Магазин

Показано 697–720 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Діод 60F30AE ( 60F30A ) оригінал ( SFR60F30AEPN , SFR60F30APN , SL60F30A ) , TO-3P-3pin

В наявності

173,90 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипДіод надшвидкий, 300 В
Vrrm300 В
Ifsm300 А (8.3 мс)
Vf1.25 В при If 30 А, Tc 25 °C
trr30 нс
Tj max150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FDP032N08B оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild Semiconductor)
ТипMOSFET, N-канал, PowerTrench
КорпусTO-220
Напруга Vdss80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В)
Струм Id (25 °C)211 А (обмеження корпусом 120 А)
Струм Id (100 °C)149 А
Rds(on) типовий2,85 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А)
Rds(on) максимальний3,3 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А)
Qg(tot)111 нКл тип. (Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss8245 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2,5–4,5 В (Id 250 мкА)
Vgss±20 В
Pd263 Вт (Tc 25 °C)
Температура Tj, Tstg-55…+175 °C
СтанОригінал

Мікросхема FA6A31N ( FA6A31 , 6A31 ) , so-16

В наявності

171,08 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипКонтролер LLC-резонансного перетворювача
ВиробникFuji Electric
Вбудоване пускове коло та драйвери600 В
Напруга VB (абс. максимум)630 В
Напруга живлення VCC14…27 В (тип. 19 В)
Напруга пуску VCC(ON)13,0 В (12,4…13,6 В)
Напруга вимкнення VCC(OFF)9,0 В (8,5…9,5 В)
Частота генератора38 кГц (мін.) – 350 кГц (макс.), VCC = VB = 19 В
Мінімальний мертвий час430 нс
КорпусSO-16

Мікросхема EG3525S , so-16

В наявності

71,44 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипШІМ-контролер
ВиробникEG Micro
Напруга живлення VCC8…35 В
Опорна напруга Vref5,1 ±2 % (VCC = 15 В, TA 25 °C)
Частота генератора100 Гц…500 кГц
Струм споживання Icc14 мА тип., 20 мА макс. (VCC = 15 В)
Вихідний струм (абс. максимум)500 мА (TA 25 °C)
Потужність розсіювання1000 мВт (TA 25 °C)
Робоча температура-45…105 °C
КорпусSO-16

Діод F10F150S ( FFPF10F150S ) оригінал демонтаж(1500V,10A), TO220F-2pin

В наявності

175,78 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипДемпферний діод
Vrrm1500 В (TC 25 °C)
IF(AV)10 А (TC 125 °C)
IFSM100 А (60 Гц, одна напівсинусоїда)
VF макс.1.6 В (IF 10 А, TC 25 °C)
trr макс.170 нс (IF 1 А, diF/dt 50 А/мкс, VR 30 В)
КорпусTO-220F-2L
Виводи1 – катод, 2 – анод
СтанОригінал, демонтаж б/в

Діод MURB1060CT оригінал, D2PAK

В наявності

188,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипДіод надшвидкий (FRED), здвоєний 2×5 А
Vrrm600 В
If(av)10 А (2×5 А)
Ifsm50 А
Vf1.6 В при If 5 А, Tj 25 °C
trr35 нс
Tj max150 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Діод MURB1040CT оригінал, D2PAK

В наявності

188,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Зворотна напруга Vrrm400 В
Середній прямий струм If(av)10 А (Tc 105 °C, прилад повністю; 5 А на діод)
Імпульсний струм Ifsm90 А (8,3 мс, на діод)
Пряма напруга Vf1,40 В (If 5 А, Tc 25 °C, на діод)
Час відновлення trr35 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irec 0,25 А)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор IRFP22N50A ( IRFP22N50 ) оригінал (500V,22A) , TO247

В наявності

344,04 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникVishay
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id22 А (VGS 10 В, Tc 25 °C); 14 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)0.23 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 13 А)
Заряд затвора Qg120 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 22 А, VDS = 400 В)
Вхідна ємність Ciss3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність Pd277 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Час зворотного відновлення trr570 нс типове, макс. 850 нс (TJ 25 °C, IF = 22 А, dI/dt = 100 А/мкс)
Тип каналуN
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор FHP12N60 оригінал ( заміна для TSP12N60M , JCS12N60CT , FQP12N60C , YR12N60 , RD-A 12N60 , WFP12N60 , SSFP12N60 , FP12N60C ), TO220

В наявності

141,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on)0.6 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А; типове, макс. 0.7 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність Pd180 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Тип каналуN
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор FHF12N60 оригінал (заміна для HF12N60 ) , TO220F

В наявності

107,16 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (25 °C)12 А
Опір Rds(on)0,7 Ом макс., мін. 0,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg48 нКл тип., макс. 63 нКл
Вхідна ємність Ciss1760 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd51 Вт (TC = 25 °C)
Напруга Vgs±30 В
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникFeihonltd
СтанОригінал

Транзистор FHP20N60 оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (25 °C)20 А
Струм стоку ID (100 °C)14 А
Опір Rds(on)0,45 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg61 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd250 Вт (TC = 25 °C)
Напруга Vgs±30 В
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220
ВиробникFeihonltd
СтанОригінал

Транзистор KGF40N65KDC ( 40N65KDC ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникKEC
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (Ta=25 °C)
Струм Ic (Tc=25 °C)80 А
Струм Ic (Tc=100 °C)40 А
Vce(sat)1.75 В (VGE=15 В, IC=40 А, Ta=25 °C)
Заряд затвора Qg90 нКл
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc=25 °C)208 Вт
Вбудований діодє
Макс. температура переходу175 °C
СтанОригінал

Транзистор SVG104R5NT ( 104R5NT ) оригінал, TO220

В наявності

94,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (25 °C)120 А
Струм стоку ID (100 °C)110 А
Опір Rds(on)3,6 мОм тип., макс. 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg114 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd208 Вт (TC = 25 °C)
Напруга Vgs±20 В
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220
ВиробникSilan Microelectronics
СтанОригінал

Транзистор CRJQ30N60G2F оригінал, TO247

В наявності

319,60 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO
Тип каналуN (Super Junction)
Напруга Vds600 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (25 °C)83 А (TC = 25 °C)
Струм стоку ID (100 °C)55 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)28 мОм тип., 33 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 42 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)3,2–4,6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg165 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 42 А)
Вхідна ємність Ciss6000 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Потужність Pd595 Вт (TC = 25 °C)
Tj max150 °C
Напруга затвор–витік Vgs±30 В
Час відновлення діода trr192 нс тип. (diF/dt = 100 А/мкс)
КорпусTO-247
СтанОригінал

Діод RHR15120 оригінал (15A,1200V)(заміна для RHRP15120 ) , TO220-2pin

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипДіод надшвидкий (Hyperfast), одиночний
КорпусTO-220AC, 2 виводи
Vrrm1200 В (Tc 25 °C)
IF(AV)15 А (Tc 140 °C)
IFRM30 А (меандр, 20 кГц)
IFSM200 А (напівхвиля, 1 фаза, 60 Гц)
VF3.2 В макс. (IF 15 А, Tc 25 °C)
trr75 нс макс. (IF 15 А, dIF/dt 100 А/мкс)
Pd100 Вт (Tc 25 °C)
Tj-65…175 °C
СтанОригінал

Діод SF5A400HD оригінал, D-PAK

В наявності

128,31 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Зворотна напруга Vrrm400 В
Середній прямий струм If(av)5 А
Імпульсний струм Ifsm60 А (8,3 мс)
Час відновлення trr30 нс (If 1 А, di/dt -100 А/µс, макс.)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
ВиробникKodenshi AUK Group
СтанОригінал

Транзистор FHP80N08 оригінал (заміна для ME80N08A ), TO220

В наявності

188,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID194 А (TC = 25 °C; обмеження корпусом 80 А)
Опір Rds(on)5 мОм макс., тип. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 80 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg221 нКл (VDD = 40 В, VGS = 10 В, ID = 80 А)
Вхідна ємність Ciss12500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd300 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
Напруга затвор–витік Vgs±20 В
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор FHP3205 оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id110 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on)8,0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 62 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg146 нКл макс. (Vds 44 В, Id 62 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss3247 пФ
КорпусTO-220
СтанОригінал

Мікросхема NSI6801CD оригінал ( NSI6801C-DSWFR ), sow6

В наявності

123,14 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ПризначенняОдноканальний ізольований драйвер затвора, сумісний за виводами з оптодрайверами
Піковий струм джерела5,2 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс)
Піковий струм стоку5,4 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс)
Макс. напруга VCC–VEE32 В (рекомендовано 14–32 В)
UVLO вмикання13,2 В (типово)
UVLO вимикання12,3 В (типово, IF = 10 мА)
CMTI150 кВ/мкс (мін.)
Затримка tpLH75 нс (типово, макс. 100 нс)
Вхідний струм IF(ON)7–16 мА (рекомендовано)
Ізоляція SOW65700 В (діюч.), UL1577, 1 хв
Температура TA-40…125 °C
КорпусSOW6
ВиробникNOVOSENSE
СтанОригінал

Мікросхема NSI6801BD оригінал ( NSI6801B-DSWFR ), sow6

В наявності

123,14 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ПризначенняОдноканальний ізольований драйвер затвора, сумісний за виводами з оптодрайверами
Піковий струм джерела5,2 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс)
Піковий струм стоку5,4 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс)
Макс. напруга VCC–VEE32 В (рекомендовано 10–32 В)
UVLO вмикання9,2 В (типово)
UVLO вимикання8,5 В (типово, IF = 10 мА)
CMTI150 кВ/мкс (мін.)
Затримка tpLH75 нс (типово, макс. 100 нс)
Вхідний струм IF(ON)7–16 мА (рекомендовано)
Ізоляція SOW65700 В (діюч.), UL1577, 1 хв
Температура TA-40…125 °C
КорпусSOW6
ВиробникNOVOSENSE
СтанОригінал

Транзистор NCE60TD60BP оригінал, TO-3P

В наявності

206,33 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникNCE Power
КорпусTO-3P
Напруга Vces600 В (VGE=0 В, IC=1 мА, мін.)
Струм Ic (Tc=25 °C)120 А
Струм Ic (Tc=100 °C)60 А
Vce(sat)1.7 В (IC=60 А, VGE=15 В, Tj=25 °C)
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc=25 °C)316 Вт
Вбудований діодє
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал

Транзистор FHP1906 оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникFeiHong
Тип каналуN
КорпусTO-220
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)100 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)65 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А)5 мОм типово, макс. 7 мОм
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg82 нКл
Вхідна ємність Ciss3485 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)130 Вт
Tj max150 °C
СтанОригінал

Транзистор HA210N06 оригінал (заміна для DG210N06 )(60V,210A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникHaolin
Тип каналуN
КорпусTO-3P
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)210 А (обмеження корпусу 50 А)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)130 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 75 А)3.2 мОм типово, макс. 4 мОм
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Заряд затвора Qg135 нКл
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)220 Вт
Tj max175 °C
СтанОригінал

Транзистор HY19P03D ( HY19P03 ) оригінал, DPAK

В наявності

117,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникHOOYI
Тип каналуP
КорпусTO-252 (D-PAK)
Напруга Vds-30 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)-90 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)-59 А
Опір Rds(on) (Vgs -10 В, Id -45 А)4.8 мОм типово, макс. 6 мОм
Опір Rds(on) (Vgs -4,5 В, Id -45 А)6.4 мОм типово, макс. 8 мОм
Порогова напруга Vgs(th)-1.0…-3.0 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)50 Вт
Вхідна ємність Ciss4787 пФ (f 1 МГц)
Tj max150 °C
СтанОригінал