Магазин

Показано 889–912 із 3906Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Транзистор FHA30N50 ( 30N50 )(заміна для ITW30N50R ) оригінал, TO-3P

В наявності

376,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)30 А
Rds(on)250 мОм макс., Vgs 10 В, Id 15 А, Tc 25 °C
Vgs(th)2–4 В
Vgs±20 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)300 Вт
Tj макс.150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор CS4145 оригінал, TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds60 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)84 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)60 А
Rds(on)8.5 мОм типово, Vgs 10 В, Id 42 А (макс. 10 мОм)
Заряд затвора Qg82 нКл типово
Вхідна ємність Ciss5785 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2–4 В
Vgs±20 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)200 Вт
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникHuajing Microelectronics
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор S60N12S оригінал, D2PAK

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds60 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (25 °C)120 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)76 А (Tc 100 °C)
Rds(on)4.5 мОм типово (Vgs 10 В, Id 40 А; мін. 3.6, макс. 5.4 мОм)
Заряд затвора Qg86 нКл типово
Вхідна ємність Ciss3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.4–3.6 В (типово 3 В, Id 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd162 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга затвор-витік Vgs±25 В макс.
Тип каналуN
КорпусD2PAK
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор FGA60N60UFD ( FGA60N60 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
ТипIGBT Field Stop з вбудованим діодом
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА)
Струм Ic120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm180 А (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип., 2.4 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C)
Потужність Pd298 Вт (Tc 25 °C); 119 Вт (Tc 100 °C)
Вхідна ємність Cies2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-емітер Vges±20 В
Порогова напруга Vge(th)4.0–6.5 В (IC = 250 мкА, VCE = VGE)
Робоча температура Tj-55…+150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Реле 891WP-1A-C 12VDC обмотка на 12V

В наявності

134,42 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSong Chuan
Напруга обмотки12 В DC
Струм обмотки75 мА, 23 °C
Опір обмотки160 Ом ±10 %, 23 °C
Споживана потужність0.9 Вт (приблизно)
Напруга спрацюванняне більше 75 % від номінальної
Напруга відпусканняне менше 10 % від номінальної
Контактна група1A, один замикаючий контакт (SPNO)
Матеріал контактівAgSnO
Струм контактів25 А, 250 В AC (резистивне навантаження)
Опір контактівдо 100 мОм (1 А / 6 В DC)
Час спрацюваннядо 20 мс
Час відпусканнядо 10 мс
Ізоляція обмотка–контакти4500 В AC, 50/60 Гц, 1 хв
Електричний ресурс100000 циклів, 360 циклів/год
Механічний ресурс5000000 циклів, 18000 циклів/год
Робоча температура–40…+85 °C
Маса22 г (приблизно)
На канікулах до 20.11

Реле CHF-V-112DA2 обмотка на 12V ( заміна для CHF-S-112DA2 )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникChurod Electronics
Напруга обмотки12 В DC
Потужність обмотки900 мВт
Струм обмотки75 мА при 12 В DC, 23 °C
Опір обмотки160 Ом ±10 %, 23 °C
Напруга спрацюванняне більше 9 В DC
Напруга відпусканняне менше 0.6 В DC
Контактна група1 Form A (SPST, один замикаючий контакт)
Матеріал контактівAgSnO2
Час спрацюваннядо 20 мс
Час відпусканнядо 10 мс
Ізоляція обмотка–контакти4500 В AC, 50/60 Гц, 1 хв
Робоча температура–40…+85 °C
Габарити30.1 x 15.7 x 23.3 мм
Маса23 г (приблизно)
На канікулах до 20.11

Реле G4A-1A-E 12V ( G4A-1A-E-12VDC , G4A-1A-E-CN ) обмотка на 12V

В наявності

152,75 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникOmron
Напруга обмотки12 В DC
Контактна група1 замикаючий контакт (SPST-NO, 1a)
Навантаження контактів20 А, 250 В AC
Макс. комутована напруга250 В AC
Струм обмотки75 мА (12 В DC, 23 °C, ±10 %)
Опір обмотки160 Ом (12 В DC, 23 °C, ±10 %)
Потужність обмотки0.9 Вт
Напруга спрацювання70 % від номінальної (макс.)
Напруга відпускання10 % від номінальної (мін.)
Час спрацювання20 мс (макс.)
Час відпускання10 мс (макс.)
Електрична міцність обмотка–контакти4500 В AC, 50/60 Гц, 1 хв
Опір ізоляції1000 МОм (мін.), 500 В DC
Робоча температура-20…60 °C
Маса23 г (приблизно)
На канікулах до 20.11

Реле GT-1A-12D обмотка на 12V

В наявності

170,61 ₴
ПараметрЗначення
Напруга обмотки12 В DC
Контактна група1 група на замикання (SPNO)
Струм контактів25 А при 250 В AC (активне навантаження)
Опір обмотки160 Ом (±10 %, 23 °C)
Струм обмотки75 мА
Час спрацювання / відпусканнядо 20 мс / до 10 мс
Робоча температура-40…+85 °C
На канікулах до 20.11

Реле JQX-102F-12VDC обмотка на 12V ( заміна для HF102F-12VDC , HLS-102F-12VDC , HLS102F-12VDC )

В наявності

134,42 ₴
ПараметрЗначення
Напруга обмотки12 В DC
Навантаження контактів20 А, 250 В AC, активне навантаження
Напруга спрацювання8.4 В DC (макс.)
Напруга відпускання1.2 В DC (мін.)
Макс. напруга обмотки14.4 В DC
Час спрацювання20 мс (макс.)
Час відпускання10 мс (макс.)
Електрична міцність обмотка–контакти4500 В AC, 1 хв
Опір ізоляції1000 МОм при 500 В DC
Робоча температура-25…85 °C
На канікулах до 20.11

Реле RF-SS-112DMF обмотка на 12V

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWRG (Wangrong)
Контакти1 Form A (1 замикаючий)
Струм контактів20 А (250 В AC, активне навантаження)
Напруга комутації контактів250 В AC (при 20 А)
Напруга котушки12 В DC
Потужність котушки0,9 Вт (20 °C)
Опір котушки160 ±10% Ом (20 °C)
Струм котушки75 мА (20 °C)
Напруга спрацюванняне більше 9 В DC (20 °C)
Напруга відпусканняне менше 0,6 В DC (20 °C)
Час спрацюванняне більше 20 мс
Час відпусканняне більше 10 мс
Електрична міцність котушка–контакти4500 В AC (50/60 Гц, 1 хв)
Робоча температура–40…+105 °C (без конденсату)
Електричний ресурсне менше 100000 циклів
Вага22 г
На канікулах до 20.11

Транзистор CMH24N50 оригінал, TO247

В наявності

149,93 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)24 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)15 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg90 нКл типово
Вхідна ємність Ciss6300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (Id 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd290 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга затвор-витік Vgs±30 В макс.
Тип каналуN
КорпусTO-247
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор OST80N65HSM оригінал, TO247

В наявності

342,16 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)114 А
Струм колектора Ic (100 °C)80 А
Напруга насичення Vce(sat)1.35 В (тип.)
Вбудований діодє, trr 97 нс
Заряд затвора Qg224 нКл
Порогова напруга затвора Vge(th)4.2 В
Розсіювана потужність Pd395 Вт
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор MT3205A ( MT3205 ) оригінал, TO220

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds60 В (Tj 25 °C)
Струм стоку Id140 А (Tc 25 °C; обмежено корпусом до 75 А)
Rds(on)3.6 мОм типово (Vgs 10 В, Id 100 А; макс. 4.5 мОм)
Заряд затвора Qg121 нКл типово
Вхідна ємність Ciss3520 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (Id 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd250 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Напруга затвор-витік Vgs±20 В макс.
Тип каналуN
КорпусTO-220
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор HY3810P ( HY3810 ) оригінал (100V,180A), TO220

В наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds100 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА)
Струм Id180 А (TC = 25 °C); 132 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)5,0 мОм тип., 6,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 90 А)
Qg185 нКл (VDS = 80 В, VGS = 10 В, IDS = 90 А)
Вхідна ємність Ciss7889 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Потужність Pd346 Вт (TC = 25 °C)
Температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220FB-3L
ВиробникHUAYI
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор IRFB3206 оригінал ( заміна для YH3206 ) , TO220

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал (HEXFET)
Напруга Vds60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id210 А обмежено кремнієм, 120 А обмежено виводами (VGS = 10 В, TC = 25 °C); 150 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C)
Опір Rds(on)2,4 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А)
Qg120 нКл тип., 170 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА)
Потужність Pd300 Вт (TC = 25 °C)
Температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема PN7113W , so8

В наявності

192,23 ₴
ПараметрЗначення
Типдрайвер затворів MOSFET/IGBT
Виробник документаChipown (PN7113)
Напруга плаваючого каналудо 600 В
Вихідний струм3.0 А
Живлення драйвера10–20 В
Живлення логіки3.3–20 В
Робоча частотадо 100 кГц
КорпусSO-8
На канікулах до 20.11

Транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) демонтаж б/в, TO-3P

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга насичення Vce(sat)2,9 В (тип.) при IC 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C
Час спаду tf0,15 мкс (тип.), 0,35 мкс (макс.)
Вбудований діодє, RC-IGBT
Пряма напруга діода Vf1,7 В (тип.), 2,7 В (макс.) при IF 15 А
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies4500 пФ
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Транзистор IRG4PC50W ( G4PC50W ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

256,62 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT N-канал, без вбудованого діода
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Ic55 А (Tc 25 °C); 27 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm220 А
Напруга насичення Vce(on)2.25 В тип., 2.3 В макс. (IC = 27 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C)
Потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C); 78 Вт (Tc 100 °C)
Вхідна ємність Cies3700 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-емітер Vge±20 В
Порогова напруга Vge(th)3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Робоча температура Tj-55…+150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Транзистор CS20N50F оригінал (Заміна для CS20N50FF ) , TO220F

В наявності

59,69 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id20 А (TC = 25 °C); 12,5 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd45 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникCR Micro
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор CS19N40F оригінал, TO220F

В наявності

237,82 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCR Micro
Тип каналуN-канал
Напруга Vds400 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)19 А (TC=25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)12 А (TC=100 °C)
Rds(on)0,23 Ом тип., 0,30 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9,5 А)
Заряд затвора Qg42 нКл (ID=19 А, VDD=320 В, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss1919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd33 Вт (TC=25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор SW20N50D оригінал, TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)20 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)13 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А)0,25 Ом (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs±30 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)42 Вт
Заряд затвора Qg82 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4530 пФ (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2,5…4,5 В
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор NCE80H12 оригінал, TO220

В наявності

61,57 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNCE (Wuxi NCE Power Semiconductor)
Тип каналуN-канал
Напруга Vds80 В
Rds(on) тип.4.9 мОм (VGS=10 В, ID=40 А; макс. 6 мОм)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg тип.163 нКл (VDS=30 В, ID=30 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss6500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj175 °C
trr діода тип.42 нс (TJ=25 °C, IF=40 А, di/dt=100 А/мкс)
КорпусTO-220
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Комплект 6шт CRST041N08N оригінал, TO220

В наявності

410,31 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO
ТипMOSFET N-канал
Кількість у комплекті6 шт
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом), 109 А (TC=100 °C, за кремнієм)
Rds(on) тип.3.4 мОм (VGS=10 В, ID=50 А)
Vgs(th)2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd208 Вт (TC=25 °C)
Вхідна ємність Ciss6050 пФ
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор K50H603 оригінал ( IKW50N60H3 ) , TO247

В наявності

305,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА)
Струм Ic при Tc 25 °C100 А
Струм Ic при Tc 100 °C50 А
Напруга насичення Vce(sat)1,85 В (тип.), 2,30 В (макс.) при IC 50 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C
Заряд затвора Qg315 нКл
Вхідна ємність Cies2960 пФ
Потужність розсіювання Ptot333 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал
На канікулах до 20.11