Магазин
Транзистор ON NJW0281G+NJW0302G оригінали, TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | NJW0281G – NPN, NJW0302G – PNP (комплементарна пара) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 250 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 250 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic постійний | 15 А |
| Струм колектора імпульсний | 30 А (імпульс 5 мс, шпаруватість <10 %) |
| Струм бази Ib | 1,5 А |
| Потужність розсіювання Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | від -65 до +150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 75–150 (Vce = 5 В; Ic = 0,5 А, 1 А і 3 А) |
| Vce(sat) | 1,0 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 0,5 А) |
| Гранична частота fT | 30 МГц мін. (Ic = 1 А, Vce = 5 В, f = 1 МГц) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RJP63F3 ( RJP63F3A ) оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 630 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Ic | 40 А (Ta = 25 °C) |
| Напруга VCE(sat) | 1.7 В (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор ME60N03A оригінал (заміна для ME60N03L , FQD60N03L ) , DPAK
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 25 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Rds(on) | 8,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А); 13 мОм макс. (Vgs 4,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл (Vds 15 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1100 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1–3 В (Id 250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Matsuki |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK58E06N1 ( K58E06N1 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Струм стоку Id (з радіатором) | 58 А |
| Rds(on) типово | 4,4 мОм при Vgs = 10 В, Id = 29 А |
| Розсіювана потужність Pd | 110 Вт при Tc = 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл при Vdd ≈ 48 В, Vgs = 10 В, Id = 58 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCEP023N10LL , TOLL
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 300 А (Tc 25 °C), 220 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,7 мОм тип., макс. 2,3 мОм (Vgs 10 В, Id 150 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,0 В тип. (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 240 нКл тип. (Vds 50 В, Vgs 10 В, Id 150 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 14000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TOLL |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор STW40N95K5 ( 40N95K5 )(заміна для STWA40N95DK5 , STW40N95DK5 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (MDmesh K5) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 950 В (Vgs 0, Id 1 мА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C), 24 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 110 мОм (макс. 130) при Vgs 10 В, Id 19 А |
| Qg | 93 нКл (типове) при Vdd 760 В, Id 38 А, Vgs 0–10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 100 В, f 1 кГц) |
| Ptot | 450 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HUAYI G045N03 ( HYG045N03 , HYG045N03LA1D ) оригінал(заміна для FTD045N03NA ), D-PAK
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 80 А (Tc 25 °C), 56 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 290 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.8 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Qg | 47 нКл (тип.) при Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2156 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 57 Вт (Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG015N04 ( HYG015N04LS1C2 , G015N04 ) оригінал(40V/150A), PDFN5*6-8L
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 106 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 600 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.4 мОм тип., макс. 1.7 мОм (VGS 10 В, Id 20 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 2.0 мОм тип., макс. 2.4 мОм (VGS 4,5 В, Id 20 А) |
| Vgs(th) | 1,2–2,5 (тип. 1,9) В (VDS=VGS, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл тип. (VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Qg при 4,5 В | 27 нКл тип. (VGS 4,5 В) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG011N04 ( HYG011N04LS1C2 , G011N04 ) оригінал(40V/165A), PDFN5*6-8L
В наявності
54,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 660 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.1 мОм тип., макс. 1.4 мОм (VGS 10 В, Id 40 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 1.5 мОм тип., макс. 1.9 мОм (VGS 4,5 В, Id 40 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 (тип. 1,8) В (VDS=VGS, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 89 нКл тип. (VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5876 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Qg при 4,5 В | 41 нКл тип. (VGS 4,5 В) |
| Потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Fair G160N60UFD ( G160N60 , SGL160N60UFD , FGL160N60UFD ) оригінал демонтаж б/в, TO264
В наявності
385,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з діодом |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 160 А |
| Струм Ic (100 °C) | 80 А |
| Напруга VCE(sat) | 2.1 В (тип., IC = 80 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 345 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 5000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MXP4004DT оригінал ( заміна для MXP4004CT , MXP4004AT ) , TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | MaxPower Semiconductor |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 164 А (Tc 25 °C; обмеження корпусу 80 А) |
| Імпульсний струм Idm | 655 А (Tc 25 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) | 2.8 мОм тип., макс. 4 мОм (VGS 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл тип. (VDD 20 В, Id 82 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4037 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MXP4004BT ( MXP4004BTS ) оригінал, TO220
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 40 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 173 А |
| Імпульсний струм Idm | 693 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 24 А) | 2.5 мОм (тип.), макс. 4 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5016 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MaxPower Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Fair FQP17N40 ( 17N40 ) оригінал, TO220
В наявності
267,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N-канал, збагачення (QFET) |
| Напруга Vdss | 400 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 16 А (Tc 25 °C), 10.1 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 64 А |
| Rds(on) | 0.27 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (Vds 320 В, Id 17.2 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Pd | 170 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100S оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 1 А) | 3,5 Ом (тип.), 4,5 Ом (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 18,68 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 48 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | MASPOWER |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SKSS055N08N оригінал, TO263
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 86 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 4,3 мОм (тип.), 5,2 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GK110N20S ( HGK110N20S ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hunteck |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 132 А (обмеження кремнієм) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Rds(on) | 8,7 мОм тип., 10,9 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD = 100 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4970 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| trr | 140 нс (VR = 100 В, IF = 20 А, dIF/dt = 100 А/мкс) |
| Потужність Pd | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HY5012W ( HY5012 ) оригінал (125V,300A), TO247
В наявності
139,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 125 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 300 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 196 А |
| Rds(on) | 2,9 мОм тип., 3,6 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 150 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 352 нКл (VDS = 100 В, VGS = 10 В, IDS = 150 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 16300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs макс. | ±25 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LSD65R280HT оригінал, TO220F
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lonten |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 9,8 А |
| Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (тип. 3,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (VDD = 400 В, ID = 7,5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1040 пФ (Vds 100 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 33,2 Вт (TO-220MF, Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
