220
Тип каналуN
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Мікросхема CXA1538M, smd ( CXA1238M )

Немає в наявності

52,64 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняОдночипова біполярна ІС для FM стерео / AM радіо
ВиробникSony
Напруга живлення, макс.14 В (Ta 25 °C, абсолютний максимум)
Робоча напруга живлення2–9 В (рекомендовані умови)
Струм споживання, режим FM11.0 мА (Vcc 6.0 В)
Струм споживання, режим AM8.5 мА (Vcc 6.0 В)
Допустима потужність розсіювання500 мВт (версія CXA1538M, Ta 25 °C)
Макс. температура переходу125 °C
Робоча температура-10…+60 °C
Температура зберігання-55…+150 °C
КорпусSOP, 30 виводів

Мікросхема CXA1238S , DIP

Немає в наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіCXA1238S
КорпусDIP

Мікросхема CXA1191M ( CXA1691BM , CD1691BM )

Немає в наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняОдночипове FM/AM радіо для магнітол з підсилювачем НЧ
ВиробникSony
Напруга живлення, макс.14 В (Ta 25 °C)
Напруга живлення, рекомендована2–7.5 В (для CXA1691BM)
Струм споживання, FM5.8 мА (VCC 3 В, тип.)
Струм споживання, AM4.7 мА (VCC 3 В, тип.)
Вихідна потужність підсилювача НЧ500 мВт (VCC 6 В, навантаження 8 Ом, EIAJ, тип.)
Допустима розсіювана потужність700 мВт (CXA1691BM)
Робоча температура-10…+60 °C
КорпусSOP-28

Мікросхема CX2812 , so-8

Немає в наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіCX2812
КорпусSO-8

Мікросхема NS8002 ( CSC8002 , CSC8002A , CSC8002B , SC8002 , 8002 , 8002A, 8002B , 8002D , 8002CS , NS4148 ) , so-8

Немає в наявності

14,10 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняМоно-підсилювач потужності звуку класу AB (BTL) з входом вимкнення
ВиробникShenzhen Nsiway Technology
Напруга живлення VDD3.0–5.25 В
Вихідна потужність (RL 4 Ом, THD+N 10 %, 1 кГц, VDD 5 В)2.4 Вт
Вихідна потужність (RL 8 Ом, THD+N 10 %, 1 кГц, VDD 5 В)1.7 Вт
Вихідна потужність (RL 4 Ом, THD 1 %, 1 кГц, VDD 5 В)1.8 Вт
Вихідна потужність (RL 8 Ом, THD 1 %, 1 кГц, VDD 5 В)1.3 Вт
Струм спокою6 мА (макс. 10 мА) (VIN 0 В, Io 0 А, VDD 5 В)
Струм у режимі вимкнення1 мкА (макс. 20 мкА) (VDD 5 В)
PSRR80 дБ (VDD 5 В)
Робоча температура-40…+85 °C
КорпусSO-8

Мікросхема CR6850T , DIP8

Немає в наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняШІМ-контролер струмового режиму для зворотноходових AC-DC перетворювачів малої потужності
Напруга живлення VDD, макс.40 В (абсолютний максимум)
Робоча напруга VDD11–20 В (рекомендовані умови)
Поріг вмикання VDD15,3 В (Ta 25 °C, VDD = 15 В)
Поріг вимикання VDD9,8 В (Ta 25 °C)
Пусковий струм8 мкА (Ta 25 °C, VDD = 15 В)
Робочий струм1,9 мА (Ta 25 °C, VDD = 15 В)
Частота ШІМ65 (60–70) кГц (RI = 100 кОм)
Захист від перенапруги VDD25,5 В
Робоча температура-20…85 °C
Температура зберігання-55…150 °C
КорпусDIP8
ВиробникChip-Rail

Мікросхема CR6850S , sot23-6

Немає в наявності

49,82 ₴
ПараметрЗначення
Напруга живлення VDD, макс.40 В
Поріг вмикання VDD15.3 В (VDD 15 В, Ta 25 °C)
Поріг вимикання VDD9.8 В (Ta 25 °C)
Пусковий струм8 мкА (VDD 15 В, Ta 25 °C)
Робочий струм1.9 мА (VFB 3 В)
Частота65 кГц, 60–70 кГц (RI 100 кОм)
Макс. коефіцієнт заповнення77 % (RI 100 кОм)
Обмеження напруги затвора16.8 В
Потужність Pd300 мВт
КорпусSOT23-6
ВиробникChip-Rail

Мікросхема CM6805BG оригінал, sop10

Немає в наявності

247,22 ₴
ПараметрЗначення
ТипМікросхема, контролер PFC/PWM
ВиробникChampion Microelectronic
КорпусSSOP-10 (R10)
Кількість виводів10
Частота PFC і PWM95 кГц (CM6805B: мін. 85, тип. 95, макс. 106 при 25 °C)
Макс. коефіцієнт заповнення PWM50 %
Струм старту100 мкА (тип.)
Робочий струм2 мА (тип.)
Діапазон робочих температур-40…125 °C
СтанОригінал

Мікросхема CM0765R , TO220-6

Немає в наявності

77,55 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss650 В (Tj 25–150 °C)
Опір Rds(on)1.4 Ом, макс. 1.6 Ом (Vgs 10 В, Id 2.3 А)
Потужність Pd (TO-220)145 Вт
Робоча частота66 кГц, 60–72 кГц (Vcc 14 В, Vfb 4 В)
Струм обмеження3 А, 2.64–3.36 А (Vcc 14 В, Vfb 4 В)
Пусковий струм20 мкА, макс. 40 мкА
Робоча температура-25…+85 °C
КорпусTO220-6
ВиробникFairchild Semiconductor

Мікросхема CM0565R , TO220-6

Немає в наявності

68,15 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняШІМ-контролер із вбудованим високовольтним Sense FET для імпульсних блоків живлення (flyback)
Робоча частота66 кГц (фіксована)
Пусковий струм40 мкА (макс.)
М'який старт15 мс (вбудований)
КорпусTO220-6
ВиробникFairchild Semiconductor

Мікросхема CA3080EZ , DIP8

Немає в наявності

145,70 ₴
ПараметрЗначення
Призначення2 МГц операційний підсилювач із керованою крутизною (OTA), диференціальний вхід, однотактний вихід класу A
Напруга живлення±2…±15 В
Макс. напруга між V+ та V-36 В (абсолютний максимум)
Швидкість наростання50 В/мкс (одиничне підсилення, компенсований)
Споживана потужність10–30 мкВт (регулюється струмом зміщення)
Макс. струм зміщення IABC2 мА (абсолютний максимум)
Макс. диференціальна вхідна напруга5 В (абсолютний максимум)
Робоча температура0…70 °C (CA3080E, PDIP)
Макс. температура переходу150 °C (пластиковий корпус)
КорпусDIP8

Мікросхема BP2832A , so-8

Немає в наявності

17,86 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняНеізольований buck-драйвер світлодіодів, режим критичної провідності, без допоміжної обмотки
Напруга стоку вбудованого MOSFET500 В (абсолютний максимум, -0,3…500 В)
Вхідна мережа85–265 В AC (універсальний вхід)
Точність вихідного струму±5 %
Поріг обмеження піку струму (CS)388–412 (тип. 400) мВ
Макс. потужність розсіювання0,45 Вт
Температура переходу-40…+150 °C
Робоча температура-40…+105 °C
КорпусSOP-8 (DRAIN – виводи 5, 6; CS – виводи 7, 8)
ВиробникBPS

Мікросхема BIT3267 , so-8

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняВисокочастотний струмовий ШІМ-контролер для boost-перетворювачів, підсвічування LED
Напруга живлення VDD8–28 В (рекомендовані умови)
Макс. напруга VDD28 В (абсолютний максимум, -0,3…+28 В)
Робоча частота55 / 110 / 220 кГц (вибір частоти)
Напруга зворотного зв'язку0,21 В
Робоча температура навколишнього середовища-20…+85 °C
Макс. температура переходу150 °C
Температура зберігання-55…+150 °C
КорпусSO-8
ВиробникBeyond Innovation Technology