Магазин
Транзистор UTC12N65L ( 12N65L ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга стік–витік Vds | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDS 520 В, ID 12 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | UTC |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A60D ( K15A60D ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (MOS, підвищення) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (DC) | 15 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 7.5 А | тип. 0.31 Ом, макс. 0.37 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Тепловий опір канал–корпус | макс. 2.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P40V65FDR1 ( P40V65 , SGTP40V65FDR1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
352,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним швидким діодом |
| Напруга Vce | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.65 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3150 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP40T11K оригінал, DPAK
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 110 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 85 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 55 А | тип. 2.4 мОм, макс. 3.5 мОм |
| Rds(on) при VGS 4.5 В, ID 55 А | тип. 3.3 мОм, макс. 4.8 мОм |
| Vgs(th) | тип. 1.7 В (1.2–2.2 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3510 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K40T120 ( IKW40T120 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 75 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HYG022N10NS1TA ( HYG022N10 ) оригінал, TOLL
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TOLL |
| Напруга стік–витік Vds | 100 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 249 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 176 А |
| Rds(on) | 2,2 мОм тип., 2,8 мОм макс. (VGS 10 В, IDS 50 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,1 В), VDS=VGS, IDS 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 160,5 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 80 В, IDS 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 9026 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 312 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GP28S50G оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Greatpower Microelectronic (Champion) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO220F (у документі TO-220FP) |
| Напруга стік–витік Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tj 25 °C) | 28 А |
| Rds(on) | 125 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40,7 нКл (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1517.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор CRST055N08N оригінал ( заміна для CRST055N08NP ), TO220
В наявності
50,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга стік–витік Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А (обмеження корпусом) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 86 А |
| Rds(on) | 4,6 мОм тип., 5,5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (VGS=10 В, VDS=40 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CRJQ30N60G2F оригінал демонтаж, TO247
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 83 А при Tc 25 °C; 55 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 28 мОм тип., 33 мОм макс. (VGS=10 В, ID=42 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,2–4,6 В при VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (VGS=10 В, VDS=480 В, ID=42 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6000 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 595 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 6R125C6 ( IPW60R125C6 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET, N-канал, CoolMOS C6 |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=0,25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку ID | 30 А (TC=25 °C); 19 А (TC=100 °C) |
| RDS(on) | 0,125 Ом макс. (VGS=10 В, ID=14,5 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип. (VDD=480 В, ID=14,5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2127 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 219 Вт (TC=25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 65F6048A ( IPW65R048CFDA ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
139,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мін.) |
| Струм Id | 63,3 А при Tc 25 °C; 40 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0,043 Ом тип., 0,048 Ом макс. (VGS=10 В, ID=29,4 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,5–4,5 В (тип. 4 В) при VDS=VGS, ID=2,9 мА |
| Заряд затвора Qg | 270 нКл (VDD=480 В, ID=44,2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7440 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 500 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| trr діода | 240 нс (VR=400 В, IF=44,2 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD1624 ( 2SD1624G , 2SD1624G-S-AB3-R , 2SD1624L ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | 50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 3 А (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 6 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (TA 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | 100–560 (Vce 2 В, Ic 100 мА) |
| Vce(sat) | 0,19 В typ, 0,5 В max (Ic 2 А, Ib 100 мА) |
| Гранична частота fT | 150 МГц typ (Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Ємність Cob | 25 пФ typ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1020G ( 2SA1020G-Y-AB3-R ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | –50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | –50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | –2 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (SOT-89, TA 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE1 | 70–240 (Vce –2 В, Ic –0,5 А) |
| hFE2 (мін.) | 40 (Vce –2 В, Ic –1,5 А) |
| Vce(sat) макс. | –0,5 В (Ic –1 А, Ib –0,05 А) |
| Ємність Cob | 80 пФ (Vcb –10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TPS65198 , QFN-28
В наявності
112,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Виходи | 6 CLK, VST, RESET, ODD, EVEN, VGH_F, VGH_R, DISCHARGE |
| Напруга VGH1, VGH2 | 15–38 В |
| Напруга VGL | –3…–23 В |
| Різниця VGH – VGL | 18–56 В |
| Напруга живлення підсилювача AVDD | 8–20 В |
| Робоча температура навколишнього середовища | –40…85 °C |
| Робоча температура переходу | –40…125 °C |
| Корпус | QFN 28 виводів, 4×4 мм |
Мікросхема THS7374IPWR ( THS7374 , THS7374IPW ) оригінал, TSSOP-14
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість каналів | 4 |
| Вбудований фільтр | 6-го порядку, Баттерворта, 9,5 МГц (за рівнем –3 дБ) |
| Смуга пропускання ±1 дБ | 8,2 МГц |
| Загасання | 54 дБ на 27 МГц |
| Смуга в режимі обходу фільтра | 150 МГц (за рівнем –3 дБ) |
| Підсилення | 6 дБ (2 В/В) |
| Напруга живлення | 3–5 В |
| Струм споживання | 9,6 мА при VS+ = 3,3 В |
| Корпус | TSSOP-14 (PW) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8947J оригінал демонтаж
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP |
| Корпус | DBS17P |
| Напруга живлення (робоча) | 9 / 18 / 26 В (мін / тип / макс) |
| Струм спокою | 100 мА тип. при VCC = 18 В |
| Потужність BTL | 18 Вт тип. при THD = 10 %, RL = 8 Ом, VCC = 18 В |
| Потужність SE | 8,5 Вт тип. при THD = 10 %, RL = 4 Ом, VCC = 18 В |
| Підсилення SE / BTL | 26 дБ / 32 дБ |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA7563B оригінал демонтаж
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | 4-канальний мостовий підсилювач класу SB |
| Вихідна потужність на канал | 28 Вт (RL 4 Ом, 1 кГц, THD 10 %, Vs 14.4 В, типове) |
| Напруга живлення | 8–18 В |
| Струм спокою | 170 мА (макс. 300 мА), Vs 14.4 В |
| Підсилення | 30 / 16 дБ (вибір по I2C) |
| Корпус | Flexiwatt27 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема LM1876TF оригінал
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | TO-220, 15 виводів |
| Вихідна потужність на канал | 20 Вт (тип.), 4 або 8 Ом, THD+N менше 0.1 % |
| Напруга живлення |VCC| + |VEE| | 20–64 В |
| Струм Standby | 4.2 мА (тип.) |
| Розсіювана потужність | 62.5 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2 °C/Вт (NDB) / 1 °C/Вт (NDL) |
| Робоча температура | –20…+85 °C |
| Стійкість до ESD (HBM) | 2000 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG3002 , so-8
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 1 |
| Напруга живлення VCC | 3–30 В (рекомендовано 8–20 В) |
| Пік струму витоку OUTD | 1 А (мін. 0.8 А) |
| Пік струму втікання OUTS | 1.2 А (мін. 1 А) |
| Струм споживання Icc | 2 мА (макс. 3.5 мА), VCC 12 В |
| Час наростання Tr | 80 нс (CL = 0), 160 нс (CL = 1000 пФ) |
| Час спаду Tf | 20 нс (CL = 0) |
| Затримка вмикання Ton | 200 нс (CL 1 нФ) |
| Затримка вимикання Toff | 80 нс (CL 1 нФ) |
| Робоча температура | –45…+105 °C |