Магазин
Транзистор Infineon K40H603 оригінал ( IKW40N60H3 ) , TO247
В наявності
291,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT N-канал з антипаралельним діодом (H3, Trench + Field Stop) |
| Напруга Vce | 600 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (TC = 25 °C), 40 А (TC = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.95 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 223 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2190 пФ |
| Час спаду tf | 21 нс |
| Eoff | 0.58 мДж |
| Vf діода | 1.65 В (IF = 20 А) |
| trr діода | 124 нс |
| Потужність | 306 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод Fuji D92-02 ( ESAD92-02 ) оригінал ( заміна для FFA20U20DN , F20U20DN ), TO-3P
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод ультрашвидкий, здвоєний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А на діод (20 А на пристрій) |
| Пряма напруга Vf | 0,95 В макс. (If 10 А, Tc 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 35 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, –dI/dt 50 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Може замінити | FFA20U20DN, F20U20DN |
| Стан | Оригінал |
Діод Fair RHRG30120 оригінал, TO247-2pin
В наявності
220,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод надшвидкий (hyperfast), одиночний |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 1200 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (Tc 120 °C) |
| Пряма напруга Vf | 3,2 В макс. (If 30 А, Tc 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 85 нс макс. (If 30 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247-2 |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR1660CTR , загальний анод ( Заміна для MUR1660CA , MUR1660CTA , MUR1640CA , MUR1640CTA , MUR1640CTR , MOSPEC F12C40A , MOSPEC F12C60A) TO220-3pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм на діод (Rated VR, TC = 150 °C) | 8.0 А |
| Середній прямий струм, весь прилад (Rated VR, TC = 150 °C) | 16 А |
| Ударний прямий струм Ifsm (півхвиля, 60 Гц) | 100 А |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 150 °C) | 1.20 В |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 25 °C) | 1.50 В |
| Час відновлення trr (IF = 1.0 А, di/dt = 50 А/мкс) | 60 нс |
| Температура переходу Tj і зберігання Tstg | -65…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Конфігурація | загальний анод |
Діод WG MURF1660CTR оригінал (заміна для MUR1660FCA ), TO220F-3pin загальний анод
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм на діод (Rated VR, TC = 150 °C) | 8.0 А |
| Середній прямий струм, весь прилад (Rated VR, TC = 150 °C) | 16 А |
| Ударний прямий струм Ifsm (півхвиля, 60 Гц) | 100 А |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 150 °C) | 1.20 В |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 25 °C) | 1.50 В |
| Час відновлення trr (IF = 1.0 А, di/dt = 50 А/мкс) | 60 нс |
| Температура переходу Tj і зберігання Tstg | -65…+175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Конфігурація | загальний анод |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF1660CT оригінал (заміна для MUR1660FCT ), TO220F-3pin загальний катод
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм на діод (Rated VR, TC = 150 °C) | 8.0 А |
| Середній прямий струм, весь прилад (Rated VR, TC = 150 °C) | 16 А |
| Ударний прямий струм Ifsm (півхвиля, 60 Гц) | 100 А |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 150 °C) | 1.20 В |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 25 °C) | 1.50 В |
| Час відновлення trr (IF = 1.0 А, di/dt = 50 А/мкс) | 60 нс |
| Температура переходу Tj і зберігання Tstg | -65…+175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Конфігурація | загальний катод |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VS1401ATH ( 1401ATH ) оригінал ( заміна для KS12015T , KS12015CAT ) , TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vanguard Semiconductor |
| Позначення | VS1401ATH |
| Маркування | 1401ATH |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 200 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 142 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 14755 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG006N04 ( G006N04 , HYG006N04LS1TA ) оригінал(40V/600A), TOLL
В наявності
138,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Позначення | HYG006N04 |
| Маркування | G006N04 |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TOLL |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 600 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 424 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 0.45 мОм тип., 0.60 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 428 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 15400 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1B6 ) оригінал, TO263-6
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Позначення | HYG028N10NS1B6 |
| Маркування | G028N10 |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-263-6L |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 230 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 162 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 2.4 мОм тип., 3.1 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG035N10 ( HYG035N10NS2P , G035N10 ) оригінал, TO220
В наявності
73,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 127 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Id=50 А) | 3.2 мОм (макс. 4.0 мОм) |
| Qg (Vds=80 В, Vgs=10 В) | 115 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7270 пФ (Vds 50 В, f 500 кГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 220 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SKY CRST049N08N оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 95 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Id=50 А) | 4.1 мОм (макс. 4.9 мОм) |
| Qg (Vgs=10 В, Vds=42.5 В, Id=50 А) | 64 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4027 пФ |
| Pd (Tc 25 °C) | 189 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE6075K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 75 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 9.1 мОм, макс. 11.5 мОм (Vgs=10 В, Id=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE30H15K оригінал, D-PAK
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 600 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.0 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 4.4 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл (Vds=15 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE40H12K оригінал, D-PAK
В наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C), 85 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 330 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.6 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 5.8 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (Vds=20 В, Id=20 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF130F оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 28 А при Tc 25 °C; 18 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 112 А |
| Опір Rds(on) | 110 мОм тип., макс. 130 мОм (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,5 В тип., 3–4 В |
| Заряд затвора Qg | 37,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2070 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±30 В (AC, f > 1 Гц) |
| Потужність Pd | 35 Вт при Tc 25 °C (TO-220F) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCEP039N10D оригінал, TO263
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench II) |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 135 А при Tc 25 °C; 108 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 540 А |
| Опір Rds(on) | 3,5 мОм тип., макс. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 65 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0 В тип., 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 6400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST STP26N60M2 ( 26N60M2 ) оригінал, TO220
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (MDmesh M2) |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 13 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 80 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм тип., макс. 165 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип., 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1360 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 169 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDU1511 оригінал, PowerDFN56
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | Trench MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 2,4 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А) |
| Заряд затвора Qg | 51,8 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 15 В, ID = 28 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3347 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78,1 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STU446S оригінал, D-PAK
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 38 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 13 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 19 А) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Infineon BTS118D оригінал демонтаж, DPAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Розумний low-side ключ (HITFET), N-канал |
| Напруга Vds | 42 В (Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 70 мОм тип., 100 мОм макс. (VIN 10 В, ID 2,2 А, Tj 25 °C) |
| Номінальний струм | 3,2 А тип. (TA 85 °C, охолодження 6 см²) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор Fuji 2SK3469 ( K3469 ) оригінал, TO220F
В наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Super FAP-G) |
| Виробник | Fuji Electric |
| Vds (Tc 25 °C) | 500 В |
| Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) (ID 6 А, VGS 10 В) | 0.40 Ом (тип.), 0.52 Ом (макс.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ |
| Tch макс. | 150 °C |
| Vsd (IF 12 А, VGS 0 В) | 1.00 В (тип.), 1.50 В (макс.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IR IRFB7437 оригінал, TO220
В наявності
73,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (кристал) | 250 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (кристал, 100 °C) | 180 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (виводи) | 195 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) typ | 1.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 100 А, TJ = 25 °C) |
| Rds(on) max | 2.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 100 А, TJ = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.2 / 3.0 / 3.9 В (min/typ/max, VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Vgs max | 20 В |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7330 пФ |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.65 °C/Вт (max) |
| Тип | N-канал, HEXFET StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Fuji 2SK2723 ( K2723 ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
84,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Vds (Ta 25 °C) | 60 В |
| Id DC (Ta 25 °C) | 25 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 13 А) | 28 мОм (тип.), 40 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS 4 В, ID 13 А) | 45 мОм (тип.), 60 мОм (макс.) |
| Vgs(off) (VDS 10 В, ID 1 мА) | 1.0–2.0 В |
| Ciss | 830 пФ (тип.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 25 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Захисний діод затвор-витік | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GP GP47S60X оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Greatpower Microelectronic |
| Тип каналу | N |
| Напруга пробою Vds | 600 В |
| Струм Id | 47 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 15,6 А | 81 мОм макс. (типово 68 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87,967 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 3111,9 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 417 Вт (TO-247) |
| Без галогенів | так (Halogen Free) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |