Магазин
Транзистор TIP107 , TO220
Немає в наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 15 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 80 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 1000 (Ic 3 А, Vce 4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2 В макс. (Ic 3 А, Ib 6 мА) |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор STX112 , to92
Немає в наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, монолітний Дарлінгтон з антипаралельним діодом колектор–емітер |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (Ie 0) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (Ib 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (імпульсний Icm 4 А) |
| Потужність Ptot | 1,2 Вт (Tamb 25 °C) |
| hFE | мін. 1000 (Ic 1 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | 2,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 8 мА) |
| Vbe(on) | 2,8 В макс. (Ic 2 А, Vce 4 В) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор ST2001HI оригінал
Немає в наявності
81,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | ISOWATT218 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 600 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (Ic = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| Імпульсний струм Icm | 20 А (tp < 5 мс) |
| Струм бази Ib | 7 А |
| Потужність Ptot | 55 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А) |
| Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс тип. / 0,4 мкс макс. (Ic = 5 А) |
| Напруга ізоляції Visol | 2500 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SS8550C (SS8550D ) , to92
Немає в наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vceo | -25 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1,5 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 1 Вт (TA 25 °C, плата FR-4 76 x 114 x 1,57 мм) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE, клас C | 120 – 200 (Ic = -100 мА, Vce = -1 В) |
| Vce(sat) | -0,50 В макс. (Ic = -800 мА, Ib = -80 мА) |
| Vbe(sat) | -1,20 В макс. (Ic = -800 мА, Ib = -80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce = -10 В, Ic = -50 мА) |
Транзистор SS8050C ( SS8050S , ST8050D , 2SC8050 ) ,to92
Немає в наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vceo | 25 В (Ic = 2 мА, Ib = 0, Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 1 Вт (Ta 25 °C, плата FR-4 76 x 114 x 1,57 мм) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE, клас C | 120 – 200 (Ic = 100 мА, Vce = 1 В) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic = 800 мА, Ib = 80 мА) |
| Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic = 800 мА, Ib = 80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce = 10 В, Ic = 50 мА) |
Транзистор PDTA114TT smd
Немає в наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP з вбудованим резистором |
| Вхідний резистор R1 | 7–13 кОм (тип. 10 кОм; Tamb 25 °C) |
| Напруга Vceo | -50 В (база відкрита) |
| Напруга Vcbo | -50 В (емітер відкритий) |
| Напруга Vebo | -5 В (колектор відкритий) |
| Вихідний струм Io | -100 мА |
| Потужність Ptot | 250 мВт (SOT23, Tamb ≤ 25 °C, плата FR4) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200 (мін.; Vce -5 В, Ic -1 мА, Tamb 25 °C) |
| Корпус | SOT-23 |
| Корпус (докладно) | SOT23 (TO-236AB) |
Транзистор MPSA92 , to92
Немає в наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5,0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -500 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,5 В (макс.; Ic -20 мА, Ib -2,0 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (мін.; Vce -20 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MMBT3904 , sot23
Немає в наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 60 В (відкритий емітер) |
| Напруга Vceo | 40 В (відкрита база) |
| Напруга Vebo | 6 В (відкритий колектор) |
| Струм колектора Ic | 200 мА (DC) |
| Потужність Ptot | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (VCE 1 В, IC 10 мА) |
| Гранична частота fT | 300 МГц (мін.; IC 10 мА, VCE 20 В, f 100 МГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор MJE13003 , to92
Немає в наявності
12,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 700 В |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 1.5 А (DC) |
| Імпульсний струм колектора | 3 А |
| Струм бази Ib | 0.75 А |
| Потужність Pc | 20 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 9–38 (VCE 2 В, IC 0,5 А) |
| Vce(sat) | 1 В макс. (IC 1 А, IB 0,25 А) |
| Гранична частота fT | 4 МГц мін. (VCE 10 В, IC 0,1 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор MD2310FX оригінал ( ST2310HI )
Немає в наявності
78,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 14 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 21 А (tp < 5 мс) |
| Струм бази Ib | 7 А |
| Потужність Ptot | 62 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 2.5 В макс. (IC 7 А, IB 1,75 А) |
| hFE | 6 мін. (IC 7 А, VCE 5 В) |
| Напруга ізоляції (RMS) | 2500 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MD2103DFX оригінал
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 9 А (tp < 5 мс) |
| Струм бази Ib | 3 А |
| Потужність Ptot | 52 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В макс. (IC 3 А, IB 0,75 А, Tcase 25 °C) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1.5 В макс. (IC 3 А, IB 0,75 А) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vf | 2 В макс. (IF 3 А) |
| Вбудований діод | є (вільного ходу) |
| Напруга ізоляції (RMS) | 2500 В (від усіх трьох виводів до радіатора) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUV48A , TO-3P оригінал
Немає в наявності
159,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Біполярний транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUT11APX , TO220F
Немає в наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 450 В (база розімкнена) |
| Напруга колектор–емітер, пікова Vcesm | 1000 В (VBE = 0 В) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1000 В (емітер розімкнений) |
| Струм колектора Ic (постійний) | 5 А |
| Струм колектора, пік Icm | 10 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 32 Вт (Ths 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В макс. (Ic = 3,0 А; Ib = 0,6 А) |
| Час спаду tf | 160 нс макс. / 145 нс тип. (Icsat = 2,5 А; Ib1 = 0,5 А; Ib2 = 0,8 А) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Ізоляційна напруга Visol | 2500 В (RMS, 50–60 Гц) |
| Корпус | SOT186A (TO-220F, ізольований) |
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
Демонтаж
Транзистор BU941P ( BU941ZP , BU941 ) оригінал демонтаж, TO218
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Напруга колектор–база Vcbo | 500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Vceo(sus) мін. при Ib = 50 мА) |
| Струм колектора Ic (постійний) | 15 А |
| Струм колектора, пік Icm | 30 А |
| Потужність розсіювання Pc | 155 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.6 В макс. (Ic = 8 А; Ib = 100 мА) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 300 мін. (Ic = 5 А; Vce = 10 В) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vecf | 2.5 В макс. (If = 10 А) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор BU931P ( BU931 ) оригінал демонтаж, TO247
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон (AEC-Q101) |
| Напруга Vces | 500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 400 В (IB = 0) |
| Струм Ic | 15 А |
| Струм Icm | 30 А |
| Потужність Ptot | 135 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.6 В макс. (Ic = 7 А; Ib = 70 мА; Tc = 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 300 мін. (Ic = 5 А; Vce = 10 В) |
| Пряма напруга діода Vf | 2.5 В макс. (If = 10 А) |
| Час спаду tf | 0.5 мкс тип. |
| Час розсмоктування ts | 15 мкс тип. |
| Температура переходу | –65…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BU4508DX оригінал
Немає в наявності
54,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Струм Ic | 8 А (Ta = 25 °C) |
| Струм Icm | 15 А (Ta = 25 °C) |
| Потужність Pc | 45 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3.0 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 1,25 А; Tc = 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 7 мін. (Ic = 0,5 А; Vce = 5 В), 4.2 мін. (Ic = 5 А; Vce = 5 В) |
| Пряма напруга діода Vf | 2.2 В макс. (If = 5 А) |
| Час спаду tf | 0.4 мкс макс. (Ic = 5 А; Ib1 = 1,0 А; Ib2 = –2,5 А) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU2525AF оригінал
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Струм Ic | 12 А (усереднений за 20 мс) |
| Струм Icm | 30 А (Ths 25 °C) |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic = 8 А; Ib = 1,6 А) |
| Час спаду tf | 0.2 мкс тип., 0.35 мкс макс. |
| Ізоляційна напруга Visol | 2500 В (повторювана, RH ≤ 65 %) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Корпус | SOT199 |
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU2508AF оригінал ( BU508AF )
Немає в наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (Vbe = 0, Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 700 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 7.5 В |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Струм колектора імпульсний Icm | 15 А |
| Струм бази Ib | 4 А |
| Потужність розсіювання Pc | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2.5 °C/Вт (макс.) |
| Vce(sat) (макс.) | 1.0 В (Ic = 4.5 А, Ib = 1.1 А) |
| Vbe(sat) (макс.) | 1.1 В (Ic = 4.5 А, Ib = 1.7 А) |
| Струм відсічки Ices (макс.) | 1.0 мА (Vce 1500 В, Vbe 0; 2.0 мА при Tc 125 °C) |
| Вихідна ємність Cob | 80 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BF423 , to92
Немає в наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -250 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -250 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -50 мА (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE (мін.) | 50 (Vce -20 В, Ic -25 мА) |
| Vce(sat) (макс.) | -0.6 В (Ic -30 мА, Ib -5 мА) |
| Vbe (тип.) | -0.75 В (Vce -20 В, Ic -25 мА) |
| Гранична частота fT (мін.) | 60 МГц (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Прохідна ємність Cre (макс.) | 1.6 пФ (Vcb -30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | KEC |
Транзистор BF422 , to92
Немає в наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 250 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 250 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE (мін.) | 50 (Vce 20 В, Ic 25 мА) |
| Vce(sat) (макс.) | 0.6 В (Ic 30 мА, Ib 5 мА) |
| Vbe (тип.) | 0.75 В (Vce 20 В, Ic 25 мА) |
| Гранична частота fT (мін.) | 60 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Прохідна ємність Cre (макс.) | 1.6 пФ (Vcb 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | KEC |
Транзистор BF420 , to92
Немає в наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор-база Vcbo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер-база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 50 мін. (Vce 20 В, Ic 25 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.6 В макс. (Ic 30 мА, Ib 5 мА) |
| Напруга база-емітер Vbe | 0.75 В тип. (Vce 20 В, Ic 25 мА) |
| Гранична частота fT | 60 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Прохідна ємність Cre | 1.6 пФ макс. (Vcb 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | KEC |
Транзистор BDX54C
Немає в наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, складений транзистор Дарлінгтона |
| Напруга колектор-емітер Vceo | -100 В (Ib = 0) |
| Напруга колектор-база Vcbo | -100 В (Ic = 0) |
| Напруга емітер-база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -8 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | -12 А |
| Струм бази Ib | -0.2 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2.08 °C/Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | -2 В макс. (Ic = 3 А, Ib = 12 мА, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 750 мін. (Ic = 3 А, Vce = 3 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Транзистор BDW93C (n-p-n 100V,12A,80W,составний) , TO220 ( 2N6488 )
Немає в наявності
38,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон (з вбудованим діодом колектор–емітер) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Струм колектора Ic | 12 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 15 А |
| Потужність розсіювання Pd | 80 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.56 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Транзистор BD679A (n-p-n 80V,4A,40W)
Немає в наявності
13,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон (з вбудованим зустрічно-паралельним діодом колектор–емітер) |
| Напруга Vceo(sus) | 80 В (Ic 50 мА, Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 80 В (IE = 0) |
| Струм колектора Ic | 4 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 6 А |
| Потужність розсіювання Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 750 (мін., Ic 2 А, Vce 3 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.8 В (макс., Ic 2 А, Ib 40 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |