Магазин
Транзистор SH1003N ( JMSH1003NE-13 ) оригінал, D2PAK
В наявності
105,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 215 А |
| Струм Id (100 °C) | 136 А |
| Rds(on) тип. | 3,0 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Rds(on) макс. | 3,6 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Qg | 84 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4797 пФ |
| Pd (25 °C) | 312 Вт |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Tj, Tstg (робоча та зберігання) | від -55 до 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC27424 ( UCC27424DR , 27424 ) оригінал, so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний нижньоплечовий драйвер MOSFET, неінвертуючий |
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий струм на канал | 4 А (sink/source, у зоні плато Міллера) |
| Напруга живлення VDD | 4–15 В |
| Час наростання | 20 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ) |
| Час спаду | 15 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ) |
| Входи | Сумісні з TTL/CMOS |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D), 4.90 x 3.91 мм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC23513B ( UCC23513BDWYR , UC23513B ) оригінал, SOIC-6-300mil
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Одноканальний ізольований драйвер затвора |
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий струм source | 4.5 А (typ, IF = 10 мА, VCC = 15 В, CLOAD = 0.18 мкФ) |
| Піковий струм sink | 5.3 А (typ, VF = 0 В, VCC = 15 В, CLOAD = 0.18 мкФ) |
| Ізоляція | 5700 В RMS, 60 с |
| Напруга живлення VCC-VEE | 10–33 В |
| Поріг UVLO (зростання) | 8.5 В |
| Струм вхідного діода | 7–16 мА |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін., VCM = 1500 В) |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC23513 ( UCC23513DWYR , UC23513 ) оригінал, SOIC-6-300mil
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | Одноканальний ізольований драйвер затвора IGBT, MOSFET і SiC MOSFET з оптосумісним входом |
| Піковий вихідний струм (джерело) | 4,5 А |
| Піковий вихідний струм (стік) | 5,3 А |
| Напруга живлення вихідної сторони, макс. | 33 В (VCC-VEE) |
| Робочий прямий струм входу | 7–16 мА |
| Затримка розповсюдження, макс. | 105 нс (Cg = 1 нФ, VCC = 15–30 В) |
| CMTI, мін. | 150 кВ/мкс |
| Ізоляція | 5,7 кВ (RMS), підсилена, 1 хвилина, UL 1577 |
| Температура переходу TJ | -40…+150 °C |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS042N10N оригінал, D2PAK
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C, кристал) | 172 А |
| Струм Id (25 °C, корпус) | 120 А |
| Струм Id (100 °C, кристал) | 109 А |
| Rds(on) тип. | 3,4 мОм (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Rds(on) макс. | 4,2 мОм (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Qg | 90 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Pd (25 °C) | 227 Вт |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Tj, Tstg (робоча та зберігання) | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F303CBT6 оригінал, LQFP48
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M4, 32 біт, з DSP-інструкціями та MPU (серія) |
| Макс. тактова частота | 120 МГц (серія, Flash без циклів очікування) |
| Напруга живлення | 2,6–3,6 В (серія) |
| АЦП | до 3 x 12 біт, 2,6 MSPS (серія) |
| Корпус | LQFP48 |
| Кількість виводів | 48 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F105RBT6 оригінал, LQFP64
В наявності
224,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M3, 32 біт |
| Макс. тактова частота | 108 МГц (Flash без циклів очікування) |
| Flash-пам'ять | 128 КБ (варіант RB) |
| SRAM | 64 КБ (варіант RB) |
| Напруга живлення | 2,6–3,6 В (VDD, VDDA) |
| Діапазон робочих температур | -40…+85 °C (Industrial) |
| Корпус | LQFP64 |
| Кількість виводів | 64 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXGH48N60C3D1 оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Tj = 25…150 °C) |
| Струм колектора Ic | 75 А (Tc = 25 °C, обмежено виводами); 48 А (Tc = 110 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,3 В тип., 2,5 В макс. (Ic = 30 А, Vge = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 300 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1960 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, антипаралельний ультрашвидкий (FRED) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор H2100 оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод Шоттки MBR60200PT оригінал (60A,200V) , TO247-3pin
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки, подвійний, спільний катод |
| Виробник (datasheet) | Micro Commercial Components (MCC) |
| Корпус | TO-247 |
| Vrrm | 200 В |
| If(av) на діод | 30 А |
| If(av) на прилад | 60 А |
| Ifsm на діод | 450 А (8.3 мс, півсинусоїда) |
| I2t на діод | 840 А2с (8.3 мс) |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR40150PT оригінал (40A,150V) , TO247-3pin
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки, подвійний, спільний катод |
| Виробник (datasheet) | Good-Ark Electronics |
| Корпус | TO-247 |
| Vrrm | 150 В (TA 25 °C) |
| Vrms | 105 В (TA 25 °C) |
| Vdc | 150 В (TA 25 °C) |
| If(av) | 40 А на прилад (TA 25 °C) |
| Ifsm на діод | 330 А (8.3 мс, одна півсинусоїда) |
| Vf, тип. / макс. | 0.82 / 0.90 В (If = 20 А, Tj 25 °C) |
| Vf, макс. | 0.80 В (If = 20 А, Tj 125 °C) |
| Rth(j-a) | 62.5 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N65F оригінал (заміна для CS7N65A ), TO220F
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,5 А |
| Rds(on) тип. | 0,98 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Rds(on) макс. | 1,4 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1072 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (25 °C) | 40 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| EAS | 450 мДж |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Супресор P6SMB15CA ( SMB15CA , 15CA )(заміна для P6SMB15C , SMB15C , 15C ) smd двоспрямований
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Супресор (TVS-діод), двоспрямований |
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Напруга пробою Vbr (мін.) | 14.3 В при 1.0 мА, 25 °C |
| Напруга пробою Vbr (макс.) | 15.8 В при 1.0 мА, 25 °C |
| Робоча напруга відсічки Vwm | 12.8 В при 25 °C |
| Пікова імпульсна потужність Pppm | 600 Вт (імпульс 10/1000 мкс) |
| Температура переходу / зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | SMB (DO-214AA) |
Демонтаж
Транзистор 2SK3878 ( K3878 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 900 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 9 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 1.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Rds(on) макс. | 1.38 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| RthJC | 0.83 °C/Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема EG1163S оригінал, so-16
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
| Поріг вмикання Vcc (UVLO) | 8.5 В |
| Поріг вимикання Vcc (UVLO) | 7.5 В |
| Макс. напруга VB | 600 В |
| Макс. напруга Vcc | 20 В |
| Робочий діапазон Vcc | 10–20 В |
| Частота генератора | 65 кГц при CT=200 пФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % |
| Мертвий час | 200 нс |
| Струм драйвера LO/HO (витікання) | 1.8 А (тип.) |
| Стан | Оригінал |
Реле HF152F-T-012-1HTQ 12VDC (16A/250VAC) 4pin на замикання 16*20*20мм
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hongfa |
| Контактна група | 1 Form A (SPST-NO), на замикання |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 400 Ом ±10 % (12 В DC, 23 °C) |
| Потужність котушки | прибл. 360 мВт |
| Контакти | 16 А / 250 В AC (при 105 °C) |
| Матеріал контактів | AgSnO2 |
| Напруга спрацювання | 9,00 В макс. (12 В DC, 23 °C) |
| Напруга відпускання | 1,2 В мін. (12 В DC, 23 °C) |
| Час спрацювання | 10 мс макс. |
| Час відпускання | 5 мс макс. |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Габарити | 21 x 16 x 20,6 мм |
Демонтаж
Транзистор WML28N50C4 оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор WFW20N50 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Wisdom Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 13 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.21 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.26 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Енергія лавини EAS | 1110 мДж |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF20N50PN ( 20N50 ) оригінал, TO-3P
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan (Hangzhou Silan Microelectronics) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.27 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл (VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 252 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SUD25N06-45L ( 25N06-45 , ME25N06 , UTC25N06L ) оригінал (60V, 25A), DPAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 60 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C), 16 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.025 Ом тип., 0.035 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 0.036 Ом тип., 0.045 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–3.0 В |
| Макс. напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP25NM60N ( P25NM60N ) оригінал, TO220
В наявності
183,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Серія | MDmesh II |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 21 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.130 Ом тип., 0.160 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10.5 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність розсіювання Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STF28NM50N ( 28NM50N ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SRC60R140B оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор PTP02N04NB оригінал демонтаж, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 245 А (Tc 25 °C), 165 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.65 мОм тип., 2.1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | PIP |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |