Магазин
Діод 8ETH06 оригінал (600V,8A), TO220-2pin
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Надшвидкий (hyperfast), одиночний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 8 А при Tc = 144 °C |
| Пряма напруга Vf | 2.0 В (тип.), 2.4 В (макс.) при If = 8 А, Tj = 25 °C |
| Час відновлення trr | 18 нс (тип.), 22 нс (макс.) при If = 1 А, diF/dt = 100 А/мкс, Vr = 30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Діод HFA08TB60 оригінал (600V,8A), TO220-2pin
В наявності
79,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Зворотна напруга | 600 В |
| Прямий струм IF | 8,0 А (TC 100 °C) |
| Повторюваний імпульсний струм IFRM | 24 А |
| Пряма напруга Vf | 1,4 В (IF = 8 А, TJ 25 °C, типове, макс. 1,7 В); 1,7 В (IF = 16 А, TJ 25 °C, типове, макс. 2,1 В) |
| Час зворотного відновлення trr | 18 нс (IF = 1,0 А, diF/dt = 200 А/мкс, VR = 30 В, типове) |
| Заряд Qrr | 65 нКл (IF = 8 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, TJ 25 °C, типове) |
| Зворотний струм Ir | 0,3 мкА (VR номінальна, TJ 25 °C, типове, макс. 5 мкА) |
| Ємність Ct | 10 пФ (VR = 200 В, типова, макс. 25 пФ) |
| Макс. температура переходу TJ | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE3080K оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 50 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 30 А) | 6.5 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2330 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 83 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT075N065WED ( 075N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.7 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 170 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5012 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор 2P4M (400V,2A,200мкА) , TO-126
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NEC Electronics (нині Renesas Electronics) |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В (Rgk = 1 кОм, Tj 25 °C) |
| Струм It(av) | 2 А (Tc = 77 °C, θ = 180°, однофазна напівхвиля) |
| Струм It(rms) | 4 А |
| Ударний струм Itsm | 20 А (50 Гц, синусоїда півхвиля, 1 цикл) |
| Струм керування Igt | 200 мкА макс. (Vd = 6 В, Rl = 100 Ом, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 0.8 В макс. (Vd = 6 В, Rl = 100 Ом, Tj = 25 °C) |
| dV/dt | 10 В/мкс мін. (Tj = 125 °C, Vd = 2/3 Vdrm) |
| Пряме падіння Vtm | 2.2 В макс. (Itm = 4 А) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор FQF16N65DF ( 16N65 ) оригінал (заміна для PY16N65MF , 16N65MF , STF16N65M2 , 16N65M2 , OSPF16N65 , PF16N65 )(16A,650V), TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (безперервний; корпус TO-263 у документі) |
| Rds(on) | 0,55 Ом макс. (типово 0,45 Ом; VGS=10 В, ID=8 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (типово; VDD=325 В, ID=16 А, VGS=0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2442 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc=25 °C; корпус TO-263 у документі) |
| Температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT030N065WED ( 030N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.75 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 30 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В) | 64.5 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG55R380F ( OSG55R380FF ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (GreenMOS) |
| Напруга Vds | 550 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 7 А |
| Rds(on) | 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А), 300 мОм тип. |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 12.5 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 549.3 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vsd діода | 1.3 В макс. (Is 11 А) |
| trr діода | 199 нс тип. |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Діод APT30DQ60BG ( APT30DQ60B , 30DQ60B ) оригінал, TO247-2pin
В наявності
160,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В (макс. повторювана) |
| Середній прямий струм IF(AV) | 30 А (TC 117 °C, шпаруватість 0,5) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 320 А (TJ 45 °C, 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 2,0 В (IF = 30 А, TJ 25 °C, типове, макс. 2,4 В); 1,7 В (IF = 30 А, TJ 125 °C, типове) |
| Зворотний струм Ir | 25 мкА (VR = 600 В, TJ 25 °C, максимум); 500 мкА (TJ 125 °C, максимум) |
| Ємність переходу Ct | 36 пФ (VR = 200 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,80 °C/Вт (максимум) |
| Діапазон температур TJ, TSTG | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-247-2 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60G65WE ( FGW60N65WE ) оригінал ( заміна для 60G65WD , RGT60TS65D ), TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 83 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.80 В (typ, Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 405 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 250 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW75N65FP оригінал , TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semi |
| Напруга колектор-емітер Vce | 650 В |
| Струм колектора Ic | 150 А (Tc 25 °C, обмежено Tjmax); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 225 А (Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 Вт (Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB3036 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Напруга Vdss | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (кристал) | 270 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 195 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 1,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 165 А) |
| Rds(on) макс. | 2,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 165 А) |
| Поріг Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 91 нКл тип. / 140 нКл макс. (ID = 165 А, VDS = 30 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 11210 пФ |
| Vgs | ±16 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
CRJT190N65GCF ( CRJT190N65GC ) – оригінальний транзистор ,TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 650 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.3 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 181 мОм тип., 210 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 245 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK16A60W ( K16A60W ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 15,8 А (Tc = 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idp | 63,2 А |
| Rds(on) тип. | 0,16 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,9 А) |
| Rds(on) макс. | 0,19 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,9 А) |
| Поріг Vth | 2,7–3,7 В (VDS = 10 В, ID = 0,79 мА) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1350 пФ |
| Vgss | ±30 В |
| Tch макс. | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS3205 оригінал, TO220
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 55 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 84 А |
| Rds(on) | 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 62 А), 7,6 мОм тип. |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4395 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vsd діода | 1.5 В макс. (Is 75 А) |
| trr діода | 135 нс тип. |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTP03N04N оригінал (заміна для FTP03N04N , SI030N040B ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 180 А |
| Rds(on) | 2.1 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP03N06NA оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Напруга Vds | 60 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 230 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 145 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.0 мОм тип., 3.6 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 95 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 98.4 нКл тип. (Vgs 10 В, Vdd 48 В, Id 115 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5681 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 284 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2756 оригінал, TO-3PF
В наявності
143,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга Vds | 450 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id | 18 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.4 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Id 1 мА, Vds=Vgs) |
| Потужність Pd | 80 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |