Магазин

Показано 601–624 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

STFI40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал, I2PAKFP(TO-281)

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN, MDmesh M2
Напруга Vds600 В (V(BR)DSS, VGS = 0, ID = 1 мА)
Струм стоку Id34 А (TC = 25 °C); 22 А (TC = 100 °C)
Rds(on)0,088 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А)
Vgs(th)2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Температура переходувід -55 до 150 °C
КорпусI2PAKFP (TO-281)
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал

Транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces600 В (Vge = 0)
Струм колектора Ic (TC 25 °C)80 А
Струм колектора Ic (TC 100 °C)40 А
Імпульсний струм Icp220 А
Напруга насичення Vce(sat)1.8 В (typ., Vge 15 В, Ic 30 А, TC 25 °C)
Заряд затвора Qg126 нКл (Vce 390 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє (надшвидкий)
Потужність Ptot250 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IRG4PC50KD ( G4PC50KD ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

235,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces600 В
Струм колектора Ic (TC 25 °C)52 А
Струм колектора Ic (TC 100 °C)30 А
Напруга насичення Vce(on)1.84 В (typ., Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час спаду tf95 нс (typ., Ic 30 А, Vcc 480 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Tj 25 °C)
Вбудований діодє (HEXFRED)
Потужність розсіювання Pd200 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Cies3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
ВиробникInternational Rectifier (Infineon)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FCA22N60N ( 22N60N ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN, SupreMOS
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id22 А (TC = 25 °C); 13,8 А (TC = 100 °C)
Rds(on)165 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А)
Заряд затвора Qg45 нКл тип. (VDS = 380 В, ID = 11 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1950 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Потужність Pd205 Вт (TC = 25 °C)
Температура переходувід -55 до +150 °C
КорпусTO-3P
ВиробникFairchild Semiconductor
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IXFH22N65X2 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

141,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN, режим збагачення
Напруга Vds650 В (TJ = 25–150 °C)
Струм стоку Id22 А (TC = 25 °C)
Rds(on)145 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5 × ID25)
Vgs(th)3,5–5,0 В (VDS = VGS, ID = 1,5 мА)
Заряд затвора Qg(on)37 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd390 Вт (TC = 25 °C)
Температура переходувід -55 до +150 °C
КорпусTO-247
ВиробникLittelfuse/IXYS
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SA1492+2SC3856 ( A1492+C3856 ) оригінали

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO-3P
2SA1492: типPNP
2SC3856: типNPN
Напруга VCEO (обидва, Ta 25 °C)180 В
Струм колектора IC (обидва, Ta 25 °C)15 А
Потужність PC (обидва, Tc 25 °C)130 Вт
hFE (мін., IC 3 А, VCE 4 В)50
VCE(sat) (макс., IC 5 А, IB 0,5 А)2,0 В
fT (тип., обидва)20 МГц
Tj (макс.)150 °C
СтанОригінал

Транзистор IRG4BC30W ( G4BC30W ) оригінал, TO220

В наявності

173,90 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга колектор-емітер Vces600 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА)
Струм колектора Ic23 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм колектора Icm92 А
Потужність розсіювання Pd100 Вт (Tc 25 °C); 42 Вт (Tc 100 °C)
Вхідна ємність Cies980 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-емітер Vge±20 В (максимум)
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал

Транзистор FGPF70N33 ( FGPF70N33BT ) оригінал, TO220F

В наявності

216,20 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces330 В
Імпульсний струм колектора Ic (імп.)160 А (TC 25 °C; імпульс 100 мкс, шпарність 0,1)
Напруга насичення Vce(sat)1.7 В (typ., Ic 70 А, Vge 15 В, TC 25 °C)
Заряд затвора Qg49 нКл (typ., Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies1380 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd48 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Виробникonsemi (Fairchild)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор STP11NK50Z ( P11NK50Z ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал, SuperMESH
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vds500 В
Струм Id10 А (TC=25 °C), 6,3 А (TC=100 °C)
Rds(on)макс. 520 мОм, тип. 470 мОм (VGS=10 В, ID=4,5 А)
Qgтип. 49 нКл (VDD=400 В, ID=11,4 А, VGS=0–10 В)
Вхідна ємність Ciss1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd125 Вт (TC=25 °C)
Vgs(th)3–4,5 В (VDS=VGS, ID=100 мкА)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Діод MM15F060K оригінал, TO220-2pin

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникMacMic
ТипДіод швидкий (FRED), одиночний
Повторювана зворотна напруга Vrrm600 В
Середній прямий струм If(av)15 А при Tc 110 °C
Ударний струм Ifsm150 А при Tj 25 °C, 10 мс, 50 Гц, синус
Пряма напруга Vf1.5 В макс. при If 15 А, Tc 25 °C
Час зворотного відновлення trr25 нс макс. при If 1 А, dIf/dt –200 А/мкс, Vr 30 В
Розсіювана потужність Pd83 Вт при Tc 25 °C
Температура переходу Tj–55…150 °C
КорпусTO-220AC, 2 виводи
СтанОригінал

Транзистор FQPF8N80C оригінал, TO220F

В наявності

85,54 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
ТипMOSFET, N-канал
Напруга Vdss800 В (TC 25 °C)
Струм Id8 А (TC 25 °C), 5.1 А (TC 100 °C)
Імпульсний струм Idm32 А (TC 25 °C)
Rds(on)1.55 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4 А)
Розсіювана потужність Pd59 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор AP24N50MP оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникAPME
Напруга Vds500 В (VGS=0 В)
Струм Id24 А (TC=25 °C)
Rds(on)макс. 280 мОм, тип. 215 мОм (VGS=10 В, ID=9 А)
Qgтип. 38 нКл (VDS=250 В, ID=18 А, VGS=10 В)
Vgs(th)2,0–5,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор H13N50ANF ( HRH13N50ANF ) оригінал, TO220F

В наявності

188,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN, планарний MOSFET
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id13 А (умови в документі не вказані)
Імпульсний струм Id52 А
Опір Rds(on), тип.0.48 Ом (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Заряд затвора Qg, тип.30.9 нКл
КорпусTO-220F
ВиробникSHUNYE
СтанОригінал

Транзистор G20T60A83L ( CRG20T60A83L ) оригінал, TO220

В наявності

169,20 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (TJ = 25 °C)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1.66 В typ, макс. 2.4 В (IC = 20 А, VGE = 15 В)
Vge(th)5.4 В typ
Qg86.4 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А)
Вхідна ємність Cies1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Pd140 Вт (TC = 25 °C)
Tj max150 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор CMP3205A оригінал ( заміна для CMP3205 ) , TO220

В наявності

117,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id (25 °C)120 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)90 А (Tc 100 °C)
Rds(on)5 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 20 А)
Vgs(th)2–4 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg47 нКл тип. (Id 50 А, Vds 30 В, Vgs 10 В; макс. 70 нКл)
Вхідна ємність Ciss6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В макс.
Розсіювана потужність Pd136 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор XNT30N65T оригінал, TO220

В наявності

179,54 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (за кодом у номері)
Струм Ic30 А (за каталогом, температура не вказана)
Vce(sat)1.75 В typ (Tj = 25 °C)
Vge(th)5.4 В typ (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C (для серії)
Час витримки КЗ5 мкс (VGE = 15 В)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Мікросхема SLMi8233BD ( SLMi8233BDCG-DG ) оригінал, SOP16W

В наявності

147,58 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Мікросхема NSI68011CD оригінал ( NSI68011C-DSWAR ), sow6

В наявності

216,20 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
СтанОригінал

Мікросхема ICE3BS02 оригінал ( заміна для ICE3DS01 ), DIP8

В наявності

142,41 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
КорпусDIP8
СтанОригінал

Транзистор BT60T60 ( BT60T60ANFK ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P

В наявності

258,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (TJ = 25 °C)
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Vce(sat)1.85 В typ, макс. 2.4 В (IC = 60 А, VGE = 15 В)
Vge(th)5.4 В typ
Qg117 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А)
Вхідна ємність Cies3398 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Pd403 Вт (TC = 25 °C)
Tj max150 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRFP3206 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

107,16 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипMOSFET, N-канал
КорпусTO-247
Напруга Vdss60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (по кремнію)200 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку ID (по виводах)120 А (VGS = 10 В)
Rds(on) тип.2,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, TJ = 25 °C)
Rds(on) макс.3,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, TJ = 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА)
Розсіювана потужність Pd280 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Напруга затвор–витік Vgs±20 В макс.
Робоча температура переходу Tj-55…+175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IGW15T120F оригінал демонтаж б/в ( заміна для IGW15T120CR ) , TO-3P

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникIPS
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (Tc 100 °C)15 А
Vce(sat) тип. (Ic 15 А, Vge 15 В, Ta 25 °C)2.0 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)160 Вт
Вхідна ємність Cies2485 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IXFH34N65X2 ( IXTH34N65X2 , 34N65 ) оригінал демонтаж(650V,34A), TO247

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникLittelfuse/IXYS
Тип каналуN-канал
Напруга Vds650 В (TJ 25–150 °C; VGS=0 В, ID=1 мА)
Струм Id34 А при TC 25 °C
Rds(on)до 100 мОм (VGS=10 В, ID=0.5·ID25, TJ 25 °C)
Vgs(th)3.5–5.0 В (VDS=VGS, ID=2.5 мА)
Qg56 нКл типово
Вхідна ємність Ciss3230 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd540 Вт при TC 25 °C
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Сімістор BTA12-600B оригінал (12A,600V,50mA), ТО220

В наявності

79,90 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм IT(RMS)12 А (Tc 90 °C)
Ударний струм ITSM120/126 А (50/60 Гц, повний період)
Струм відкривання Igt50 мА макс. (квадранти I–II–III), 100 мА макс. (IV); VD 12 В, RL 30 Ом
Напруга відкривання Vgt1,3 В макс.
Напруга VTM1,55 В макс. (ITM 17 А, tp 380 мкс)
Струм утримання IH50 мА макс.
dV/dt400 В/мкс мін. (Tj 125 °C, VD 67 % VDRM)
Квадранти4Q (I, II, III, IV)
Тепловий опір Rth(j-c)2,3 °C/Вт макс.
Макс. температура переходу Tj125 °C
КорпусTO-220
Корпус (докладно)TO-220AB Ins. (ізольована основа)
СтанОригінал