Магазин
Термостат KSD-01F-H-40°C, TO220-2pin контакти нормально розімкнені
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Dongguan Fuyuanfuse Electronic Technology Co., Ltd. |
| Серія | KSD-01F |
| Температура спрацювання | 40 °C |
| Допуск температури спрацювання | ±5 °C (діапазон 30–100 °C) |
| Тип контактів | нормально розімкнені |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Навантаження контактів | 220 В / 1.5 А AC або 24 В / 1.5 А DC (резистивне навантаження) |
| Опір ізоляції | ≥50 МОм (нормальна температура і вологість) |
| Перехідний опір контактів | ≤100 мОм |
| Електрична міцність ізоляції | ≥500 В (товщина 0.35 мм) |
| Маса | <2 г |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,65 В (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) тип. | 5,8 В |
| Заряд Qg тип. | 198 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2589 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Eoff тип. | 2,4 мДж (Tj 25 °C) |
| Час спаду tf тип. | 33 нс (Tj 25 °C) |
| Діод | є, Vf 1,55 В |
| Потужність | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP30E2 , TO220F оригінал
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 35 А |
| Vce(sat) тип. | 1,7 В (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Vge(off) | 2,5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд Qg тип. | 34 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf тип. | 150 нс |
| Потужність | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Діод 30ETH06 оригінал(600V,30A,28ns) , TO-220-2pin
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (TC = 103 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 200 А (неповторюваний, TJ = 25 °C) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2.6 В (IF = 30 А, TJ = 25 °C) |
| Час відновлення trr | 28 нс (тип.) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Супресор SMAJ18CA ( маркування XT ) smd двоспрямований
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | TVS-діод (супресор), двонапрямлений |
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Маркування | XT |
| Робоча напруга Vwm | 18 В (Ta 25 °C) |
| Напруга пробою Vbr | 20.0–22.1 В (IT = 1.0 мА, Ta 25 °C) |
| Струм витоку | 1.0 мкА (при Vwm, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ippm | 13.7 А (імпульс 10/1000 мкс) |
| Напруга обмеження Vc | 29.2 В (при Ippm = 13.7 А) |
| Імпульсна потужність Pppm | 400 Вт (хвиля 10/1000 мкс, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 3.3 Вт (на нескінченному тепловідводі, Ta 50 °C) |
| Температурний діапазон | -55…+150 °C |
Супресор SMAJ18A ( маркування BT ) smd односпрямований
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча зворотна напруга Vrwm | 18 В |
| Напруга пробою Vbr (мін./макс.) | 20,0–22,1 В при IT 1,0 мА, Tj 25 °C |
| Напруга обмеження Vc (10/1000 мкс) | 29,2 В при Ipp 13,7 А |
| Напруга обмеження Vc (8/20 мкс) | 38,0 В при Ipp 68,5 А |
| Пікова імпульсна потужність Ppp | 400 Вт (1 мс, 25 °C) |
| Піковий прямий струм IFSM | 40 А (8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 3,5 В при 35 А, 25 °C |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
Супресор SMAJ15A ( маркування BM ) smd односпрямований
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | TVS-діод (супресор), однонапрямлений |
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Маркування | BM |
| Робоча напруга Vwm | 15 В (Ta 25 °C) |
| Напруга пробою Vbr | 16.7–18.5 В (IT = 1.0 мА, Ta 25 °C) |
| Струм витоку | 1.0 мкА (при Vwm, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ippm | 16.4 А (імпульс 10/1000 мкс) |
| Напруга обмеження Vc | 24.4 В (при Ippm = 16.4 А) |
| Імпульсна потужність Pppm | 400 Вт (хвиля 10/1000 мкс, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 3.3 Вт (на нескінченному тепловідводі, Ta 50 °C) |
| Температурний діапазон | -55…+150 °C |
| Ifsm | 40 А (8.3 мс, одна напівхвиля) |
| Vf | 3.5 В (при If = 25 А) |
Транзистор 2SB772 smd , sot89
В наявності
15,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vcbo | –40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | –30 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | –3 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0,5 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 60–400 (Vce –2 В, Ic –1 А) |
| Гранична частота fT | 50 МГц мін. |
| Корпус | SOT-89 |
| Температура переходу | до 150 °C |
Мікросхема TOP268VG , eDIP-12
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Напруга стік–витік (мін.) | 725 В (Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Tj 25 °C | 1.7 Ом, макс. 1,95 Ом (ID = 500 мА) |
| Rds(on) при Tj 100 °C | 2.5 Ом, макс. 2,9 Ом (ID = 500 мА) |
| Струм обмеження | 3.25 А (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (опція 66 кГц) |
| Піковий струм стоку (абс. макс.) | 6.88 А |
| Робоча температура переходу | −40…150 °C |
Транзистор 65R280Q ( MME65R280Q ) оригінал, D2PAK (700V,13.8A)
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (super junction) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА); 700 В при Tj max |
| Струм Id | 13,8 А (Tc 25 °C); 8,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом макс.; 0,25 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 4,4 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 27,8 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 520 В, Id 13,8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 104,2 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) демонтаж б/в , TO247
В наявності
192,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Vce(sat), тип. | 1,65 В (VGE = 15 В, IC = 50 А, TJ = 25 °C) |
| Вбудований діод | так, швидкий м’який |
| trr діода | 85 нс (IF = 50 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, TJ = 25 °C) |
| Qg | 310 нКл (VCE = 480 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7500 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 90 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,35 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 74 нс тип. (Ic 30 А, Vce 400 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Потужність Pc | 328,9 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод F08S60S оригінал демонтаж, TO220-2pin(600V,8A)
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | швидкий діод Stealth II |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(AV) | 8 А (Tc 115 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 80 А (60 Гц, одна напівхвиля синуса) |
| Пряма напруга Vfm | 2,1 В тип. / 2,6 В макс. (If 8 А, Tc 25 °C); 1,6 В тип. (If 8 А, Tc 125 °C) |
| Зворотний струм IRM | до 100 мкА (Vr 600 В, Tc 25 °C); до 500 мкА (Tc 125 °C) |
| Час відновлення trr | до 25 нс (If 1 А, di/dt 100 А/мкс, Vr 30 В, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,5 °C/Вт макс. |
| Температура переходу і зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Корпус (докладно) | TO220-2pin (TO-220-2L), 1 – катод, 2 – анод |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод R860P2 , ISL9R860P2 оригінал демонтаж, TO220-2pin(600V,8A)
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | швидкий діод Stealth |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(AV) | 8 А (Tc 147 °C) |
| Повторюваний піковий струм Ifrm | 16 А (меандр 20 кГц) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 100 А (напівхвиля, 1 фаза, 60 Гц) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2.4 В (If 8 А, Tc 25 °C); 2.0 В (If 8 А, Tc 125 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 100 мкА (Vr 600 В, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 25 нс (If 1 А, dif/dt 100 А/мкс, Vr 30 В) |
| Ємність переходу Cj (тип.) | 30 пФ (Vr 10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 85 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.75 °C/Вт (макс.) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема FSD210 оригінал, DIP7 ( заміна для TDA865 )
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стік–витік (мін.) | 700 В (VCC = 0 В, ID = 100 мкА) |
| Rds(on) | 28 Ом, макс. 32 Ом (Tj = 25 °C, ID = 25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (Tj = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 65 % (Vfb = 3,5 В) |
| Піковий струм обмеження | 0,32 А |
| Макс. напруга живлення | 20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | від –25 до +85 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD1884
В наявності
64,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 5 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 20 А |
| Потужність Pc | 60 Вт (Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| hFE1 | 8 мін. (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Корпус | TO-3PML |
Діод SF10A400HD оригінал , D-PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | надшвидкий діод, одиночний |
| Виробник | Kodenshi AUK Group |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(AV) | 10 А |
| Ударний прямий струм Ifsm | 60 А (8,3 мс, половина синусоїди, на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vfm (макс.) | 1.40 В (If 10 А, Tj 25 °C); 1.20 В (If 10 А, Tj 125 °C) |
| Зворотний струм Irm (макс.) | 20 мкА (Vr = Vrrm, Tj 25 °C); 200 мкА (Vr = Vrrm, Tj 125 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 30 нс (If 1 А, di/dt -100 А/мкс) |
| Ємність переходу Cj (тип.) | 65 пФ (Vr 10 В, 1 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 6.0 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SMK630 ( SMK630D ) оригінал , D-PAK
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Kodenshi AUK Group |
| Напруга Vds | 200 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 9 А (Tc 25 °C); 5,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4,5 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 12 нКл тип. (Vds 160 В, Vgs 10 В, Id 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP8N60 оригінал (заміна для FIR8N60P, HM8N60P , 07N60C2 , MTP6N60E )(600V,8A), TO220
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 8.0 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 4.0 А) | 1.2 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg | 28 нКл (тип.), 36 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 965 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 147 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgss макс. | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Feihong |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BFR93A , sot23
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 12 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 20 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 300 мВт (Ts ≤ 111 °C) |
| hFE | 70–140 (Ic 30 мА, Vce 8 В) |
| fT | 6 ГГц (Ic 30 мА, Vce 8 В, f 500 МГц) |
| NFmin | 1,5 дБ (Ic 5 мА, Vce 8 В, f 900 МГц) |
| Виробник | Infineon |
DC-DC перетворювач знижуючий з підтримкою протоколов швидкої зарядки QC2.0, QC3.0…
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | DC-DC перетворювач знижуючий |
| Протоколи швидкої зарядки | QC2.0, QC3.0 |
Демонтаж
Транзистор 2SK3568 оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id (Ta 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 6 А) | 0.4 Ом (тип.), 0.52 Ом (макс.) |
| Vth (Vds 10 В, Id 1 мА) | 2.0–4.0 В |
| Qg | 42 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 40 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Vgss макс. | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема IR2109S , so-8
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Драйвер напівмоста для MOSFET та IGBT |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| VOFFSET | 600 В (максимум) |
| Живлення драйвера VOUT | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+/- | 120 / 250 мА |
| ton/off (типове) | 750 / 200 нс |
| Мертва пауза | 540 нс |
| Логіка входів | 3,3 В, 5 В та 15 В |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор FIR12N80AN ( HM12N80M ) , TO-3P(800V,12A)
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 800 В |
| Струм Id (Tj 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 5.0 А) | 1.0 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3–5 В |
| Qg | 45 нКл (тип.), 58 нКл (макс.) |
| Pd (Tj 25 °C) | 239 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Канал | N-канал |
| Виробник | American First Semiconductor |