Магазин
Демонтаж
Транзистор K40T1202 ( IKW40N120T2 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vce | 1200 В |
| Струм колектора Ic (110 °C) | 40 А (Tj = 150 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.75 В тип., 2.2 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 40 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.2–6.4 В (тип. 5.8 В) |
| Заряд затвора Qg | 192 нКл (Vcc = 960 В, Ic = 40 А, VGE = 15 В) |
| Час витримки короткого замикання | 10 мкс |
| Температура переходу Tj (макс.) | 175 °C |
| Вбудований діод | так, м’який швидкий Emitter Controlled |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор JCS50N06FH оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 50 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 31.7 А |
| Опір Rds(on) | 19 мОм, макс. 23 мОм (Vgs 10 В, Id 25 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 56 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 200 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS4N60F оригінал, TO220F
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 4,0 А (Tc 25 °C), 2,5 А (Tc 100 °C) |
| Idm | 16 А |
| Rds(on) | 2,0 Ом, макс. 2,5 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 27 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 710 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 33 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj | –55…+150 °C |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ISA07N65A оригінал, TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFP4332 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vdss (мін.) | 250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Напруга лавинного пробою VDS(Avalanche), типова | 300 В |
| Rds(on) типовий | 29 мОм (VGS = 10 В, ID = 35 А) |
| Rds(on) максимальний | 33 мОм (VGS = 10 В, ID = 35 А) |
| Заряд затвора Qg, типовий | 130 нКл (VDD = 125 В, ID = 35 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Максимальна температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRFP4110 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vdss | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 3.7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Rds(on) максимальний | 4.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Струм стоку (обмеження виводами) | 120 А (TC 25 °C, VGS = 10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 370 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 9620 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (максимум) |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB4410Z ( FB4410Z ) оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 97 А |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 69 А |
| Rds(on) типово | 7.2 мОм (VGS = 10 В, ID = 58 А) |
| Rds(on) макс. | 9.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 58 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Pd (TC = 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 4820 пФ |
| Напруга Vgs max | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB4115 оригінал , TO220
В наявності
121,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 150 В |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 104 А |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 74 А |
| Rds(on) типово | 9.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Rds(on) макс. | 11 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Pd (TC = 25 °C) | 380 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 5270 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs max | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1018E оригінал, TO220
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 79 А |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 56 А |
| Rds(on) типово | 7.1 мОм (VGS = 10 В, ID = 47 А) |
| Rds(on) макс. | 8.4 мОм (VGS = 10 В, ID = 47 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Pd (TC = 25 °C) | 110 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2290 пФ |
| Напруга Vgs max | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R600P ( IPA60R600CP ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220F |
| Вхідна ємність Ciss | 550 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1P ) оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id | 230 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=50 А) | 2,6 мОм (тип.), 3,3 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2 (мін.), 3 (тип.), 4 (макс.) В |
| Qg | 176 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G020N04 ( HYG020N04 , HYG020N04NR1B ) оригінал (заміна для 020N04 , BR 020N04 , BR020N04), D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 156 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=40 А) | 1,9 мОм (тип.), 2,4 мОм (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Qg | 110 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4392 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4903P ( HY4903 ) оригінал,TO220
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 290 А (Tc 25 °C), 200 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,6 мОм, макс. 2,0 мОм (Vgs 10 В, Id 145 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 2,0 мОм, макс. 3,0 мОм (Vgs 4,5 В, Id 145 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 247 нКл (Vds 24 В, Vgs 10 В, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 11506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 214 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3906P ( HY3906 ) оригінал,TO220
В наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 190 А (Tc 25 °C), 128 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 720 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4.0 мОм (Vgs 10 В, Id 95 А) |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл (Vds 48 В, Vgs 10 В, Id 95 А, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5726 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0 / 3.0 / 4.0 В (мін. / тип. / макс., Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3008P ( HY3008 ) оригінал (80V,100A), TO220
В наявності
59,69 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 400 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 6.6 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 8.5 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл (Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс., Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GPT16N50DG оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Greatpower |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 15,5 А (безперервний; значення для TO-220 і TO-220FP) |
| Rds(on) | 0,38 Ом (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Vgs(th) | 3–5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 49,3 нКл (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2299 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| trr | 475 нс (IS = 16 А, dIS/dt = 100 А/мкс) |
| Pd | 49 Вт (версія TO-220FP) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP8NC60KD ( STGP8NC60KD ) оригінал, TO220
В наявності
114,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 8 А |
| Імпульсний струм Icp | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип., 2.75 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 3 А, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.5–6.5 В |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Вбудований діод | так, антипаралельний, дуже м’який ультрашвидкий |
| Температура переходу Tj | від -55 до 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF7N80C оригінал, TO220F
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C, BVDSS при Id 250 мкА, Vgs 0 В, мін.) |
| Струм стоку Id | 6.6 А (Tc 25 °C); 4.2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) максимальний | 1.9 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Опір Rds(on) типовий | 1.57 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл типовий (Vds 640 В, Id 6.6 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 56 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2.25 °C/Вт макс. |
| Час відновлення діода trr | 650 нс типовий (Vgs 0 В, Is 6.6 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF5N50UT ( 5N50UT ) оригінал, TO220F
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (UniFET Ultra FRFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 4 А (Tc 25 °C); 2.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) типовий | 1.65 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Опір Rds(on) максимальний | 2 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 11 нКл типовий (Vds 400 В, Id 4 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Час відновлення діода trr | менше 50 нс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13009L ( E13009L ) оригінал, TO247
В наявності
80,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 700 В |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic постійний | 12 А |
| Струм колектора Ic імпульсний | 24 А |
| Потужність розсіювання Pc | 130 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | 8–40 (Ic = 5 А, Vce = 5 В); 6–30 (Ic = 8 А, Vce = 5 В) |
| Vce(sat) (макс.) | 1 В (Ic = 5 А, Ib = 1 А); 1,5 В (Ic = 8 А, Ib = 1,6 А) |
| Час спаду tf (макс.) | 0,7 мкс |
| Гранична частота fT (мін.) | 4 МГц |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13005D ( E13005D , 13005D , MJE13005 , E13005 ) оригінал, TO220F
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 5 А постійний, 10 А імпульсний |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 | 18–35 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,2 А) |
| fT | 4 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 0,5 А) |
| Vf діода | 1,6 В макс. (If 2 А) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS730 ( CS730A8H ) оригінал, TO220
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3.6 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.8 Ом тип., 1 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3.0 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл тип. (ID = 6.0 А, VDD = 200 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BUK9508-55 ( BUK9508 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В |
| Rds(on) | 8 мОм макс. (Tj 25 °C; VGS 5 В; Id 25 А) |
| Потужність Ptot | 253 Вт (Tmb 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4551 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал, logic level, TrenchMOS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор AP85T03GP ( 85T03GP ) оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 75 А (TC = 25 °C, VGS = 4.5 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 55 А (TC = 100 °C, VGS = 4.5 В) |
| Опір Rds(on) | 6 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 45 А) |
| Опір Rds(on) при 4.5 В | 10 мОм макс. (VGS = 4.5 В, ID = 30 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип., 52 нКл макс. (ID = 30 А, VDS = 24 В, VGS = 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 107 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |