Магазин

TGAN60N60F2DS IGBT TO-3P, фото маркування

Транзистор TGAN60N60F2DS ( 60N60F2DS ) оригінал, TO-3P

В наявності

197,40 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Trinno Technology
Напруга Vces	600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic	120 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C)
Vce(sat)	1,75 В тип., 2,20 В макс. (VGE 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C)
Потужність розсіювання	357 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Заряд затвора Qg	150 нКл тип. (VCC 400 В, Ic 60 А, VGE 15 В)
Вхідна ємність Cies	3250 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Діод	є, швидкий антипаралельний
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

SVG076R5NT MOSFET N-канал TO-220, фото маркування 076R5NT

Додати в обране

Транзистор SVG076R5NT ( 076R5NT ) оригінал, TO220

В наявності

237,82 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Silan Microelectronics
Тип каналу	N-канал, режим збагачення (LVMOS)
Напруга Vds	70 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	100 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	63 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	6.5 мОм макс., тип. 5.4 мОм (VGS=10 В, ID=40 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	50 нКл тип. (VDD=56 В, VGS=10 В, ID=40 А)
Вхідна ємність Ciss	3052 пФ (Vds 35 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	114 Вт (Tc 25 °C, корпус TO-220)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час відновлення діода trr	45 нс тип. (IS=40 А, VGS=0 В, dIF/dt=100 А/мкс)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STW20NA50 MOSFET TO-247, фото маркування W20NA50

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор STW20NA50 ( W20NA50 ) демонтаж, TO247

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (25 °C)	20 А
Струм стоку Id (100 °C)	12.7 А
Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 10 А)	0.27 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)	150 нКл
Вхідна ємність Ciss	3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Ptot (25 °C)	250 Вт
Корпус	TO-247
Маркування	W20NA50
Стан	Демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

STF40N60M2 MOSFET TO-220FP, фото маркування 40N60M2

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор STF40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж (заміна для SI28S60F , SIHF28N60EF, STF28NM60ND ) , TO220F

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (25 °C)	34 А
Струм стоку Id (100 °C)	22 А
Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 17 А)	0.088 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)	57 нКл
Вхідна ємність Ciss	2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Потужність Ptot (25 °C)	40 Вт
Корпус	TO-220F
Маркування	40N60M2
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

SPW35N60CFD MOSFET TO-247, фото маркування 35N60CFD

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор SPW35N60CFD ( 35N60CFD ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Infineon
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (25 °C)	34.1 А
Струм стоку Id (100 °C)	21.6 А
Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 21.6 А)	0.118 Ом
Потужність Ptot (25 °C)	313 Вт
Вхідна ємність Ciss	5060 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-247
Маркування	35N60CFD
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

OSG70R350F MOSFET N-канал TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор OSG70R350F ( OSG70R350FF ) оригінал, TO220F

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Oriental Semiconductor
Тип каналу	N-канал, режим збагачення (GreenMOS)
Напруга Vds	700 В (Tj 25 °C)
Струм стоку Id (25 °C)	12 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	7.6 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)	350 мОм макс., тип. 300 мОм (VGS=10 В, ID=6 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	16.7 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=400 В, ID=6 А)
Вхідна ємність Ciss	1007.1 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	32 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCEP15T14T MOSFET TO-247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCEP15T14T оригінал, TO247

В наявності

176,25 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	150 В
Струм стоку Id (25 °C)	140 А
Струм стоку Id (100 °C)	100 А
Опір Rds(on)	6.2 мОм макс. (тип. 5.6 мОм; VGS=10 В, ID=70 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg	80 нКл
Вхідна ємність Ciss	5500 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	320 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-247
Тип каналу	N-канал
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCEP02T10T MOSFET TO-247-3L, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCEP02T10T оригінал, TO247

В наявності

169,20 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	200 В
Струм стоку Id (25 °C)	100 А
Струм стоку Id (100 °C)	70.7 А
Опір Rds(on)	12 мОм макс. (тип. 9.5 мОм; VGS=10 В, ID=50 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.5–4.5 В
Заряд затвора Qg	87 нКл
Вхідна ємність Ciss	6000 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	300 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-247
Тип каналу	N-канал
Час відновлення діода trr	140 нс (тип.; IF=50 А, di/dt=100 А/мкс)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCE0130KA MOSFET TO-252-2L, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCE0130KA оригінал, D-PAK

В наявності

155,10 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	100 В
Струм стоку Id (25 °C)	30 А
Струм стоку Id (100 °C)	21 А
Опір Rds(on)	32 мОм макс. (тип. 25 мОм; VGS=10 В, ID=10 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1.3–2.5 В
Заряд затвора Qg	67.2 нКл
Вхідна ємність Ciss	2479 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	85 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Тип каналу	N-канал
Час відновлення діода trr	32 нс (тип.; IF=10 А, di/dt=100 А/мкс)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

MDF18N50B MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор MDF18N50B оригінал ( MDF18N50BTH )( заміна для MDF18N50G , MDF18N50 ) , TO220F

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В
Струм Id (Tc 25 °C)	18 А
Струм Id (Tc 100 °C)	11 А
Rds(on)	0,22 Ом тип., 0,27 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А, Ta 25 °C)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Qg	48 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	2490 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	37 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	MagnaChip
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IXTH48N65X2 MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор IXTH48N65X2 ( 48N65 ) оригінал демонтаж (заміна для PAJ65N950WMF )(650V,48A), TO247

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	650 В
Струм Id25	48 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	65 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj 25 °C)
Vgs(th)	3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Qg(on)	76 нКл
Вхідна ємність Ciss	4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	660 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	Littelfuse/IXYS
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

IXGR40N60C2D1 IGBT TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор IXGR40N60C2D1 оригінал демонтаж б/в (заміна для IXGH40N60C2D1 ), TO-247

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	IXYS
Напруга Vces	600 В (Tj 25–150 °C)
Струм Ic25	56 А (Tc 25 °C)
Струм Ic110	26 А (Tc 110 °C)
Vce(sat)	2.2 В тип., макс. 2.7 В (IC=30 А, VGE=15 В, Tj 25 °C)
Vge(th)	3.0–5.0 В (IC=250 мкА, VCE=VGE)
Qg	95 нКл тип. (IC=30 А, VGE=15 В, VCE=0.5Vces)
Вхідна ємність Cies	2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діод	є (швидкий FRED, у версії D1)
trr діода	25 нс тип. (IF=1 А, -di/dt=100 А/мкс, VR=30 В)
Потужність Pc	170 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

IXGR32N60CD1 IGBT TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор IXGR32N60CD1 оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	IXYS
Напруга Vces	600 В (Tj 25–150 °C)
Струм Ic25	45 А (Tc 25 °C)
Струм Ic90	28 А (Tc 90 °C)
Vce(sat)	2.3 В тип., макс. 2.7 В (IC=32 А, VGE=15 В, Tj 25 °C)
Vge(th)	2.5–5.0 В (IC=250 мкА, VCE=VGE)
Qg	110 нКл тип. (IC=32 А, VGE=15 В, VCE=0.5Vces)
Вхідна ємність Cies	2700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діод	є (швидкий, FRED)
trr діода	25 нс тип. (IF=1 А, -di/dt=100 А/мкс, VR=30 В, Tj 25 °C)
Потужність Pc	140 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

IXFH21N50Q MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор IXFH21N50Q ( IXFH21N50 , IXTH21N50 , FH21N50 ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	500 В
Струм Id25	21 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	0,25 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID = 4 мА)
Qg(on)	84 нКл
Вхідна ємність Ciss	3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	280 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	IXYS
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

HY3306P HY3306 MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор HY3306P ( HY3306 ) оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	HOOYI
Тип	MOSFET N-канал, режим збагачення
Корпус	TO-220FB-3L
Напруга Vds	60 В
Струм Id (Tc 25 °C)	130 А
Струм Id (Tc 100 °C)	84 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Ids 65 А)	5,4 мОм тип., 6,8 мОм макс.
Vgs(th)	2,0–4,0 В
Напруга Vgs макс.	±25 В
Заряд затвора Qg тип.	67 нКл
Вхідна ємність Ciss	3318 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	230 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор H40R1353 ( IHW40N135R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Позначка в документі	IHW40N135R3
Напруга Vce	1350 В (VGE=0 В, IC=0.20 мА)
Струм Ic при 25 °C	80 А (Tc 25 °C)
Струм Ic при 100 °C	40 А (Tc 100 °C)
Vce(sat)	1.65 В тип., макс. 1.85 В (IC=40 А, VGE=15 В, Tvj 25 °C)
Qg	365 нКл тип. (VCC=1080 В, IC=40 А, VGE=15 В)
Вхідна ємність Cies	2712 пФ
Вбудований діод	є (монолітний, зворотно-провідний IGBT)
Потужність Ptot	429 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

H30T100 IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор H30T100 ( IHW30N100T ) оригінал, TO-247

В наявності

564,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Напруга Vce	1000 В
Струм Ic при 25 °C	60 А
Струм Ic при 100 °C	30 А
Vce(sat)	1.55 В тип. (макс. 1.7 В) при IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C
Qg	217 нКл
Вхідна ємність Cies	3573 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діод	є, антипаралельний
Ptot	412 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

G50H603 IGW50N60H3 IGBT PG-TO247-3, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор G50H603 ( IGW50N60H3 ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Напруга Vces	600 В (Tvj 25 °C)
Струм Ic	100 А (Tc 25 °C, обмежено Tvjmax); 50 А (Tc 100 °C)
Vce(sat)	1,85 В тип., 2,30 В макс. (VGE 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C)
Заряд затвора Qg	315 нКл (Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 15 В)
Ptot	333 Вт (Tc 25 °C); 167 Вт (Tc 100 °C)
Tvj макс.	175 °C
Vge	±20 В
Вбудований діод	немає
Корпус	TO-247
Стан	Демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

G40T65AK5SD IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор G40T65AK5SD ( CRG40T65AK5SD ) оригінал, TO247

В наявності

250,04 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CRMICRO
Напруга Vces	650 В
Струм Ic при 25 °C	80 А
Струм Ic при 100 °C	40 А
Vce(sat)	1.40 В тип. (макс. 1.80 В) при IC = 40 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C
Qg	97.0 нКл
Вхідна ємність Cies	2798 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Вбудований діод	є, антипаралельний
Pd	250 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

G22N60S SiHG22N60S MOSFET TO-247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор G22N60S ( SiHG22N60S ) оригінал, TO247

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-247
Напруга Vds	600 В
Струм Id (Tc 25 °C)	22 А
Струм Id (Tc 100 °C)	13 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Id 11 А)	0,160 Ом тип., 0,190 Ом макс.
Vgs(th)	2,0–4,0 В
Напруга Vgs макс.	±30 В
Заряд затвора Qg	75 нКл тип., 115 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	2810 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	250 Вт
Діапазон Tj	-55…+150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FQF15N65CF 15N65CF транзистор TO-220F, фото

Додати в обране

Транзистор FQF15N65CF ( 15N65CF ) оригінал (заміна для 15N65DF , FQF15N60 , MDF15N60G , AOTF15S60 , FQPF15N60C , SPA15N60C3 , JCS15N60FH , SIHF15N60E , FDPF15N65 )(15A,650V), TO220F

В наявності

128,31 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Напруга Vdss	650 В
Струм стоку Id	15 А (Tc = 25 °C)
Опір каналу Rds(on)	0,65 Ом макс. (VGS = 10 В)
Заряд затвора Qg	48,5 нКл (тип.)
Потужність Pd	52 Вт (Tc = 25 °C)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FGD4536 IGBT-транзистор D-PAK, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор FGD4536 оригінал демонтаж б/в, D-PAK

В наявності

152,75 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Fairchild Semiconductor
Напруга Vces	360 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА)
Імпульсний струм колектора	220 А (TC = 25 °C)
Vce(sat)	1,59 В (макс. 1,8 В) при VGE = 15 В, IC = 50 А, TC = 25 °C
Qg	47 нКл (VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies	1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Pd	125 Вт при TC = 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

D5N65 MOSFET N-канал D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор D5N65 оригінал (5A,650V)( заміна для FQD5N65 , FQD5N60C , FCD5N60 , SVF5N65D , SVF5N60D , D5N60 , IRFU430A , IRFU420A ), D-PAK

В наявності

35,25 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (VDMOSFET)
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vds	650 В
Струм Id (TC 25 °C)	5 А
Струм Id (TC 100 °C)	3,1 А
Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 2,5 А)	1,9 Ом
Rds(on) макс.	2,4 Ом
Vgs(th) (Id 250 мкА)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg тип.	17,3 нКл
Вхідна ємність Ciss	615 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	75 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

CRTS029N06N транзистор D2PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CRTS029N06N оригінал, D2PAK

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CRMICRO
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	60 В
Rds(on)	1,9 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 80 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2,4 / 3 / 3,6 В (мін / тип / макс; Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	183 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 30 В, Id 80 А)
Вхідна ємність Ciss	7830 пФ
Потужність Pd	254 Вт при TC 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин