Магазин

Показано 4945–4968 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Транзистор 2SD2092 оригінал

Немає в наявності

34,78 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, епітаксіальний кремнієвий
Напруга колектор–база Vcbo100 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo100 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo7 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic3 А (постійний, Tc 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp5 А (Tc 25 °C)
Струм бази Ib1 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc25 Вт (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc (на повітрі)2,0 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE500–1500 (Vce 1 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)0,3 В макс. (Ic 1 А, Ib 10 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)1,2 В макс. (Ic 1 А, Ib 10 мА)
Гранична частота fT140 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
Вихідна ємність Cob30 пФ тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусSC-67 (TOSHIBA 2-10R1A)
СтанОригінал

Транзистор 2SD2058 (60V,3A,25W) , TO220F демонтаж

Немає в наявності

25,85 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–база Vcbo60 В (емітер розімкнений)
Напруга колектор–емітер Vceo60 В (база розімкнена)
Напруга емітер–база Vebo7 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic3 А
Струм бази Ib0,5 А
Потужність розсіювання Pc25 Вт (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc (на повітрі)1,5 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFEмін. 60 (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
КорпусTO-220F
СтанДемонтаж б/в

Транзистор 2SD2058 (60V,3A,25W) , TO220F

Немає в наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-220F
Напруга Vcbo60 В (емітер розімкнений)
Напруга Vceo60 В (база розімкнена)
Напруга Vebo7 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic3 А
Струм бази Ib0,5 А
Потужність Pc25 Вт (Tc 25 °C)
Потужність Pc (Ta)1,5 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)1,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,2 А, Tj 25 °C)
hFE60 мін. (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Гранична частота fT3,0 МГц (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Вихідна ємність Cob35 пФ (f 1 МГц, Vcb 10 В)

Транзистор 2SD1886 оригінал

Немає в наявності

55,46 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-3PML
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vceo800 В (база розімкнена)
Напруга Vebo6 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic8 А
Імпульсний струм Icm30 А
Потужність Pc70 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А, Tj 25 °C)
hFE (1)8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
hFE (2)5–10 (Ic 6 А, Vce 5 В)
Час спаду tf0,3 мкс макс. (тип. 0,1 мкс)
СтанОригінал

Транзистор 2SD1880

Немає в наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSanyo
КорпусTO-3PML
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic8 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp30 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc70 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1.2 А)
Vbe(sat)1.5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1.2 А)
hFE8 мін. (Vce 5 В, Ic 1 А)
Vf демпферного діода2.0 В (If 8 А)
Час спаду tf0.1 мкс тип. (макс. 0.3 мкс)

Транзистор 2SD1878 оригінал

Немає в наявності

45,59 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, вбудований демпферний діод
ВиробникSanyo
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic5 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp20 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc60 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А)
Напруга насичення Vbe(sat)1.5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE8 мін. (Vce 5 В, Ic 1 А)
Пряма напруга демпферного діода Vf2.0 В (If 5 А)
Час спаду tf0.1 мкс тип. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 –1.6 А)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал

Транзистор 2SD1853

Немає в наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, Дарлінгтон
ВиробникSanyo
Напруга колектор–база Vcbo80 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo60 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic1,5 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp3 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc0,7 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE1000 мін. (Vce 2 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)1,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 2 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)2,0 В макс. (Ic 1 А, Ib 2 мА)
КорпусTO-92

Транзистор 2SD1804 (50V,8A,20W) , D-Pak

Немає в наявності

26,32 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–база Vcbo60 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo50 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo6 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic5 А (постійний; Tc 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp8 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc20 Вт (Tc 25 °C; у повітрі 1,0 Вт)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE70–400 (Vce 2 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)0,4 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,15 А)
Напруга насичення Vbe(sat)1,3 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,15 А)
Гранична частота fT180 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А)
Вихідна ємність Cob40 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусTO-252 (D-PAK)

Транзистор 2SD1651 (2SD1651C) оригінал

Немає в наявності

72,38 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN (кремнієвий, вбудований демпферний діод)
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (емітер відкритий)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (база відкрита)
Напруга емітер–база Vebo6 В (колектор відкритий)
Струм колектора Ic5 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vbe(sat)макс. 1,5 В (Ic 4 А, Ib 0,8 А; Tj 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFEмін. 8 (Ic 1 А, Vce 5 В)
Пряма напруга демпферного діода Vf2,0 В (If 5 А)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал

Транзистор 2SD1616 ( 2SD1616A ) , to92

Немає в наявності

10,34 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo120 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo60 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic1 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd750 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт hFE135–600 (Ic 100 мА; Vce 2 В; групи L 135–270, K 200–400, U 300–600)
Коефіцієнт hFE (Ic 1 А)мін. 81 (Vce 2 В)
Напруга насичення Vce(sat)макс. 0,3 В (Ic 1 А; Ib 50 мА)
Напруга Vbe(sat)макс. 1,2 В (Ic 1 А; Ib 50 мА)
Гранична частота fTмін. 100 МГц (Vce 2 В; Ic 100 мА)
Вихідна ємність Cobмакс. 19 пФ (Vcb 10 В; Ie 0; f 1 МГц)
КорпусTO-92

Транзистор 2SD1175 оригінал демонтаж

Немає в наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vces1500 В (Vbe 0, Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic5 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd100 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj130 °C
Напруга насичення Vce(sat)макс. 6,0 В (Ic 5,0 А; Ib 1,0 А; Tc 25 °C)
Напруга Vbe(sat)макс. 1,5 В (Ic 5,0 А; Ib 1,0 А; Tc 25 °C)
Коефіцієнт hFE6–20 (Ic 5 А; Vce 10 В; Tc 25 °C)
Пряма напруга діода C-Eмакс. 2,5 В (If 5 А; Tc 25 °C)
Час розсмоктування tstgмакс. 12 мкс (Ic 5 А; Ib1 = Ib2 = 1 А)
Час спаду tfмакс. 0,7 мкс (Ic 5 А; Ib1 = Ib2 = 1 А)
Вбудований демпферний діодє
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5905 оригінал демонтаж

Немає в наявності

106,22 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo600 В (база розімкнена, Tc 25 °C)
Напруга Vces1700 В (E-B закорочені, Tc 25 °C)
Напруга Vcbo1700 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo7 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic20 А (постійний, Tc 25 °C)
Потужність Pd70 Вт (Tc 25 °C; 3.5 Вт при Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт hFE5–12 (Ic 10 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)макс. 3 В (Ic 10 А, Ib 2.5 А)
Напруга Vbe(sat)макс. 1.5 В (Ic 10 А, Ib 2.5 А)
Гранична частота fTмін. 3 МГц (Vce 10 В, Ic 0.1 А, f 0.5 МГц)
Час розсмоктування tstgмакс. 3.0 мкс (Ic 10 А, Ib1 2.5 А, Ib2 –5.0 А, резистивне навантаження)
Час спаду tfмакс. 0.2 мкс (Ic 10 А, Ib1 2.5 А, Ib2 –5.0 А)
КорпусTOP-3E-A1
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5698

Немає в наявності

139,12 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic8 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd65 Вт (Tc 25 °C; 3 Вт при Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)макс. 3 В (Ic 4.5 А, Ib 1.13 А, Ta 25 °C)
Напруга Vbe(sat)макс. 1.5 В (Ic 4.5 А, Ib 1.13 А, Ta 25 °C)
Коефіцієнт hFE4–7 (Ic 5 А, Vce 5 В, Ta 25 °C)
Час розсмоктування tstg3.0 мкс (Ic 3 А, Ib1 0.6 А, Ib2 –1.2 А)
Час спаду tf0.2 мкс (Ic 3 А, Ib1 0.6 А, Ib2 –1.2 А)
Пряма напруга демпферного діода Vfмакс. 2 В (Iec 6.5 А)
Вбудований демпферний діодє
КорпусTO-3PMLH

Транзистор 2SC5696

Немає в наявності

63,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo1600 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic12 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd85 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)макс. 3 В (Ic 7.2 А, Ib 1.8 А, Tc 25 °C)
Напруга Vbe(sat)макс. 1.8 В (Ic 7.2 А, Ib 1.8 А, Tc 25 °C)
Коефіцієнт hFE3–11 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C)
Коефіцієнт hFE (друга точка)4–7 (Ic 8 А, Vce 5 В, Tc 25 °C)
Струм Icboмакс. 100 мкА (Vcb 1500 В, Ie 0, Tc 25 °C)
Вбудований демпферний діодє

Транзистор 2SC5411 оригінал

Немає в наявності

72,85 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникToshiba
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo600 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В
Струм колектора Ic14 А (постійний)
Імпульсний струм колектора Icp28 А
Потужність розсіювання Pc60 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE10–40 (Ic 2 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)3 В (максимум, Ic 11 А, Ib 2,75 А)
Гранична частота fT2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Вихідна ємність Cob190 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусTOSHIBA 2-16E3A
СтанОригінал

Транзистор 2SC5386 оригінал (без R и без VD)

Немає в наявності

78,49 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникToshiba
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo600 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В
Струм колектора Ic8 А (постійний)
Імпульсний струм колектора Icp16 А
Потужність розсіювання Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE15–35 (Ic 1 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)3 В (максимум, Ic 6 А, Ib 1,5 А)
Гранична частота fT1,7 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Вихідна ємність Cob105 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусTOSHIBA 2-16E3A
СтанОригінал

Транзистор 2SC5253, TO220F

Немає в наявності

98,23 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
ТипБіполярний транзистор

Транзистор 2SC5144 , TO264

Немає в наявності

62,98 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1700 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo600 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic20 А (постійний)
Імпульсний струм Icm40 А
Потужність Pc200 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE10–30 (Ic 2 А, Vce 5 В)
hFE при великому струмі4,5 мін. (Ic 11 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)3,0 В макс. (Ic 11 А, Ib 2,75 А, Tc 25 °C)
КорпусTO-264

Транзистор 2SC4804

Немає в наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo900 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C)
Напруга Vceo600 В (база розімкнена, Ta 25 °C)
Напруга Vebo7 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic3 А (постійний)
Імпульсний струм Icm5 А
Потужність Pd30 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE10 мін. (Ic 0,8 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)0,6 В макс. (Ic 0,8 А, Ib 0,16 А, Tj 25 °C)
КорпусTO-220F
ВиробникSavantIC

Транзистор 2SC4458 , TO-3PML оригінал

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo7 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic7 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp14 А (PW ≤ 300 мкс, шпаруватість ≤ 10 %)
Потужність Pc45 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE115–50 (Vce 5 В, Ic 0.6 А)
Напруга насичення Vce(sat)1 В макс. (Ic 3 А, Ib 0.6 А)
Гранична частота fT18 МГц (Vce 10 В, Ic 0.6 А)
КорпусTO-3PML
ВиробникSanyo
СтанОригінал

Транзистор 2SC4242 (450V,7A,40W),TO220

Немає в наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo400 В
Напруга Vcbo450 В
Струм Ic7 А
Pc40 Вт (Tc 25 °C)
hFE10 (мін., IC=4 А, VCE=5 В)
Vce(sat)0,8 В (макс., IC=4 А, IB=0,8 А)
Tj150 °C
КорпусTO-220C
ВиробникSPTECH

Транзистор 2SC4204

Немає в наявності

18,80 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSanyo
Напруга колектор–емітер Vceo25 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo30 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo15 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic0.7 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp1.5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc0.6 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE1800–3200, typ 1500 (Vce 5 В, Ic 50 мА)
hFE2від 600 (Vce 5 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)0.15 В typ, 0.50 В макс. (Ic 500 мА, Ib 10 мА)
Гранична частота fT270 МГц typ (Vce 10 В, Ic 50 мА)
Вихідна ємність Cob9 пФ typ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусTO-92

Транзистор 2SC3866

Немає в наявності

68,62 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSPTECH
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo900 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo10 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic3 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc40 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFEне менше 10 (Ic 1 А, Vce 5 В)
Vce(sat)не більше 1.0 В (Ic 1 А, Ib 0.2 А)
КорпусTO-220F

Транзистор 2SC3320 оригінал , TO-3P

Немає в наявності

85,54 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникOSEN
Напруга колектор–емітер Vceo400 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo700 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo9 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic15 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc80 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE20–35 (Ic 2 А, Vce 5 В)
Vce(sat)0.3 В typ, 1.0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А)
Гранична частота fTвід 4 МГц (Vce 10 В, Ic 0.5 А, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал