Магазин
Транзистор NCEP60T15G ( P60T15G ) оригінал, DFN5*6
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 150 А при Tc 25 °C; 105 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,1 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,8 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS=30 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW3205 ( SWP3205 ) , TO220
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Samwin |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 55 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C), 75 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 8 мОм макс. (VGS 10 В, ID 59 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3240 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Мікросхема SLM346 ( SLM346CK-DG ) оригінал, so-6
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Ізольований драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO6 подовжений (stretched), 6 виводів |
| Вихідний струм (джерело) | 2,5 А (макс., пік) |
| Вихідний струм (приймач) | 2,5 А (макс., пік) |
| Напруга ізоляції | 5 кВ (діюче; 1 хв, UL 1577, сертифікація в планах; підсилена ізоляція) |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–40 В |
| Затримка поширення | 140 нс (макс.) |
| Спотворення ширини імпульсу | 35 нс (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL24N90 ( 24N90 , GL24N90A47 , GL24N90A ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (VDMOSFET) |
| Виробник | Wuxi Guang Lei |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 900 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 350 мОм макс. (VGS 10 В, ID 12 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 400 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 550 нс тип. (IS 24 А, dIF/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL25N50 ( 25N50 , GL25N50B47 , GL25N50AN ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм тип., 240 мОм макс. (VGS 10 В, ID 14 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл тип. (VDS 400 В, ID 25 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60R380F ( BLS60R380F-P ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6,93 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 3,8 А | 0,32 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 21,1 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 100 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Belling |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT030N04L оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 2.9 мОм (тип.), 3.3 мОм (макс.) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, Id 30 А | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.3…2.7 В |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5734 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 160 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HEM ( OST60N65HEMF ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5651 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG75N120J оригінал, TO264
В наявності
470,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | DAXIN |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-264 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 75 А |
| Напруга Vce(sat) | 2,2 В тип. (VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 833 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 оригінал ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ), TO-3P
В наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16.5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9.9 А |
| Опір Rds(on) макс. | 380 мОм (Vgs 10 В, Id 8,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS180N06 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 116 А |
| Опір Rds(on) макс. | 4 мОм (VGS = 10 В, ID = 90 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 245 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4882 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон OR3120 оригінал, SOP8
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Orient (Shenzhen Orient Components) |
| Піковий вихідний струм IOH / IOL | 3,0 А (абсолютний максимум) |
| Робочий вхідний струм | 7–16 мА |
| Середній вхідний струм | 25 мА (абсолютний максимум) |
| Низький рівень виходу VOL | 0,25 В (макс.) |
| Струм споживання | 3 мА (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMR | 35 кВ/мкс (мін.) при Vcm = 1500 В |
| Затримка розповсюдження | 0,2 мкс (макс.) |
| Поріг UVLO (вкл. / викл.) | 12,7 / 11,2 В (тип.), гістерезис 1,5 В |
| Робоча температура | -40…110 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CHL8510CRT оригінал, DFN10
В наявності
86,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер верхнього та нижнього N-канальних MOSFET |
| Напруга живлення драйверів | 4.5–13.2 В |
| Рекомендована напруга Vcc | 12 ±10 % |
| Струм нижнього драйвера (джерело / сток) | 4 / 6 А |
| Струм верхнього драйвера (джерело / сток) | 3 / 4 А |
| Частота перемикання | 200–1000 кГц |
| Температура середовища | 0–85 °C |
| Корпус | DFN-10 |
| Стан | Оригінал |
