Магазин
Сімістор BT139-600 (16А;600V,Igt=0.025A) ,ТО220
Немає в наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В макс. |
| Струм It(rms) | 16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм Itsm | 155 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vt | 1.6 В макс. (IT = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 45 мА макс. (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| dVD/dt | 200 В/мкс мін. (VDM = 402 В, Tj = 125 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Сімістор BT134W-600D (600V,1A,5mA) , sot223
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В макс. |
| Струм It(rms) | 1 А (повна синусоїда, Tsp ≤ 108 °C) |
| Ударний струм Itsm | 10 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt (T2+ G+, T2+ G–, T2– G–) | 5 мА макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Струм керування Igt (T2– G+) | 10 мА макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vt | 1.5 В макс. (IT = 2 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
Транзистор IRFB3607 оригінал , TO220
Немає в наявності
67,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon Technologies |
| Напруга Vds | 75 В |
| Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В) | 80 А |
| Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В) | 56 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=46 А) | 9 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3070 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 140 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор 2N6075A (4A,600V,Igt=0,005A)(A1 A2 G)
Немає в наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj –40…110 °C, керуючий електрод розімкнений) |
| Струм It(rms) | 4.0 А (Tc = 85 °C, повна синусоїда) |
| Ударний струм Itsm | 30 А (один період, 60 Гц, Tj = +110 °C) |
| Струм керування Igt (квадранти I, II, III) | 5 мА макс. (Tj = 25 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Струм керування Igt (квадрант IV) | 10 мА макс. (Tj = 25 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vtm | 2 В макс. (Itm = 6.0 А пік) |
| Напруга керування Vgt | 2.5 В макс. (Tj = –40 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 110 °C |
| Корпус | TO-225 |
| Виробник | onsemi |
Транзистор PF610BL , sot223
Немає в наявності
29,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В (V(BR)DSS при VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (TA 25 °C) | 0,9 А |
| Струм стоку Id (TA 70 °C) | 0,5 А |
| Опір Rds(on) при VGS 10 В | 0,48 Ом тип., 0,7 Ом макс. (ID = 0,9 А; TJ 25 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS 4,5 В | 0,52 Ом тип., 0,9 Ом макс. (ID = 0,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1,8 / 3 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS) |
| Заряд затвора Qg | 7,2 нКл (VDS = 0,5·V(BR)DSS, ID = 0,9 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 1,3 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SOT-223 |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP3049 оригінал демонтаж б/в , TO-3P (330V,65A)
Немає в наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор (плазмові панелі) |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм колектора Ic | 65 А |
| Імпульсний струм колектора Ic(peak) | 330 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.4 В |
| Час наростання tr | 150 нс |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал , D2PAK
Немає в наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Процесор TDA9341PS/N3/A ( NTDA9341-2NAG ) демонтаж ( NTDA9341-2NCG , NTDA9341-2NBG , NTDA9341-2NDG , NTDA9341-C32NH , TDA9341PS/N3/A/1999 )
Немає в наявності
493,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Процесор TDA12025PQ/N1F80 ( T-GRN2PEU-1021 ) демонтаж ( T-GRN2PEU-1014 , T-GRN2PEU-1018 ) ( S16A , S16B)
Немає в наявності
705,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Демонтаж б/в |
