Магазин
Транзистор CRST060N10N оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Rds(on) | 5,3 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А; макс. 6,0 мОм) |
| Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін / тип / макс; Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 68,5 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4429 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 227 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AGM405Q , корпус PDFN-8(5×6)
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AGM-Semi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 55 А при TC 25 °C (обмежено корпусом); 33 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 4,8 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 20 А; макс. 6,5 мОм) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 7,5 мОм тип. (Id 15 А; макс. 9,5 мОм) |
| Vgs(th) | 1,2 / 1,6 / 2,2 В (мін / тип / макс; Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 28 Вт при TC 25 °C; 11 Вт при TC 100 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 775 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Демонтаж
Транзистор 6R045 ( IPW60R045CP ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolMOS CP |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds (макс.) | 600 В |
| Струм стоку Id (макс.) | 60 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 230 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) (макс.) | 45 мОм (Vgs 10 В) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 150 нКл (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В |
| Потужність розсіювання Ptot (макс.) | 431 Вт |
| Тепловий опір кристал–корпус RthJC (макс.) | 0,29 К/Вт |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60S360P7 ( IPD60R360P7S ) оригінал , D-PAK
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS P7 |
| Напруга Vds (VGS=0 В, ID=1 мА, Tj=25 °C) | 600 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 9 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 6 А |
| Імпульсний струм Id,pulse | 26 А |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В, ID=2.7 А, Tj=25 °C) | 360 мОм |
| Заряд затвора Qg (VDD=400 В, ID=2.7 А) | 13 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 555 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Vgs(th) (VDS=VGS, ID=0,14 мА) | 3…4 В |
| Потужність Ptot (TC=25 °C) | 41 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R580P ( MMF60R580P ) оригінал, TO220F
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip Semiconductor |
| Тип | N-канальний MOSFET, суперперехід |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 8 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 5 А |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В, ID=2.5 А, Tc=25 °C) | 0,58 Ом |
| Заряд затвора Qg (ID=8 А) | 18 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) (VDS=VGS, ID=250 мкА) | 2…4 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SB778+2SD998 ( B778+D998 , KTB778+KTD998 ) оригінали, TO-3P(H)IS
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 2SB778 PNP, 2SD998 NPN |
| Напруга Vceo | 120 В |
| Напруга Vcbo | 120 В |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| Потужність Pd | 80 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 55–160 |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 35 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В |
| Гранична частота fT | 10 МГц |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Стан | Оригінал |
Термостат KSD-01F-H-55°C, TO220-2pin контакти нормально розімкнені
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Температура спрацювання | 55 °C (±5 °C) |
| Форма контакту | 1H, нормально розімкнені |
| Гістерезис (різниця повернення) | 10–30 °C |
| Навантаження контактів | 220 В AC 1.5 А / 24 В DC 1.5 А |
| Опір контакту | ≤100 мОм |
| Опір ізоляції | ≥50 МОм |
| Електрична міцність ізоляції | ≥500 В AC (зазор 0.35 мм) |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Маса | <2 г |
Реле ALDP112 (5A/250V)( заміна для ALD112 , HF46F/12-HS1 , HF46F-G/12-HS1 , CU11-12S , PCJ-112D3M , JZC-43F-012V )
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга обмотки | 12 В DC |
| Струм обмотки | 16.7 мА, 20 °C |
| Опір обмотки | 720 Ом ±10 %, 20 °C |
| Потужність обмотки | 200 мВт |
| Напруга спрацювання | не більше 75 % від номінальної |
| Напруга відпускання | не менше 5 % від номінальної |
| Контактна група | 1 Form A (один замикаючий контакт) |
| Матеріал контактів | AgNi |
| Струм контактів | 5 А, 277 В AC (резистивне навантаження) |
| Мінімальне навантаження | 100 мА, 5 В DC |
| Опір контактів | до 100 мОм (1 А / 6 В DC) |
| Час спрацювання | до 10 мс |
| Час відпускання | до 10 мс |
| Ізоляція обмотка–контакти | 4000 В (діюче), 1 хв |
| Механічний ресурс | не менше 5000000 циклів, 180 циклів/хв |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
| Габарити | 20.3 x 7.0 x 15 мм |
| Маса | 4 г (приблизно) |
Мікросхема PN7113 корпус so16
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Призначення | Високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключів |
| Робоча напруга плаваючого каналу, макс. | 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Напруга живлення логіки | 3,3–20 В |
| Вихідний струм (імпульс, source / sink) | 3,0 / 3,0 А при PW < 10 мкс |
| Робоча частота, макс. | 100 кГц |
| Затримка вмикання, верхній / нижній канал | 130 / 120 нс тип. при VBIAS = 15 V, CL = 1000 pF, 25 °C |
| Затримка вимикання, верхній / нижній канал | 135 / 115 нс тип. при VBIAS = 15 V, CL = 1000 pF, 25 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема NSI6801TBD оригінал ( NSI6801TB-DDBR ), DUB-8
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | DUB8 |
| Піковий струм джерела | 5,2 А |
| Піковий струм стоку | 5,4 А |
| Напруга живлення вихідної сторони, макс. | 32 В |
| Поріг UVLO при зростанні Vcc | 9,2 В |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче) |
| CMTI | 150 кВ/мкс мін. |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F305RCT6 оригінал, LQFP64
В наявності
256,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M4, 32-біт |
| Макс. тактова частота | 120 МГц (Flash без циклів очікування) |
| Flash-пам'ять | 256 КБ |
| SRAM | 96 КБ |
| Порти вводу-виводу | 51 шт. |
| Напруга живлення VDD | 2,6–3,6 В (типово 3,3 В) |
| Корпус | LQFP64 |
| Кількість виводів | 64 шт. |
| Робоча температура | -40…+85 °C (grade 6) або -40…+105 °C (grade 7) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STV9306B оригінал
В наявності
245,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Робоча напруга живлення Vs | 16–28 В |
| Напруга живлення, макс. | 35 В |
| Розмах струму Ipp | 1,8–3,0 А |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 60 В |
| Напруга виходу E/W, макс. | 60 В |
| Робоча температура | -10…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STV9306A оригінал
В наявності
245,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Робоча напруга живлення Vs | 16–28 В |
| Напруга живлення, макс. | 35 В |
| Розмах струму Ipp | 1,8–3,0 А |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 60 В |
| Напруга виходу E/W, макс. | 42 В |
| Робоча температура | -10…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OZ9998BGN , so-16
В наявності
97,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер DC-DC перетворювача для LED-підсвічування |
| Кількість ліній світлодіодів | до 4 |
| Струм однієї лінії | до 160 мА |
| Число виводів | 16 |
| Корпус | SO-16 |
| Виробник | O2Micro |
Мікросхема NSI8221W1D ( NSI8221W1-DSWVR ) , SOW-8-300mil
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOW-8-300mil |
Мікросхема NCP1219A1 ( NCP1219AD100R2G ) оригінал, so-7
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOP-7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG1164 оригінал, so-16
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC | 4–20 В |
| Напруга VB (гранично допустима) | 600 В |
| Діапазон частоти | 0–300 кГц |
| Частота генератора | 67 кГц (Cp 270 пФ) |
| Вихід REF3.3V | 3,2 В (VCC 12 В) |
| Опорна напруга FB | 1,2 В |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 90 % |
| Мертвий час | 200 нс |
| Струм драйвера (виток) | 1,8 А (Vo 0 В) |
| Струм драйвера (стік) | 2 А (Vo 12 В) |
| Корпус | SO-16 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст GBU1006 (600V,10A)
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm (макс. зворотна напруга) | 600 В |
| If(AV) (Tc 100 °C) | 10 А |
| Vf (If 5,0 А, Tj 25 °C) | ≤1,0 В |
| Ir (Tj 25 °C / 125 °C) | ≤5 мкА / ≤500 мкА |
| Ifsm (8,3 мс) | 220 А |
| I²t | 200 А²с |
| Rjc | 2,2 °C/Вт |
| Tj/Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | GBU |
| Корпус (докладно) | GBU (4-SIP, гвинт) |
Діодний міст D10XB60
В наявності
73,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Прямий струм If(AV) | 10 А (Tc 25 °C) |
| Струм з радіатором | 2,7 А (Tc 100 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 120 А |
| Корпус | Компактний SIP («3S») |
Діод Шоттки MBR40100CT оригінал (40A,100V) , TO220-3pin
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm | 100 В |
| Vrms | 70 В |
| Vdc | 100 В |
| If(av) | 40 А (Ta = 25 °C) |
| Ifsm | 200 А (8,3 мс, одна напівсинусоїда) |
| Vf | 0,71 В тип., 0,76 В макс. (If = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Rth(j-c) | 2,0 °C/Вт (тип.) |
| Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод HFA30PB120 оригінал (заміна для 30EPF12 )(1200V,30A), TO247-2pin
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип | надшвидкий діод HEXFRED, одиночний |
| VR | 1200 В |
| IF(AV) | 30 А (Tc 100 °C) |
| IFSM | 120 А (tp = 10 мс) |
| Vf | 2,4 В тип. / 4,1 В макс. (IF = 30 А, Tj 25 °C) |
| trr | 47 нс тип. (If 1,0 А, dIf/dt 200 А/мкс, Vr 30 В) |
| Pd | 350 Вт (Tc 25 °C), 140 Вт (Tc 100 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247-2 |
| Корпус (докладно) | TO247-2pin (TO-247AC 2L) |
| Схема | одиночний діод, два виводи (катод і анод) |
| Стан | Оригінал |
Діод F10L60U ( SF10L60U ) оригінал (заміна для SDURK1060 ) , TO220F-2pin
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen |
| Тип | швидкий діод, одинарний |
| Vrrm | 600 В (Tc 25 °C) |
| IF(AV) | 10 А (Tc 85 °C, з радіатором) |
| IFSM | 120 А (50 Гц синус, 1 період, Tj 25 °C) |
| Vf | 3 В (IF = 10 А, Tc 25 °C) |
| trr | 25 нс (IF = 0,5 А, IR = 1,0 А, Tc 25 °C) |
| Ct | 55 пФ (f = 1 МГц, VR = 10 В) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Корпус (докладно) | TO220F-2pin (FTO-220), повністю ізольований |
| Стан | Оригінал |
Діод DSEI30-06A ( DSE130-06A ) оригінал, TO247-2pin
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип | Діод швидкий (FRED, епітаксіальний), одинарний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм IFAV | 37 А при Tc 85 °C, прямокутний імпульс, d = 0,5 |
| Ударний струм IFSM | 300 А при Tvj 45 °C, t = 10 мс, 50 Гц, синус |
| Пряма напруга Vf | 1.6 В макс. при IF 37 А, Tvj 25 °C; 1.4 В макс. при IF 37 А, Tvj 150 °C |
| Час зворотного відновлення trr | 35 нс тип. (макс. 50 нс) при IF 1 А, –di/dt 100 А/мкс, VR 30 В |
| Повна розсіювана потужність Ptot | 125 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tvjm | 150 °C |
| Тепловий опір RthJC | 1 К/Вт макс. |
| Корпус | TO-247-2 |
| Стан | Оригінал |
Діод 1N4148WS ( T4 , 1N4148 ) smd 0805 , sod-323
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JSMSEMI |
| Тип | Діод швидкий малосигнальний, одинарний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 75 В при Ta 25 °C |
| Середній випрямлений струм Io | 200 мА при Ta 25 °C |
| Пряма напруга Vf | 1.25 В макс. при IF 150 мА, Ta 25 °C |
| Зворотний струм Ir | 1.0 мкА макс. при VR 75 В, Ta 25 °C |
| Ємність переходу Cj | 2.0 пФ макс. при VR 0, 1 МГц |
| Час зворотного відновлення trr | 4.0 нс макс. при IF = IR = 10 мА |
| Розсіювана потужність Pd | 200 мВт при Ta 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOD-323, маркування T4 |