Магазин

Показано 4969–4992 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Транзистор 2SC3203 (KTC3203)

Немає в наявності

11,28 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, епітаксіально-планарний, кремній
Напруга колектор–емітер Vceo30 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo35 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic800 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Ptot600 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE100–200 (O); 160–320 (Y) (Vce 1 В, Ic 100 мА)
hFE (мінімум)35 (Vce 1 В, Ic 700 мА)
Напруга насичення Vce(sat)0.5 В (макс., Ic 500 мА, Ib 20 мА)
Гранична частота fT120 МГц (typ, Vce 5 В, Ic 10 мА)
Вихідна ємність Cob13 пФ (typ, Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусTO-92

Транзистор 2SC2688 (300V-0,2A-10W)

Немає в наявності

21,15 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–емітер Vceo300 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo300 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic200 мА (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc1.25 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE40–250 (Vce 10 В, Ic 10 мА; N 40–80, M 60–120, L 100–200, K 160–250)
Напруга насичення Vce(sat)0.5 В (макс., Ic 50 мА, Ib 5 мА)
Гранична частота fT50 МГц (мін., Vce 30 В, Ic 10 мА)
КорпусSOT-32 (TO-126)

Транзистор 2SC2335 (400V,7A,40W) , TO220 ( 2SC3309 , 2SC4160 , 2SC4161 )

Немає в наявності

33,84 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN, кремнієвий потужний
Напруга колектор–емітер Vceo400 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo500 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo7.0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic7.0 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm15 А
Струм бази Ib3.5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pc40 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Тепловий опір перехід–корпус3.125 °C/Вт (макс.)
Напруга насичення Vce(sat)1.0 В (макс., Ic 3 А, Ib 0.6 А)
Коефіцієнт підсилення hFE20–80 (Ic 1 А, Vce 5 В; групи M 20–40, L 30–60, K 40–80)
Час спаду tf1.0 мкс (макс., Ic 3 А, Rl 50 Ом, Ib1 = –Ib2 = 0.6 А, Vcc 150 В)
КорпусTO-220

Транзистор 2SC2240

Немає в наявності

16,45 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-92
Напруга колектор–база Vcbo120 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo120 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5.0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic100 мА (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc300 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE200–700 (Vce 6 В, Ic 2 мА; GR 200–400, BL 350–700)
Напруга насичення Vce(sat)0.1 В (Ic 10 мА, Ib 1 мА)

Транзистор 2SC2229

Немає в наявності

11,75 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-92MOD
Напруга колектор–база Vcbo200 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo150 В мін. (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic50 мА (Ta 25 °C)
Струм бази Ib20 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc800 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE70–240 (Vce 5 В, Ic 10 мА; O 70–140, Y 120–240)
Напруга насичення Vce(sat)0.5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА)
Гранична частота fT120 МГц тип. (Vce 30 В, Ic 10 мА)
Вихідна ємність Cob5 пФ макс. (тип. 3.5; Vcb 10 В, f 1 МГц)

Транзистор 2SC2078

Немає в наявності

21,62 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-220
Напруга колектор–база Vcbo80 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vcer75 В (Rbe 150 Ом, Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic3 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm5 А
Потужність розсіювання Pc1.2 Вт (Ta 25 °C); 10 Вт (Tc 50 °C)
Температура переходу Tj max150 °C
Напруга насичення Vce(sat)0.6 В макс. (Ic 1 А, Ib 0.1 А)
Коефіцієнт підсилення hFE25–200 (Ic 500 мА, Vce 5 В; групи B/C/D/E)
Гранична частота fT100 МГц мін. (Ic 500 мА, Vce 10 В)
Вихідна ємність Cob60 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Вихідна потужність Po4.0 Вт мін. (Vcc 12 В, Pin 0.2 Вт, f 27 МГц)

Транзистор 2SC2073

Немає в наявності

35,25 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–емітер Vceo150 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo150 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5.0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic1.5 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc25 Вт (Tc 25 °C; 2,0 Вт при Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE40–140 (тип. 75, Vce 10 В, Ic 500 мА)
Напруга насичення Vce(sat)1.5 В (макс., Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT4.0 МГц (тип., Vce 10 В, Ic 500 мА)
Вихідна ємність Cob35 пФ (тип., Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
КорпусTO-220

Транзистор 2SC2061

Немає в наявності

31,49 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–емітер Vceo80 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo80 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic700 мА (Ta 25 °C; імпульсний 1 А, Pw 20 мс, скважність 1/2)
Потужність розсіювання Pc750 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj125 °C
Коефіцієнт підсилення hFE82–390 (Vce 3 В, Ic 100 мА; ранги P 82–180, Q 120–270, R 180–390)
Напруга насичення Vce(sat)0.4 В (макс., тип. 0,2 В, Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT120 МГц (тип., Vce 10 В, Ie −50 мА)
Вихідна ємність Cob10 пФ (тип., макс. 15, Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
КорпусTO-92L

Транзистор 2SC2001

Немає в наявності

6,58 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–емітер Vceo25 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo30 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic700 мА (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc600 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE90–400 (Vce 1 В, Ic 100 мА; ранги M 90–180, L 135–270, K 200–400)
Напруга насичення Vce(sat)0.6 В (макс., Ic 700 мА, Ib 70 мА)
Гранична частота fT50 МГц (мін., Vce 6 В, Ic 10 мА, f 30 МГц)
КорпусTO-92

Транзистор 2SC1473

Немає в наявності

3,76 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–емітер Vceo200 В (база розімкнена)
Напруга колектор–база Vcbo250 В (емітер розімкнений)
Напруга емітер–база Vebo7 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic70 мА (Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp100 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc750 мВт (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE60–220 (Vce 10 В, Ic 5 мА)
Напруга насичення Vce(sat)1.2 В (макс.; Ic 50 мА, Ib 5 мА)
Гранична частота fT80 МГц (тип., мін. 50; Vcb 10 В, Ie −10 мА, f 200 МГц)
Вихідна ємність Cob10 пФ (макс.; Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-92 (TO-92-B1, EIAJ SC-43A)

Транзистор 2SC1027

Немає в наявності

16,45 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–емітер Vceo80 В (база розімкнена)
Напруга колектор–база Vcbo250 В (емітер розімкнений)
Напруга емітер–база Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic6 А
Потужність розсіювання Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE10 (мін.; Ic 5 А, Vce 2 В)
Напруга насичення Vce(sat)1.0 В (макс.; Ic 5 А, Ib 0,5 А, Tj 25 °C)
Напруга насичення Vbe(sat)1.5 В (макс.; Ic 5 А, Ib 0,5 А, Tj 25 °C)
Зворотний струм колектора Icbo0.1 мА (макс.; Vcb 250 В, Ie 0)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3

Транзистор 2SC1008Y , to92

Немає в наявності

6,58 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–емітер Vceo60 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0)
Напруга колектор–база Vcbo80 В (Ta 25 °C; Ic 10 мкА, Ie 0)
Струм колектора Icm700 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc800 мВт (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE (група Y)120–240
Напруга насичення Vce(sat)0,4 В (макс.; Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT30 МГц (мін.; Vce 10 В, Ib 50 мА, f 100 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-92

Транзистор 2SB772 , TO126 ( 3CA8772 , CA8772 )

Немає в наявності

11,28 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга колектор–емітер Vceo-30 В (Ta 25 °C; Ic -10 мА, Ib 0)
Напруга колектор–база Vcbo-40 В (Ta 25 °C; Ic -100 мкА, Ie 0)
Струм колектора Ic-3 А (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE60–400 (Vce -2 В, Ic -1 А)
Гранична частота fT50 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -0,1 А, f 10 МГц)
КорпусSOT-32 (TO-126)

Транзистор 2SB734

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга колектор–емітер Vceo-50 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo-60 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-1,0 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd1,0 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE1135–600 (тип. 250; Vce -2 В, Ic -100 мА)
Напруга насичення Vce(sat)-0,35 В тип., макс. -0,60 В (Ic -1 А, Ib -50 мА)
Гранична частота fT80 МГц тип., мін. 50 МГц (Vce -2 В, Ie 10 мА)
ВиробникNEC

Транзистор 2SB631K

Немає в наявності

27,26 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга колектор–емітер Vceo-120 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo-120 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-1 А (Ta 25 °C; імпульсний -2 А)
Потужність розсіювання Pd8 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE60–320 (Vce -5 В, Ic -50 мА)
Напруга насичення Vce(sat)-0,15 В тип., макс. -0,4 В (Ic -500 мА, Ib -50 мА)
Гранична частота fT110 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -50 мА)
КорпусSOT-32 (TO-126)
ВиробникSANYO (onsemi)

Транзистор 2SA958 , TO220

Немає в наявності

52,17 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-200 В (Ta 25 °C; V(BR)CEO мін. при Ic -25 мА, Ib 0)
Напруга Vcbo-200 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-2 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd30 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE40 (мін., Ic -0,7 А, Vce -10 В)
Напруга насичення Vce(sat)-1,5 В (макс., Ic -0,7 А, Ib -70 мА)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220

Транзистор 2SA935

Немає в наявності

9,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-80 В (V(BR)CEO, IC -2 мА, IB = 0)
Напруга Vcbo-80 В (V(BR)CBO, IC -50 мкА, IE = 0)
Імпульсний струм колектора ICM-0.7 А
Коефіцієнт підсилення hFE82–390 (VCE -3 В, IC -100 мА)
Напруга насичення Vce(sat)-0.4 В (макс., IC -500 мА, IB -50 мА)
Потужність розсіювання Pd0.75 Вт (Tamb 25 °C)
Гранична частота fT100 МГц (мін., VCE -10 В, IC -50 мА)
Діапазон температур переходу і зберігання-55…+150 °C
КорпусTO-92L

Транзистор 2SA1046 , TO220F

Немає в наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP, Дарлінгтон
Напруга Vceo-100 В (V(BR)CEO мін., IC -10 мА)
Напруга Vcbo-100 В
Струм колектора Ic-15 А (постійний)
Коефіцієнт підсилення hFE3000 (мін., IC -3 А, VCE -3 В)
Потужність розсіювання Pd100 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220F

Транзистор 2N3906 , to92

Немає в наявності

2,82 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-40 В (IC -1 мА, IB = 0)
Напруга Vcbo-40 В (IC -10 мкА, IE = 0)
Коефіцієнт підсилення hFE100–300 (VCE -1 В, IC -10 мА)
Напруга насичення Vce(sat)-0.4 В (макс., IC -50 мА, IB -5 мА)
Потужність розсіювання Pd625 мВт (Ta 25 °C, виводова рамка з Cu)
Гранична частота fT250 МГц (мін., VCE -20 В, IC -10 мА, f 100 МГц)
КорпусTO-92

Транзистор 2N2907A ( 2907A , KSP2907A , PN2907A ) , to92

Немає в наявності

4,70 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo60 В (2N2907A, IC 10 мА)
Напруга Vcbo60 В
Струм колектора Ic600 мА (постійний)
Коефіцієнт підсилення hFE100–300 (VCE 10 В, IC 150 мА)
Напруга насичення Vce(sat)0.4 В (макс., IC 150 мА, IB 15 мА)
Потужність розсіювання Pd625 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT200 МГц (мін., IC 50 мА, VCE 20 В, f 100 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-92

Транзистор 2N2222A ( KSP2222A ) , to92

Немає в наявності

3,29 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo40 В (IC 10 мА, IB = 0)
Напруга Vcbo75 В (IC 10 мкА, IE = 0)
Струм колектора Ic0.6 А (постійний, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE100–300 (VCE 10 В, IC 150 мА)
Напруга насичення Vce(sat)0.3 В (макс., IC 150 мА, IB 15 мА)
Потужність розсіювання Pd625 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT300 МГц (мін., VCE 20 В, IC 20 мА, f 100 МГц)
КорпусTO-92

DC-DC перетворювач підвищуючий MT3608 (Uвх=2-24V / Uвих= >2-28V ,Iвих= 2,0А , розмір плати 36x17x14мм)

Немає в наявності

57,34 ₴
ПараметрЗначення
Типпідвищуючий (boost) DC-DC модуль
МікросхемаMT3608
Вхідна напруга модуля2–24 В
Вихідна напруга модуля>2–28 В
Вихідний струм модуля2,0 А
Розмір плати36x17x14 мм
Корпус мікросхемиSOT23-6
Частота перемикання1,2 МГц (тип.)
Струмовий захист ключа4 А (VIN=5 В, Duty cycle=50 %, тип.)

Регулятор потужності 4000W на BTA41-600B

Немає в наявності

218,08 ₴

Кнопка мережева для пилососа KAN-L5 12A/250V 2 контакти

Немає в наявності

195,99 ₴
ПараметрЗначення
МаркуванняKAN-L5
Номінальний струм12 А при 250 В
Номінальна напруга250 В
Кількість контактів2