Магазин

AP88N30W транзистор TO-3P, фото маркування

Транзистор AP88N30W ( 88N30W ) оригінал , TO-3P

Немає в наявності

141,94 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Advanced Power Electronics Corp.
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-3P
Напруга Vds	300 В (VGS = 0 В, ID = 10 мА)
Струм Id	88 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on)	48 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 44 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3–4,5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА)
Заряд затвора Qg	170 нКл тип., 250 нКл макс.
Потужність Pd	150 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

AP40T03GH 40T03GH MOSFET D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор AP40T03GH ( 40T03GH ) , D-PAK

Немає в наявності

42,30 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vds	30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	28 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (100 °C)	24 А (TA = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on) при 10 В	25 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 18 А)
Опір Rds(on) при 4,5 В	45 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 14 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	8,8 нКл тип. (ID = 18 А, VDS = 20 В, VGS = 4,5 В)
Потужність Pd	31,25 Вт (TA = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C

AOD458 D458 MOSFET D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор AOD458 ( D458 ) , D-PAK (250V , 14A , n-канал)(Заміна для KF5N25D )

Немає в наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vds	250 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В, TJ = 25 °C)
Струм Id (25 °C)	14 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (100 °C)	10 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)	0,22 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 7 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3–4,5 В, тип. 3,8 В (VDS = 5 В, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	12 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 200 В, ID = 14 А)
Потужність Pd	150 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік Vgs	±30 В
Макс. температура переходу Tj	175 °C

Додати в обране

Транзистор AOD452 (AOD452A) , D-PAK

Немає в наявності

28,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vds	30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА; TJ = 25 °C)
Струм Id (25 °C)	80 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (70 °C)	60 А (TC = 70 °C, TJ = 175 °C)
Опір Rds(on) при 10 В	0,005 Ом (VGS = 10 В)
Опір Rds(on) при 4,5 В	0,006 Ом (VGS = 4,5 В)
Заряд затвора Qg	31 нКл
Порогова напруга Vgs(th)	1,0–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd	205 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C

AOD405 D405 транзистор TO-252, фото маркування

Додати в обране

Транзистор AOD405 (D405) p-канал (30V,18A)

Немає в наявності

29,14 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P
Напруга Vds	-30 В
Струм Id	-18 А (VGS -10 В, TA 25 °C)
Опір Rds(on)	24.5 мОм тип. / 32 мОм макс. (VGS -10 В, ID -18 А)
Заряд затвора Qg	18.7 нКл тип. / 23 нКл макс. (VGS -10 В, VDS -15 В, ID -18 А)
Потужність Pd	60 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj	175 °C
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-252 (D-PAK)

AO4828 транзистор SOIC-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор AO4828 (60V,4.5A,2W,0.056R) , so-8 (Заміна для AP9971GM )

Немає в наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N, два транзистори в корпусі
Напруга Vds	60 В
Струм Id	4.5 А (TA 25 °C, VGS 10 В)
Опір Rds(on)	56 мОм макс. (VGS 10 В, ID 4.5 А)
Заряд затвора Qg	10.5 нКл (VGS 10 В, VDS 30 В, ID 4.5 А)
Потужність Pd	2 Вт (TA 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	SO-8

AO4423 транзистор SOP-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор AO4423 , so-8

Немає в наявності

24,91 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P
Напруга Vds	-30 В
Струм Id	-13.5 А (TC 25 °C, TJ 150 °C)
Опір Rds(on)	11 мОм (VGS -10 В, ID -10 А)
Заряд затвора Qg	57 нКл тип. (VDS -15 В, VGS -10 В, ID -10 А)
Потужність Pd	5 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	SO-8

AO3401A P-канал MOSFET SOT-23, фото маркування

Додати в обране

Транзистор AO3401A , sot23

Немає в наявності

15,51 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Alpha & Omega Semiconductor
Тип каналу	P
Корпус	SOT-23
Напруга Vds	-30 В
Струм Id	-4 А (TA 25 °C; -3.2 А при TA 70 °C)
Опір Rds(on) при VGS -10 В	41 мОм тип. / 50 мОм макс. (ID = -4 А)
Опір Rds(on) при VGS -4.5 В	47 мОм тип. / 60 мОм макс. (ID = -3.5 А)
Опір Rds(on) при VGS -2.5 В	60 мОм тип. / 85 мОм макс. (ID = -2.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	-0.9 В тип. (-0.5 – -1.3 В; VDS = VGS, ID = -250 мкА)
Заряд затвора Qg	14 нКл (VGS = -10 В, VDS = -15 В, ID = -4 А; 7 нКл при VGS = -4.5 В)
Потужність Pd	1.4 Вт (TA 25 °C; 0.9 Вт при TA 70 °C)
Напруга Vgs	±12 В
Температура переходу Tj	150 °C (робочий діапазон -55 – 150 °C)

AF4502C N+P MOSFET SOP-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор AF4502C (30V,10A,-8.5A,2.1W) ( AO4620 )

Немає в наявності

31,49 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Anachip
Тип каналу	N + P (комплементарна пара)
Корпус	SO-8
Напруга Vds (N-канал)	30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Напруга Vds (P-канал)	-30 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА)
Струм Id (N-канал)	10 А (TA 25 °C, на платі 1″x1″ FR4)
Струм Id (P-канал)	-8.5 А (TA 25 °C, на платі 1″x1″ FR4)
Струм Id (N-канал, TA 70 °C)	8.1 А
Опір Rds(on) N-канал	11 мОм тип. / 13.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Опір Rds(on) P-канал	16 мОм тип. / 19 мОм макс. (VGS = -10 В, ID = -8.5 А)
Порогова напруга Vgs(th) N-канал	1.95 В тип. (1–3 В; VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Порогова напруга Vgs(th) P-канал	-1.6 В тип. (-1 – -3 В; VDS = VGS, ID = -250 мкА)
Заряд затвора Qg (N-канал)	12 нКл тип. / 19 нКл макс. (VDS = 15 В, VGS = 4.5 В, ID = 10 А)
Потужність Pd	2.1 Вт (TA 25 °C; 1.3 Вт при TA 70 °C)
Температура переходу Tj	150 °C (робочий діапазон -55 – 150 °C)

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 5N3011 оригінал демонтаж, TO-3P

Немає в наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Renesas Electronics
Тип каналу	N
Корпус	TO-3P
Напруга Vds	300 В (Ta 25 °C)
Струм Id	88 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм Idm	176 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Опір Rds(on)	0.048 Ом макс.; тип. 0.042 (ID 44 А, VGS 10 В)
Порогова напруга Vgs(off)	3.0–4.5 В (VDS 10 В, ID 1 мА)
Заряд затвора Qg	95 нКл (тип.; VDD 240 В, VGS 10 В, ID 88 А)
Вхідна ємність Ciss	5000 пФ (тип.; VDS 25 В, VGS 0, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт (Tc 25 °C)
Напруга Vgs	±30 В
Макс. температура каналу	150 °C
Тепловий опір канал–корпус	0.833 °C/Вт
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Додати в обране

Транзистор 2SK3918 , D-PAK

Немає в наявності

17,39 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	25 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id	48 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм стоку	192 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Опір Rds(on)	7.5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 24 А)
Потужність Pd	29 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (типово)
Напруга затвор–витік Vgs	±20 В (VDS = 0 В)
Енергія лавини Eas	48 мДж (IAS 22 А)
Макс. температура каналу	150 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Виробник	NEC Electronics (Renesas Electronics)

Додати в обране

Транзистор 2SK3530

Немає в наявності

71,91 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	800 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	7 А (безперервний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм стоку	28 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)	1.9 Ом (VGS 10 В, ID 3.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА)
Напруга затвор–витік Vgs	±30 В
Потужність Pd	70 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-220F

Додати в обране

Транзистор 2SK3264 (800V,7A,60W) , TO220F

Немає в наявності

46,06 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	800 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id	7 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм стоку	28 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on)	2.0 Ом макс. (типово 1.62 Ом; ID 3.5 А, VGS 10 В, Tch 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	3.5–4.5 В (типово 4.0 В; ID 1 мА)
Потужність Pd	60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу	150 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-220F
Виробник	Fuji Electric

2SK3115 (2SK3115B) транзистор MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SK3115 (2SK3115B) , TO220F

Немає в наявності

39,01 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В (Vgs 0 В)
Напруга Vgs	±30 В (Vds 0 В)
Струм Id	6,0 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм стоку	24 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Опір Rds(on)	макс. 1,2 Ом, тип. 0,9 Ом (Vgs 10 В, Id 3,0 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,5–3,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Заряд затвора Qg	21 нКл тип. (Vdd 450 В, Vgs 10 В, Id 6,0 А)
Вхідна ємність Ciss	1090 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц)
Потужність розсіювання	35 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	NEC Electronics (Renesas Electronics)

2SK3114 транзистор MOSFET Isolated TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SK3114 (600V,4A,30W,1.6R)

Немає в наявності

62,98 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N (DMOS)
Напруга Vds	600 В (Vgs 0, Ta 25 °C)
Напруга Vgs	±30 В (Vds 0)
Струм Id	4,0 А (Tc 25 °C; імпульсний 16 А, PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1 %)
Опір Rds(on)	макс. 2,2 Ом, тип. 1,6 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А, Ta 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,5–3,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Заряд затвора Qg	15 нКл тип. (Vdd 450 В, Vgs 10 В, Id 4,0 А)
Вхідна ємність Ciss	550 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц)
Потужність Pt	30 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу Tch	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	NEC

2SK3067 транзистор MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SK3067

Немає в наявності

46,53 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N, серія π-MOSV
Напруга Vds	600 В (Tc 25 °C)
Напруга Vgs	±30 В (Tc 25 °C)
Струм Id	2 А (Tc 25 °C; імпульсний 5 А за 1 мс, 8 А за 100 мкс)
Опір Rds(on)	4,2 Ом тип., макс. 5,0 Ом (Vgs 10 В, Id 1 А, Tc 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Заряд затвора Qg	9 нКл тип. (Vdd≈480 В, Vgs 10 В, Id 2 А)
Вхідна ємність Ciss	380 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц)
Потужність Pd	25 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу Tch	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	Toshiba

Додати в обране

Транзистор 2SK2843 , TO220F

Немає в наявності

42,30 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Тип каналу	N (серія π-MOSV)
Напруга Vds	600 В (Ta 25 °C)
Напруга Vgs	±30 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	10 А; імпульсний 40 А
Опір Rds(on)	0,54 Ом (тип., макс. 0,75; Vgs=10 В, Id=5 А, Ta 25 °C)
Потужність Pd	45 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	2040 пФ (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vds=10 В, Id=1 мА)
Крутизна \|Yfs\|	9,0 См (тип., Vds=10 В, Id=5 А)
Енергія лавинного пробою Eas	363 мДж (Vdd=90 В, Tch 25 °C, L=6,36 мГн, Iar=10 А)
Макс. температура каналу Tch	150 °C
Корпус	TO-220F

Додати в обране

Транзистор 2SK2749 , TO-218

Немає в наявності

98,23 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Виробник	Toshiba
Корпус	TO-218
Напруга Vdss	900 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	7 А (Ta 25 °C)
Струм стоку імпульсний Idp	21 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)	1,6 Ом тип., 2,0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Напруга затвор-витік Vgss	±30 В (Ta 25 °C)
Потужність Pd	150 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу	150 °C
Крутизна \|Yfs\|	5,0 См тип. (Vds 10 В, Id 3,5 А)

Додати в обране

Транзистор 2SK170

Немає в наявності

27,26 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Тип каналу	N (JFET)
Напруга Vgds	-40 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Idss	2,6–20 мА (Vds=10 В, Vgs=0; GR 2,6–6,5, BL 6,0–12, V 10–20 мА)
Напруга відсічки Vgs(off)	-0,2…-1,5 В (Vds=10 В, Id=0,1 мкА)
Крутизна \|Yfs\|	22 мСм (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 кГц)
Вхідна ємність Ciss	30 пФ (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 МГц)
Прохідна ємність Crss	6 пФ (тип., Vdg=10 В, Id=0, f=1 МГц)
Шум En	0,95 нВ/√Гц (тип., Vds=10 В, Id=1 мА, f=1 кГц)
Струм витоку затвора Igss	-1,0 нА (макс., Vgs=-30 В, Vds=0)
Корпус	TO-92

Додати в обране

Транзистор 2N7002 , sot23

Немає в наявності

5,17 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	60 В (TA 25 °C)
Напруга Vgs	±20 В (TA 25 °C)
Струм стоку Id	300 мА (TA 25 °C); імпульсний 1200 мА
Потужність Pd	350 мВт (TA 25 °C, на платі з оксиду алюмінію 10x8x0,6 мм)
Вхідна ємність Ciss	18 пФ (тип., Vds 25 В, Vgs 0, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	1,1–2,35 В (Vds=Vgs, Id=250 мкА, TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SOT-23

Демонтаж

Додати в обране

Рядковий трансформатор FCK-14A033 ( FCK14A033 , FSV14A001 , FSV-14A001 , FSA38026S ) оригінал демонтаж

Немає в наявності

477,05 ₴

Параметр	Значення
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

TT2222 транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор TT2222 , TO220F оригінал

Немає в наявності

173,90 ₴

Параметр	Значення
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

TT2202 NPN транзистор TO-3PMLH, фото маркування

Додати в обране

Транзистор TT2202 , TO-3PMLH

Немає в наявності

98,70 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, вбудований демпферний діод
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	10 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	25 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	80 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE1 (мін.)	15 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	3 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А)
Час спаду tf	0,3 мкс макс. (Ic 5 А, Ib1 1 А, Ib2 –2 А)
Корпус	TO-3PMLH

TT2170 NPN транзистор TO220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор TT2170 оригінал , TO220F

Немає в наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, вбудований демпферний діод
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	5 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	12 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	25 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE1 (мін.)	10 (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	3 В макс. (Ic 2,7 А, Ib 0,54 А)
Час спаду tf	0,3 мкс макс. (Ic 1,8 А, Ib1 0,36 А, Ib2 –0,72 А)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин