Магазин
Мікросхема EG2104S оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга VB | 600 В (макс., TA 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO– | 1.5 А |
| Максимальна частота | 500 кГц |
| Рівень вхідної логіки | 3.3 / 5 В |
| Гранично допустима температура середовища | –45…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP60T15G ( P60T15G ) оригінал, DFN5*6
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 150 А при Tc 25 °C; 105 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,1 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,8 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS=30 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Електролітичний конденсатор 820uF 550V 105C ( 820мкФ 550В 105град , 820*550*105гр ) жорсткі виводи 35*50мм
В наявності
752,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 820 мкФ |
| Робоча напруга | 550 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 35×50 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 270uF 550V 105C ( 270мкФ 550В 105град , 270*550*105гр ) жорсткі виводи 35*50мм
В наявності
470,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 270 мкФ |
| Робоча напруга | 550 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 35×50 мм |
| Виводи | жорсткі |
Транзистор SW3205 ( SWP3205 ) , TO220
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Samwin |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 55 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C), 75 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 8 мОм макс. (VGS 10 В, ID 59 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3240 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Мікросхема SLM346 ( SLM346CK-DG ) оригінал, so-6
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Ізольований драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO6 подовжений (stretched), 6 виводів |
| Вихідний струм (джерело) | 2,5 А (макс., пік) |
| Вихідний струм (приймач) | 2,5 А (макс., пік) |
| Напруга ізоляції | 5 кВ (діюче; 1 хв, UL 1577, сертифікація в планах; підсилена ізоляція) |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–40 В |
| Затримка поширення | 140 нс (макс.) |
| Спотворення ширини імпульсу | 35 нс (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL24N90 ( 24N90 , GL24N90A47 , GL24N90A ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (VDMOSFET) |
| Виробник | Wuxi Guang Lei |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 900 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 350 мОм макс. (VGS 10 В, ID 12 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 400 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 550 нс тип. (IS 24 А, dIF/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL25N50 ( 25N50 , GL25N50B47 , GL25N50AN ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм тип., 240 мОм макс. (VGS 10 В, ID 14 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл тип. (VDS 400 В, ID 25 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PW040N10CS оригінал, TO220
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 50 А | 3,4 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 64 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3783 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PingWei |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60R380F ( BLS60R380F-P ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6,93 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 3,8 А | 0,32 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 21,1 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 100 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Belling |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT030N04L оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 2.9 мОм (тип.), 3.3 мОм (макс.) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, Id 30 А | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.3…2.7 В |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5734 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 160 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT056N06N оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 110 А |
| Rds(on) | 5.6 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 40 А) |
| Vgs(th) | 2.4…3.6 В |
| Qg | 77 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3135 пФ |
| Pd | 137 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LND20N65 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (25 °C) | 20 А |
| Струм Id (100 °C) | 12.5 А |
| Rds(on) | 0.5 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Qg | 58.3 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2962 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 45 Вт (TO-220F, TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Lonten |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP042N10S ( HGP042N10S ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 161 А |
| Струм Id (100 °C) | 114 А |
| Rds(on) | 4.2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Qg | 52 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4110 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 214 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HEM ( OST60N65HEMF ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5651 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG75N120J оригінал, TO264
В наявності
470,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | DAXIN |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-264 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 75 А |
| Напруга Vce(sat) | 2,2 В тип. (VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 833 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 оригінал ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ), TO-3P
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16.5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9.9 А |
| Опір Rds(on) макс. | 380 мОм (Vgs 10 В, Id 8,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS180N06 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 116 А |
| Опір Rds(on) макс. | 4 мОм (VGS = 10 В, ID = 90 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 245 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4882 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS160N06 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон OR3120 оригінал, SOP8
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Orient (Shenzhen Orient Components) |
| Піковий вихідний струм IOH / IOL | 3,0 А (абсолютний максимум) |
| Робочий вхідний струм | 7–16 мА |
| Середній вхідний струм | 25 мА (абсолютний максимум) |
| Низький рівень виходу VOL | 0,25 В (макс.) |
| Струм споживання | 3 мА (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMR | 35 кВ/мкс (мін.) при Vcm = 1500 В |
| Затримка розповсюдження | 0,2 мкс (макс.) |
| Поріг UVLO (вкл. / викл.) | 12,7 / 11,2 В (тип.), гістерезис 1,5 В |
| Робоча температура | -40…110 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SIT8997D оригінал, TSSOP-20
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Позначення | SIT8997D |
| Корпус | TSSOP-20 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CHL8510CRT оригінал, DFN10
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер верхнього та нижнього N-канальних MOSFET |
| Напруга живлення драйверів | 4.5–13.2 В |
| Рекомендована напруга Vcc | 12 ±10 % |
| Струм нижнього драйвера (джерело / сток) | 4 / 6 А |
| Струм верхнього драйвера (джерело / сток) | 3 / 4 А |
| Частота перемикання | 200–1000 кГц |
| Температура середовища | 0–85 °C |
| Корпус | DFN-10 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IMP3236S ( DS-IMP 3236S , DS-IMP3236S , 3236S ) оригінал, sop-28
В наявності
284,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | драйвер трифазного моста для MOSFET та IGBT |
| Канали | 3 напівмости, 6 виходів |
| Макс. напруга плаваючого каналу | 600 В |
| Напруга живлення затворів | 10–20 В |
| Вхідна логіка | CMOS та LSTTL, до 3.3 В |
| Корпус | SOP-28 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSD1624D ( NSD1624-DSPR , NSD16 24D ) оригінал, so-8
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | драйвер затворів напівмоста для MOSFET та IGBT |
| Вихідний струм (джерело) | 4 А |
| Вихідний струм (стік) | 6 А |
| Напруга живлення VDD | 10–20 В |
| Макс. напруга на SW | 700 В (SOP8) |
| Затримка поширення | <35 нс |
| Температура навколишнього середовища | -40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |