Магазин
Транзистор K50EES5 ( IKW50N65ES5 ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 S5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 60,5 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,35 В тип. / 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Діод у корпусі | є, RAPID 1 |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 274 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRW6052 оригінал
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга стік–витік Vdss | 650 В (мін.) |
| Опір Rds(on) | 2,8 Ом (макс.), STR-W6052S |
| Піковий струм стоку IDpeak | 7,0 А, одиночний імпульс, TA 25 °C |
| Енергія лавини EAS | 62 мДж |
| Потужність розсіювання Pd1 | 23,6 Вт з нескінченним радіатором, TA 25 °C |
| Температура переходу | 150 °C |
| Вихідна потужність | 60 Вт при AC 230 В; 40 Вт при AC 85–265 В |
| Частота перемикання | 67 кГц |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 32 В |
| Робоча температура | –20…115 °C |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRW6252 оригінал
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга сток-витік VDSS | 650 В (мін.), за STR-W6252D |
| Опір RDS(on) | 2,8 Ом (макс.), STR-W6252D |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Піковий струм стоку IDPEAK | 3,2 А, одиночний імпульс, STR-W6252D |
| Вихідна потужність | 60 Вт при 230 В AC; 40 Вт при 85…265 В AC |
| Пороги VCC (UVLO) | 15,5 / 8,9 В |
| Споживання в очікуванні | менше 40 мВт без навантаження |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSQ027N10N оригінал, TO247
В наявності
107,63 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В) |
| Rds(on) | 2.6 мОм (тип.), 3.1 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=90 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 2.2–3.8 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 169 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 11355 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 454 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R070F7 ( IPW60R070CFD7 ) оригінал, TO247
В наявності
493,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolMOS CFD7 |
| Тип каналу | N-канал |
| Маркування на корпусі | 60R070F7 |
| Тип за datasheet | IPW60R070CFD7 |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 650 В (при Tj,max) |
| Пробивна напруга V(BR)DSS | 600 В мін. (VGS=0 В, ID=1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 31 А (TC=25 °C); 20 А (TC=100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 129 А (TC=25 °C) |
| Rds(on) макс. | 70 мОм (VGS=10 В, ID=15,1 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл (VDD=400 В, ID=11 А, VGS 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2721 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Вбудований діод | швидкий (fast body diode) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT060U060EQ оригінал, TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tc 25 °C) | 1.9 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 454 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3510 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 5R199P ( IPP50R199CP ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 0.18 Ом (тип.), 0.199 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 9,9 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd | 139 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DH070N06 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 68 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 88 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 61 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 30 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd | 167 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 4100 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSPF13N50 оригінал ( заміна для OSPF13N50C ) , TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 13 А при Tc 25 °C |
| Опір Rds(on) | 0.35 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 6,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd | 48 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004B ( JMSH1004BC ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (V(BR)DSS мін., Id 250 мкА, Vgs 0) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 139 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 88 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм типово, 4.2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 2.7 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3433 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LSB65R099GF оригінал, TO247
В наявності
301,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LONTEN |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 26 А |
| Rds(on) | 0.086 Ом типово, 0.099 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл типово (Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 278 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC21520 ( UCC21520DWR ) оригінал, SOIC-16-300mil
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий вихідний струм (source) | 4 А |
| Піковий вихідний струм (sink) | 6 А |
| Напруга живлення входу VCCI | 3–18 В |
| Напруга живлення виходів VDDA/VDDB | до 25 В |
| Ізоляція вхід-вихід | 5,7 кВ (RMS) |
| CMTI | не менше 125 В/нс |
| Температура переходу Tj | від −40 до +150 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Корпус (докладно) | SOIC-16 (DW) |
| Число виводів | 16 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP60T18 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 126 А |
| Rds(on) | 2.5 мОм типово, макс. 2.9 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE0157A2 ( NCE0157A , NCE0157 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 57 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 14.5 мОм типове, макс. 17.5 мОм (VGS=10 В, ID=28 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3969 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65D ( G50T65D ) оригінал , TO-3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor |
| Тип | IGBT FS Trench із діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic | 100 А (Tj = 25 °C); 50 А (Tj = 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., VCE = 520 В, IC = 50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 320 Вт (Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS10N60F оригінал, TO220F
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, кремнієвий VDMOS |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6.3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.68 Ом типове, макс. 0.9 Ом (VGS=10 В, ID=5 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1609 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW060R68E7T ( SWP060R68E7T ) оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 5.6 мОм типове, макс. 7 мОм (VGS=10 В, ID=50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 94 нКл типове |
| Вхідна ємність Ciss | 3623 пФ (Vds 32 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Samwin |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW050R68E8T ( SWP050R68E8T ) оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (BVDSS) | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 130 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 88 А (Tc 100 °C, обмежено температурою переходу) |
| Опір Rds(on) | 5.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 30 А, Tj 25 °C; макс. 6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 195.3 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6259 пФ (Vds 34 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP035N72 оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 72 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 140 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 108 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.3 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 70 А; макс. 3.5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 67.5 нКл тип. (VDS = 35 В, ID = 70 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4250 пФ (Vds 35 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.2 В при IS = 70 А; trr 68 нс тип.) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW036R10E8S ( SWP036R10E8S ) оригінал, TO220
В наявності
165,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 175 А (TC = 25 °C, обмеження кремнієм; обмеження корпусом 135 А) |
| Струм Id (100 °C) | 132 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.8 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 20 А; макс. 4.6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 312.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6263 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |