Магазин
Демонтаж
Процесор LG8534-07D демонтаж з шасі MC-64A
Немає в наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Демонтаж б/в |
Рядковий трансформатор BSC60P оригінал ( BSC36F , BSC52I )
Немає в наявності
437,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Діод SF5A400HD , D-PAK
Немає в наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AUK |
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 5 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 60 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.40 В (If 5 А, Tj 25 °C; при Tj 125 °C – 1.20 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 30 нс макс. (If 1 А, di/dt –100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Діод SF10A400HD , D-PAK
Немає в наявності
34,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AUK |
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 60 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.40 В (If 10 А, Tj 25 °C; при Tj 125 °C – 1.20 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 30 нс макс. (If 1 А, di/dt –100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Демонтаж
Діод SF10A400H ( SF10A400SH ) оригінал демонтаж , TO220F-2pin ( RD1004 )
Немає в наявності
73,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AUK |
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 120 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.40 В (If 10 А, Tj 25 °C; при Tj 125 °C – 1.20 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 30 нс макс. (If 1 А, di/dt –100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Конфігурація | одиночний (вив. 1 – катод, 2 – анод) |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод S2M (1.5A , 1000V ) smd
Немає в наявності
5,64 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В (Ta 25 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 50 А (8,3 мс, напівсинусоїда, JEDEC) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон –55…+150 °C) |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Конфігурація | одиночний |
Діод S1M (1A , 1000V ) smd
Немає в наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В (Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 1.0 А (TL 110 °C, однофазний напівперіод 60 Гц, активне навантаження) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, напівсинусоїда, JEDEC) |
| Пряма напруга Vf | 1.10 В (If 1.0 А, Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон –55…+150 °C) |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Конфігурація | одиночний |
Діод RU4AM (RU4A) (600V,3.5A,100ns)
Немає в наявності
26,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 3.5 А (TA = 75 °C, виводи 9,5 мм) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 70 А (10 мс, півсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.3 В (If = 3.5 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Vr = Vrrm, TA = 25 °C); 300 мкА (TA = 100 °C) |
| Час відновлення trr | 100 нс (If = 0,5 А, Ir = 1 А, Irr = 0,25 А) |
| Тепловий опір Rth(j-l) | 8 °C/Вт (перехід – вивід) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | DO-201AD |
| Конфігурація | одиночний |
Діод 8E2TH06 оригінал (600V,8A), TO220-2pin
Немає в наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 8 А (TC 133 °C, TO-220AC) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 70 А (TJ 25 °C) |
| Пряма напруга Vf | 2,5 В (If 8 А, TJ 25 °C, макс.; тип. 2,1 В) |
| Пряма напруга Vf при 150 °C | 1,9 В (If 8 А, TJ 150 °C, макс.; тип. 1,6 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 17 нс (If 1,0 А, dIf/dt 100 А/мкс, Vr 30 В, тип.) |
| Зворотний струм Ir при 150 °C | 350 мкА (Vr = Vrrm, TJ 150 °C, макс.; тип. 50 мкА) |
| Ємність переходу Cj | 6 пФ (Vr 600 В, тип.) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний |
| Стан | Оригінал |
Діод M7 (1N4007) (1A,1000V) smd
Немає в наявності
2,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 1 А (Ta 75 °C, виводи 9,5 мм) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, півсинусоїда, JEDEC) |
| Пряма напруга Vf | 1,1 В (If 1 А) |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Vr = Vrrm, Ta 25 °C); 50 мкА (Vr = Vrrm, Ta 100 °C) |
| Ємність переходу Cj | 15 пФ (1 МГц, Vr 4 В) |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 50 °C/Вт |
| Робочий діапазон температур | -65…+150 °C |
| Корпус | SMA |
| Конфігурація | одиночний |
Діод FR607
Немає в наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 6 А (TA 75 °C, виводи 9,5 мм) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 300 А (8,3 мс, півсинусоїда, JEDEC) |
| Пряма напруга Vf | 1,3 В (If 6 А, TA 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Vr = Vrrm, TA 25 °C); 200 мкА (Vr = Vrrm, TA 100 °C) |
| Ємність переходу Cj | 150 пФ (1 МГц, Vr 4 В) |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 10 °C/Вт |
| Робочий діапазон температур | -65…+150 °C |
| Корпус | R-6 |
| Конфігурація | одиночний |
Діод FR307
Немає в наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод швидкий випрямний |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | DO-201AD |
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 3.0 А (TA 75 °C, виводи 9,5 мм) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 150 А (8,3 мс, півсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1.30 В (If 3.0 А, TA 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 5.0 мкА (Vr = Vrrm, TA 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 500 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Ємність переходу Cj | 60 пФ (1 МГц, Vr = 4 В) |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 20 °C/Вт (виводи 9,5 мм, монтаж на плату) |
Діод FR207 ( RL207 ) (1000V,2A,150ns)
Немає в наявності
2,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Тип | Швидкий випрямний діод |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | DO-15 |
| Vrrm | 1000 В (Ta 25 °C) |
| If(av) | 2,0 А (Ta 75 °C) |
| Ifsm | 70 А (8,3 мс, напівсинусоїда, номінальне навантаження, JEDEC) |
| Vf (макс.) | 1,30 В (If 2,0 А) |
| trr (макс.) | 500 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Tj max | 150 °C |
Діод FFP30U60DN ( F30U60DN ) оригінал , TO-3P
Немає в наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод надшвидкий, здвоєний |
| Конфігурація | спільний катод (два діоди) |
| Макс. зворотна напруга Vrrm | 600 В (повторювана) |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А на діод (Tc 100 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 180 А (60 Гц, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 2.3 В макс. (If 30 А, Tc 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 90 нс макс. (If 30 А, di/dt 200 А/мкс) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.8 °C/Вт |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Діод BAW56 , sot23 , спільний анод (85V , 0.2A ,6ns)
Немає в наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод швидкодіючий, здвоєний |
| Конфігурація | спільний анод |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. імпульсна зворотна напруга Vrm | 85 В (Ta 25 °C) |
| Зворотна напруга Vr | 80 В (Ta 25 °C) |
| Постійний прямий струм If | 250 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 2 А (10 мс) |
| Час зворотного відновлення trr | 4.0 нс макс. (If 10 мА) |
| Ємність Ct | 4.0 пФ макс. (Vr 0, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 225 мВт (на платі FR-5) |
| Виробник | KEC |
Діод 1N5408
Немає в наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GOODWORK |
| Макс. зворотна напруга Vrrm | 1000 В (повторювана) |
| Середній прямий струм If(av) | 3.0 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 100 А (8,3 мс, напівсинусоїда, метод JEDEC) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.98 В (If 3,0 А) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5.0 мкА (номінальна Vr, Ta 25 °C); 50 мкА (Ta 100 °C) |
| Ємність переходу Cj | 40 пФ (typ., f 1 МГц, Vr 4,0 В) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 30 °C/Вт (виводи 9,5 мм) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Діод 1N4937 (600V,1A,200ns)
Немає в наявності
2,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 1,0 А (виводи 9,5 мм, TA = 75 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, напівсинусоїда на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1,2 В (If = 1,0 А) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5,0 мкА (номінальна зворотна напруга, TA = 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 200 нс (If = 1,0 А, Vr = 30 В, dI/dt = 50 А/мкс, Irr = 10 % Irm) |
| Ємність переходу Cj (тип.) | 12 пФ (Vr = 4,0 В, f = 1 МГц) |
| Температура переходу | -50…+150 °C |
Діод 1N4007
Немає в наявності
2,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MSKSEMI |
| Макс. зворотна напруга Vrrm | 1000 В (повторювана) |
| Середній прямий струм If(av) | 1.0 А (виводи 9,5 мм, Ta 75 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (8,3 мс, напівсинусоїда, метод JEDEC) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1.1 В (If 1,0 А) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5.0 мкА (номінальна Vr, Ta 25 °C); 50 мкА (Ta 100 °C) |
| Ємність переходу Cj | 15 пФ (typ., f 1 МГц, Vr 4,0 В) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 50 °C/Вт (typ.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсічки затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс (Ic 35 А, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Rl 8,5 Ом, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 5 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP63K2 , D2PAK
Немає в наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсікання затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл тип. (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс тип. (Ic 35 А, Rl 8,5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP63G4 , D2PAK
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK
Немає в наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 360 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А (Tc = 25 °C) |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В (typ, макс. 2 В; IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 2,5–5 В (VCE = 10 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (typ; VGE = 15 В, VCE = 150 В, IC = 30 А) |
| Потужність Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Час спаду tf | 150 нс (typ) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Renesas Electronics |