Магазин
Мікросхема LA76810B
В наявності
98,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | DIP54S (600 mil) |
| Напруга живлення рекомендована (V8, V31, V43) | 5,0 В |
| Напруга живлення максимальна (V8, V31, V43) | 7,0 В |
| Потужність розсіювання Pd max | 1,6 Вт |
| Робоча температура | -10…65 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
Мікросхема STRA6061H ( STR-A6061H , A6061H ) оригінал, DIP7
В наявності
179,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму з вбудованим MOSFET |
| Vdss | 700 В (мін., IDS 300 мкА) |
| Rds(on) | 3,95 Ом (макс., IDS 0,4 А) |
| Піковий струм стоку | 2,5 А (одиночний імпульс) |
| Частота перемикання | 100 кГц (версія HZ) |
| Вихідна потужність (AC 230 В) | 20,5 Вт (безперервна, 50 °C) |
| Вихідна потужність (AC 85–265 В) | 15 Вт (безперервна, 50 °C) |
| Vcc, макс. | 32 В |
| Vcc(on) | 15,0 В (типово) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Виробник | Sanken |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MIP2K4 , DIP7 ( меняет MIP2K3 , MIP2K2 )
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга Vdss | 700 В |
| Струм обмеження Ilimit | 0.70 А |
| Вихідна потужність (орієнтовно) | до 10 Вт |
| Частота перетворення (середня) | 100 кГц (типово) |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема MP1470 ( MP1470GJ ) , sot23-6
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Синхронний понижуючий DC-DC, режим струму, Power-Save AAM |
| Вхідна напруга VIN | 4.7–16 В |
| Вихідний струм | 2 А (безперервний) |
| Частота перетворення | 500 кГц (VIN 12 В) |
| Опорна напруга VFB | 0.8 В |
| Rds(on) верхнього ключа | 163 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Rds(on) нижнього ключа | 86 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Струм обмеження | 3.7 А (тип., VIN 12 В) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
Мікросхема SY8008C , sot23-5 ( заміна для SY8008A )
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Синхронний понижуючий DC-DC |
| Вхідна напруга VIN | 2.5–5.5 В |
| Вихідний струм | 1.2 А |
| Частота перетворення | 1.5 МГц (VIN 5 В) |
| Опорна напруга | 0.6 В |
| Rds(on) верхнього ключа | 200 мОм (IOUT 100 мА, VIN 5 В, TA 25 °C) |
| Rds(on) нижнього ключа | 150 мОм (IOUT 100 мА, VIN 5 В, TA 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
| Виробник | Silergy |
Мікросхема LD5530 ( LD5530R , LD5530RGL ) , sot23-6
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер, Green Mode, керування за струмом |
| Виробник | Leadtrend Technology |
| Частота перемикання | 65 кГц |
| Напруга живлення VCC | 8.0–26.5 В |
| Напруга VCC, макс. | 30 В |
| Поріг увімкнення UVLO | 16 В (15–17 В, VCC 15 В, TA 25 °C) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.5 В (7.0–8.0 В) |
| Захист VCC OVP | 28.5 В (27.5–29.5 В) |
| Струм запуску | <1 мкА |
| Робочий струм | 1.85 мА (VCOMP = 3 В, 1 нФ на OUT) |
| Струм драйвера виходу OUT | 250 / -500 мА |
| Температура переходу | -40…125 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
Діод Шоттки SR5200 ( заміна для SB5200 , MBR5200 ) (5A,200V)
В наявності
16,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки одиночний |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм | 5 А |
| Пряма напруга Vf | 0,92 В при If = 5 А, Ta = 25 °C |
| Ударний прямий струм Ifsm | 120 А (8,3 мс, одна напівсинусоїда) |
| Ємність переходу Cj | 200 пФ (тип., 1 МГц, Vr = 5 В) |
| Корпус | DO-201AD |
| Корпус (докладно) | DO-27 (DO-201AD), аксіальний |
Мікросхема TEA1753T , so-16
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Контролер PFC + flyback (GreenChip), HV start-up |
| Корпус | SO-16 |
| Мережева напруга | 70–276 В AC |
| Макс. VCC | 38 В (абсолютний максимум) |
| Напруга запуску VCC | 22 В тип. (21–23 В, Tamb = 25 °C) |
| Поріг блокування VCC | 15 В тип. (14–16 В, Tamb = 25 °C) |
| Макс. напруга HV | 650 В (абсолютний максимум) |
| Струм драйверів затворів | ±2 А (абсолютний максимум, шпаруватість < 10 %) |
| Повна розсіювана потужність | 0.6 Вт (Tamb < 75 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TOP204YN ( TOP204YAI ) , TO220-3
В наявності
54,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | ШІМ-перемикач мережевого живлення (TOPSwitch) |
| Корпус | TO-220 |
| Пробивна напруга стік-витік | 700 В (IC = 4 мА, ID = 500 мкА, TA = 25 °C) |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, відносно SOURCE) |
| Rds(on) при Tj = 25 °C | 2.6 Ом тип. / 3.0 Ом макс. (ID = 300 мА) |
| Rds(on) при Tj = 100 °C | 4.3 Ом тип. / 5.0 Ом макс. (ID = 300 мА) |
| Обмеження струму | 2.25–3.15 А (di/dt = 500 мА/мкс, Tj = 25 °C) |
| Частота генератора | 100 кГц тип., 90–110 кГц (IC = 4 мА, Tj = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % тип., 64–70 % (IC = ICD1 + 0.5 мА) |
| Температура переходу | від -40 до 150 °C (абсолютний максимум) |
Мікросхема FAN4801 , DIP16
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC + PWM |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Співвідношення частот PFC : PWM | 1:1 |
| Частота PFC і PWM | 64 кГц (60–67 кГц, RT 6.8 кОм, CT 1000 пФ, -40…105 °C) |
| Частота RT/CT | 256 кГц (240–268 кГц, VDD 14 В) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 30 В |
| Поріг увімкнення VDD | 11 В (10–12 В, VDD 15 В, TA 25 °C) |
| Струм запуску | 80 мкА (макс.) |
| Робочий струм | 2.6 мА (2.0–5.0 мА, VDD 15 В) |
| Опорна напруга VREF | 7.5 В (7.4–7.6 В) |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема APW7070A , so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Синхронний понижуючий DC-DC, режим струму |
| Виробник | ANPEC |
| Вхідна напруга VIN | 4.75–20 В |
| Вихідна напруга | 0.8 – 90% VIN |
| Вихідний струм | 3 А (макс.) |
| Частота перетворення | 380 кГц (340–420 кГц, VIN 4.75–20 В) |
| Rds(on) верхнього ключа | 80 мОм (тип., макс. 100 мОм, TJ 25 °C) |
| Rds(on) нижнього ключа | 80 мОм (тип., макс. 100 мОм, TJ 25 °C) |
| Струм обмеження верхнього ключа | 5.5 А (тип., 4.0–7.0 А) |
| Опорна напруга | 0.8 В (±2.5%) |
| ККД | до 93% |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP-8P |
Демонтаж
Процесор M37102M8-C41SP ( JVC MZ2-V1.0 ) демонтаж
В наявності
493,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mitsubishi Electric |
| Корпус | S-DIP, 64 виводи |
| Напруга живлення | 5 ±10% В |
| Тактова частота | 4 МГц |
| ПЗП (базова модель M37102M8-XXXSP) | 16384 байт |
| ОЗП | 320 байт |
| Позначення на платі | JVC MZ2-V1.0 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TOP233P ( TOP233PN ) , DIP8
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | off-line ШІМ-перемикач із MOSFET |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (DIP-8B, P) |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN | 1,6 А |
| Струм самозахисту ILIMIT | 1,000 А (0,930–1,070 А), TJ = 25 °C |
| RDS(on) | 7,8 Ом тип. (ID = 100 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (124–140 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 78 % |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема LA42102 оригінал , короткі висновки
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo |
| Вихідна потужність | 10 Вт (мін. 8 Вт) × 2 канали, VCC 14 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 % |
| Рекомендована напруга живлення | 14 В |
| Допустимий діапазон живлення | 10–17 В |
| Макс. напруга живлення | 17 В |
| Опір навантаження | 8 Ом |
| Допустима потужність розсіювання | 15 Вт (Ta 25 °C, нескінченний радіатор) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Струм спокою | 70 мА (40–140 мА), VCC 14 В |
| Корпус | SIP13H (13 виводів) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU2508AX
В наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Ths 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 15 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT399 |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Мікросхема ICE3BR0665JF ( 3BR0665JF ) , TO220F-6
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds (MOSFET) | 650 В (V(BR)DSS мін.) |
| Rds(on) при Tj 25 °C | 0,59 Ом (тип.), 0,66 Ом (макс.) |
| Rds(on) при Tj 125 °C | 1,31 Ом (тип.), 1,46 Ом (макс.) |
| Частота перетворення | 67 кГц (58–75 кГц), Tj 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 23 А (Tj макс. 150 °C) |
| Потужність розсіювання | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В (17,0–19,0 В) |
| Поріг вимикання VCC | 10,5 В (9,8–11,2 В) |
| Корпус | TO-220F-6L |
Мікросхема TPA3116D2 оригінал, HTSSOP-32
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | стерео підсилювач класу D |
| Напруга живлення PVCC, AVCC | 4,5–26 В (рекомендований діапазон) |
| Вихідна потужність | 2 × 50 Вт (4 Ом BTL, 21 В) |
| Частота перемикання | до 1,2 МГц |
| Робоча температура | –40…85 °C |
| Корпус | HTSSOP-32 (DAD), PowerPAD зверху |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G30T60 ( IGW30N60T ) оригінал , TO247
В наявності
330,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор-емітер Vce | 600 В (Tj ≥ 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(puls) | 90 А (tp обмежено Tjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В тип., 2.05 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 167 нКл (VCC = 480 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 187 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Маркування | G30T60 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8361 демонтаж
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | PAL/NTSC TV-процесор |
| Напруга живлення | 7,2–8,8 В (типово 8,0 В) |
| Струм споживання | 80 мА (типове значення) |
| Споживана потужність | 700 мВт |
| Корпус | SDIP52 |
| Кількість виводів | 52 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TOP258YN демонтаж, TO220
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO-220 |
| Максимальна пікова напруга DRAIN | 700 В |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін.) при IC = 4 мА, TJ = 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 4,30 А при TJ = 25 °C |
| RDS(ON) | 1,7 Ом (тип.) при ID = 500 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (FREQUENCY з’єднаний з SOURCE) |
| Стан | Демонтаж б/в |