Магазин
Транзистор FHP150N03 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А (обмежено Tj max) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 96 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 2,2 мОм typ. (Id 40 А; макс. 4 мОм) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 3 мОм typ. (Id 30 А; макс. 6,5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (Id 250 мкА, typ 1,9 В) |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл typ. (Vds 15 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 125 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод HFA25TB60 оригінал (600V,25A)(заміна для MUR1660AC ) , TO220-2pin
В наявності
192,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга VR | 600 В (абсолютний максимум) |
| Середній прямий струм IF(AV) | 25 А при TC = 100 °C |
| Пряма напруга VF (тип.) | 1.3 В при IF = 25 А, TJ = 25 °C |
| Пряма напруга VFM (макс.) | 1.7 В при IF = 25 А, TJ = 25 °C |
| Час відновлення trr (тип.) | 23 нс при IF = 1 А, dIF/dt = 200 А/мкс, VR = 30 В, TJ = 25 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 75 нс при тих самих умовах |
| Макс. температура переходу TJ | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2103 оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер півмоста (верхній і нижній ключі) для MOSFET і IGBT |
| Напруга VB (макс.) | 600 В |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Рівень логічних входів | 3,3 / 5 В |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Вихідний струм вгору IO+ | 0,3 А |
| Вихідний струм вниз IO− | 0,6 А (Vo = 12 В, VIN = VIL, імпульс 10 мкс) |
| Температура TA | -45…125 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP2412 ( TP2412-SR ) оригінал, so-8
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 3PEAK |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення | 2,2–5,5 В |
| Макс. напруга живлення V+ – V− | 7,0 В (абсолютний максимум) |
| Добуток підсилення на смугу | 10 МГц |
| Швидкість наростання | 7 В/мкс |
| Напруга зсуву | 1 мВ (макс.) |
| Шум напруги | 8,2 нВ/√Гц (f = 1 кГц) |
| Вхідний струм зсуву | 0,3 пА (типово) |
| Струм живлення на канал | 1,4 мА |
| Вихідний струм | 70 мА (падіння 1,0 В) |
| THD+N | 0,0005 % |
| Діапазон температур | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG15N65FSEK оригінал ( заміна для DXG15N65FSEU ), TO220F
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Вбудований діод | так |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…5,5 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR40100PT оригінал (40A,100V) , TO247-3pin
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Good-Ark Electronics |
| Конфігурація | два діоди, спільний катод |
| Зворотна напруга Vrrm | 100 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 40 А (TA 25 °C) |
| Пряма напруга Vf | 0,71 В типово, 0,85 В макс. (If 20 А, Tj 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,8 °C/Вт (типово) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR60100PT оригінал (60A,100V) , TO247-3pin
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Taiwan Semiconductor |
| Конфігурація | два кристали (Dual dies) |
| Зворотна напруга Vrrm | 100 В (TA 25 °C) |
| Прямий струм If | 60 А (сумарно на корпус) |
| Пряма напруга Vf | 0,84 В макс. (If 30 А на діод, Tj 25 °C); 0,98 В макс. (If 60 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 1000 мкА макс. (Tj 25 °C); 10 мА макс. (Tj 125 °C), на діод при номінальній Vr |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,2 °C/Вт (типово) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247AD (TO-3P) |
| Ударний струм Ifsm | 420 А (8,3 мс, півсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HSX ( OST60N65HSXF ) оригінал (заміна для OST60N65HX ) , TO247
В наявності
292,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | OST60N65HSX |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.5 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 366 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5607 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий і м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP220N06MP оригінал, TO247
В наявності
133,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement Mode, APM-SGT |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 220 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 136 А |
| Опір Rds(on) | 3,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А; typ 2,4 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 93 нКл typ. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5950 пФ (Vds 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 168 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод FR157
В наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В (повторювана імпульсна) |
| Середній прямий струм If(av) | 1,5 А (Ta 75 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 60 А (8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,30 В (If 1,5 А) |
| Корпус | DO-15 |
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
Демонтаж
Діод U1660G оригінал демонтаж (заміна для MURB1660CT , MURB1640CT , MURB1620CT , U1640G , U1620G ), D2PAK загальний катод
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В на діод |
| Середній прямий струм | 8 А на діод (Tc 150 °C), 16 А на весь прилад |
| Імпульсний струм Ifsm | 100 А (один напівперіод, 60 Гц) |
| Пряма напруга Vf | 1,50 В макс. (If 8 А, Tc 25 °C) |
| Зворотний струм Ir | 10 µА макс. (номінальна Vr, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 60 нс (If 1,0 А, di/dt 50 А/µс) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Конфігурація | загальний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SA1020 ( 2SA1020L , 2SA1020G , 2SA1020Y , 2SA1020-Y )
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -50 В |
| Напруга Vcbo | -50 В |
| Струм колектора Ic | -2 А |
| Потужність Pd | 900 мВт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 70–240 |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 40 |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,5 В |
| Гранична частота fT | 100 МГц |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ |
| Корпус | TO-92MOD |
Мікросхема TDA7851L оригінал
В наявності
470,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Робоча напруга живлення | 8–18 В |
| Макс. постійна напруга живлення | 28 В (абсолютний максимум) |
| Макс. імпульсна напруга живлення | 50 В (t = 50 мс, абсолютний максимум) |
| Потужність на канал, 4 Ом | 28 Вт (VS = 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Макс. потужність на канал, 4 Ом | 48 Вт |
| Макс. потужність на канал, 2 Ом | 72 Вт |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (VS = 14,4 В, 1 кГц) |
| Струм спокою | 150 мА (типово, VS = 14,4 В) |
| Нелінійні спотворення | 0,01 % (типово, Po = 4 Вт) |
| Розсіювана потужність | 85 Вт (Tcase = 70 °C, абсолютний максимум) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт (макс.) |
| Діапазон температур | -40…105 °C (Tamb) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60TD65BT оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | NCE60TD65BT |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.7 В тип. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 319 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Супресор SMAJ17CA ( маркування XR ) smd двоспрямований
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | TVS-діод (супресор), двонапрямлений |
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Маркування | XR |
| Робоча напруга Vwm | 17 В (Ta 25 °C) |
| Напруга пробою Vbr | 18.9–20.9 В (IT = 1.0 мА, Ta 25 °C) |
| Струм витоку | 1.0 мкА (при Vwm, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ippm | 14.5 А (імпульс 10/1000 мкс) |
| Напруга обмеження Vc | 27.6 В (при Ippm = 14.5 А) |
| Імпульсна потужність Pppm | 400 Вт (хвиля 10/1000 мкс, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 3.3 Вт (на нескінченному тепловідводі, Ta 50 °C) |
| Температурний діапазон | -55…+150 °C |
P35NF65 ( SVSP35NF65P7D3 ) оригінальний транзистор, TO247
В наявності
144,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 85 мОм тип. / 100 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 17,5 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 139 нКл тип. (Vdd 520 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2923 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF099T оригінал, TO247
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 38 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 24 А |
| Опір Rds(on) | 109 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А; typ 89 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл typ. (VDS=480 В, ID=38 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 322 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | швидкий, trr typ. 180 нс (Tj 25 °C, IF=19 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60H15A оригінал, TO220
В наявності
74,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 130.8 нКл (typ., VDS 30 В, ID 75 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5451 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Оптрон LTV3120CR ( LTV-3120CR , LTV3120 ) оригінал (заміна для LTV-3120S , LTV3120S ), SMD-8
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lite-On |
| Тип виходу | IC-драйвер для IGBT/MOSFET, rail-to-rail |
| Піковий вихідний струм, макс. | 2,5 А |
| Піковий вихідний струм, мін. | 2,0 А |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв.) |
| CMR | 15 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+105 °C |
| Корпус | SMD-8 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SRC60R140BTG ( SRC60R140B ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 25 А |
| Струм Id (Tc 125 °C) | 11.2 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 13 А |
| Поріг Vgs(th) | 2.3–4.3 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40.4 нКл тип. при Vgs 0…10 В, Vdd 480 В, Id 13 А |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 178.6 Вт (для TO-247) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Shenzhen Sanrise Technology |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G50T65AK5SD ( CRG50T65AK5SD ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | CRG50T65AK5SD |
| Маркування | G50T65AK5SD |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1.40 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 268 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3404 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS50N20 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 38,5 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А) | 51 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2819 пФ (тип.) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG60R380F ( OSG60R380FF ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C), 7 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 5,5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл (typ., VDS 480 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 690 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 31 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST13N60M2 ( STF13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, TO220F
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 350 мОм тип. / 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (Vdd 480 В, Id 11 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 297 нс тип. (Isd 11 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |