Магазин
Демонтаж
Транзистор G1N65R035TB-N оригінал демонтаж ( заміна для TP65H035G4WS ), TO247
В наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | GaN-транзистор (нормально закритий) |
| Напруга Vdss | 650 В (TJ –55…150 °C) |
| Vdss(TR) | 800 В (викид менше 30 мкс) |
| Струм Id | 46 А (TC 25 °C); 29 А (TC 100 °C) |
| Rds(on)eff | 35 мОм тип. (VGS 10 В, ID 30 А, TJ 25 °C) |
| Qg | 22 нКл тип. (VDS 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 400 В, f 1 МГц) |
| Pd | 156 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STGB10NB40LZ ( GB10NB40LZ ) оригінал , D2PAK
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Номер | STGB10NB40LZ |
| Напруга обмеження Vces | 380–440 В, тип. 410 В (IC = 2 мА, VGE = 0) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 10 А |
| Vce(sat) | 1,2 В, макс. 1,8 В (VGE = 4,5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 150 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC2625 оригінал, TO-3P
В наявності
182,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга VCEO (Tc 25 °C) | 400 В |
| Напруга VCBO (Tc 25 °C) | 450 В |
| Напруга VEBO (Tc 25 °C) | 7 В |
| Струм колектора IC (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм бази IB (Tc 25 °C) | 3 А |
| Потужність PC (Tc 25 °C) | 80 Вт |
| hFE (мін., IC 4 А, VCE 5 В) | 10 |
| VCE(sat) (макс., IC 4 А, IB 0,8 А) | 1,2 В |
| VBE(sat) (макс., IC 4 А, IB 0,8 А) | 1,5 В |
| Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) оригінал, TO-247
В наявності
240,64 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Номер | IHW30N135R5 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА, Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,65 В, макс. 1,95 В (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 330 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1810 пФ |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGA20S120M ( FGA20S 120M ) оригінал, TO-3P
В наявності
229,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, Ic 2 мА) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,55 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Напруга Vce(sat) при 175 °C | 1,85 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 175 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 208 нКл (VCE 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність Pd | 348 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1,43 мДж (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 320 нс (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Пряма напруга діода Vf | 1,7 В (If 20 А, Tc 25 °C, типово) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст S35VB100 оригінал
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm (макс. зворотна напруга) | 1000 В |
| Vrms (діюча напруга) | 700 В |
| Vdc (макс. постійна зворотна напруга) | 1000 В |
| If(AV) (Tc = Ta) | 35 А |
| Ifsm (8,3 мс) | 400 А |
| Vf (If 17,5 А) | 1,05 В |
| Ir (Tj 25 °C / 125 °C) | 5 мкА / 500 мкА |
| I²t | 660 А²с |
| Cj (1,0 МГц, Vr 4,0 В) | 150 пФ |
| Rjc | 1,4 °C/Вт |
| Tj/Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | Квадратний, отвір під гвинт #10 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 20T135QR1 ( SGT20T135QR1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Номер | SGT20T135QR1P7 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,8 В, макс. 2,2 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JNG25N120HS оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм колектора Ic | 45 А при TC = 25 °C, 25 А при TC = 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В, макс. 2,5 В (VGE = 15 В, IC = 25 А, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VCC = 960 В, VGE = 15 В, IC = 25 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при TC = 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Jiaen (JIAENSEMI) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема AMS1117-1.5 ( LM1117S-1.5 , LD1117AL-1.5 , LD1117A-G15 ) , sot223
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 1,5 В (Iout 10 мА, Vin 3,5 В, Tj 25 °C) |
| Максимальний вихідний струм | 1 А |
| Падіння напруги | 1,20 В при Iout 1 А |
| Максимальна вхідна напруга | 12 В |
| Гранично допустима вхідна напруга | 18 В |
| Струм обмеження | 1,6 А |
| Температура переходу | -40…+125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
Електролітичний конденсатор 270uF 500V 105C ( 270мкФ 500В 105град , 270*500*105гр ) жорсткі виводи 30*40мм
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 270 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×40 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 390uF 500V 105C ( 390мкФ 500В 105град , 390*500*105гр ) жорсткі виводи 30*50мм
В наявності
385,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 390 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×50 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 470uF 500V 105C ( 470мкФ 500В 105град , 470*500*105 ) жорсткі виводи 30*55мм
В наявності
476,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 470 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×55 мм |
| Виводи | жорсткі |
Транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал, TO-247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 60 А при TC 25 °C, 39 А при TC 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В типово, макс. 2,15 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 нКл типово (Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | є, монолітний зворотний (reverse conducting) |
| Потужність розсіювання Ptot | 263 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL25N60A47 ( 25N60 , GL25N60 ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (VDMOS) |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 12.5 А); тип. 175 мОм |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgs | ±30 В |
| Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SA3525SC ( SA3525 ) оригінал, sop-16
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення | 8–35 В |
| Опорна напруга Vref | 5,1 В (5,0–5,2 В) |
| Частота генератора | 100 Гц–400 кГц |
| Вихідний струм (пік) | 400 мА |
| Струм споживання | 12 мА (макс. 20 мА) |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP14N50C оригінал ( заміна для 14N50L , UTC14N50L , T14N50 , AOT14N50 ), TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 14 А (Tc 25 °C); 8.5 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.46 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7 А); тип. 0.40 Ом |
| Qg | 41 нКл (Vdd 250 В, Id 14 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2129 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RS18N50F оригінал , TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 18 А при Tc 25 °C |
| Імпульсний струм Idm | 72 А |
| Rds(on) | 0.34 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 9 А (тип. 0.28 Ом) |
| Заряд затвора Qg | 39.5 нКл при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2415 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В при Vgs=Vds, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 39 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| trr | 310 нс при Is 18 А, di/dt 100 А/мкс |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLM2106B ( SLM2106BCA-13GTR ) оригінал, SOIC-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга зміщення VOFFSET (макс.) | 600 В |
| Напруга живлення VCC | 10…20 В |
| Вихідний струм IO– (тип.) | 950 мА |
| Затримка вмикання ton | 160 нс |
| Затримка вимикання toff | 220 нс |
| Температура переходу TJ (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW20NC60VD ( STGW20NC60VD ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic | 60 А при 25 °C, 30 А при 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В типово, макс. 2,5 В (Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл типово (Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний, надшвидкий |
| Потужність розсіювання Ptot | 200 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2560+2SB1647 ( D2560+B1647 ) оригінали
В наявності
404,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| 2SD2560: виробник | Sanken |
| 2SD2560: тип | NPN Дарлінгтон |
| 2SB1647: тип | PNP Дарлінгтон |
| 2SD2560: напруга VCEO (Ta 25 °C) | 150 В |
| 2SD2560: струм колектора IC (Ta 25 °C) | 15 А |
| 2SD2560: потужність PC (Tc 25 °C) | 130 Вт |
| 2SD2560: hFE (мін., IC 10 А, VCE 4 В) | 5000 |
| 2SD2560: VCE(sat) (макс., IC 10 А, IB 10 мА) | 2,5 В |
| 2SD2560: Tj (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N60 ( MDF11N60TH , 11N60 ) оригінал ( заміна для 11N60ES , 11N60E , FMV11N60ES , FQPF11N60 ), TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.55 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 38.4 нКл (Vds 480 В, Id 11 А, Vgs 10 В, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 49 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1515P ( HY1515 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 150 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 50 А при Tc 25 °C; 36 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 180 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) | 34 мОм макс. при Vgs 10 В, Ids 30 А (тип. 28 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл при Vgs 10 В, Ids 30 А |
| Вхідна ємність Ciss | 2447 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Vds=Vgs, Ids 250 мкА |
| Потужність Pd | 180 Вт при Tc 25 °C; 90 Вт при Tc 100 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE6050A оригінал, TO220
В наявності
76,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 60 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 50 А при Tc 25 °C; 35.4 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 90 А |
| Rds(on) | 20 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 20 А (тип. 14 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл при Vds 30 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2050 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1.4–2.5 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 85 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |