Магазин
Мікросхема ULN2004A ( ULN2004APG , ULN2004AN ) оригінал, DIP16
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Збірка транзисторів Дарлінгтона (NPN) із захисними діодами |
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість каналів | 7 шт. |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА |
| Напруга колектор–емітер (макс.) | 50 В при TA 25 °C |
| Зворотна напруга захисного діода (макс.) | 50 В при TA 25 °C |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В відносно виводу E |
| Vce(sat) (макс.) | 1,1 В при TA 25 °C, II = 250 мкА, IC = 100 мА |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2004 ( ULN2004A , ULN2004D1 , KID65004AF ) оригінал, so-16
В наявності
31,02 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | SO-16 |
| Вхідний резистор бази | 10.5 кОм (для CMOS 6–15 В) |
| Vi(on), макс. | 5 В (Vce = 2 В, Ic = 125 мА); 6 В (Ic = 200 мА); 7 В (Ic = 275 мА); 8 В (Ic = 350 мА) |
| Вхідний струм Ii, тип. / макс. | 0.35 / 0.5 мА (Vi = 5 В); 1 / 1.45 мА (Vi = 12 В) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2003A оригінал ( заміна для ULN2003ADR , ULN2003AG4 , ULN2003 , ULN2003D1 ) , so-16
В наявності
29,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | SO-16 |
| Вхідний резистор бази | 2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS) |
| Vi(on), макс. | 2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2003AN оригінал ( заміна для ULN2003APG , ULN2003A , ULN2003 ), DIP16
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | DIP16 |
| Вхідний резистор бази | 2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS) |
| Vi(on), макс. | 2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC25600 ( 25600 ) , so-8 ( MEG003 )
В наявності
83,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | контролер резонансного (LLC) режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D) |
| Діапазон частот перемикання | 40–350 кГц |
| Мінімальна частота перемикання | 41.70 кГц (GD1, GD2, -40–125 °C) |
| Струм драйвера затворів | 0.4 А витік / 0.8 А стік |
| VCC рекомендована | 11.5–18.0 В |
| VCC, макс. | 22 В (абсолютний максимум) |
| Поріг увімкнення UVLO | 10.5 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 9.5 В (VCC спадає) |
| Мертвий час | 420 нс (RDT = 16.9 кОм) |
| Робоча температура | -40–125 °C |
Мікросхема UC3845B оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3845B оригінал, DIP8
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3844BN ( UC3844B ) , DIP8
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Піковий струм виходу | 1 А |
| Поріг вмикання UVLO | 16 В (14,5–17,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Поріг вимикання UVLO | 10 В (8,5–11,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (47–50 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В (абсолютний максимум) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема UC3843D ( UC3843BDG ) , so-14
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-14 |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Піковий струм виходу | 1 А |
| Поріг вмикання UVLO | 8,4 В (7,8–9 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Поріг вимикання UVLO | 7,6 В (7–8,2 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 97 % (92–100 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В (абсолютний максимум) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема UC3843B оригінал, DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Опорна напруга Vref (тип) | 5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В |
| Частота генератора fOSC (тип) | 52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В |
| Поріг увімкнення UVLO (тип) | 8,4 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 96 % (тип) при VCC = 15 В |
| Вихідний струм (макс.) | 1,0 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 30 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор KGH15N120NDA ( 15N120NDA ) оригінал демонтаж б/в (заміна для KGT15N120NDH , 15N120NDH , MX15N120NDA ) , TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (Vge=0 В, Ic=3 мА) |
| Струм колектора Ic | 24 А при Tc 25 °C; 15 А при Tc 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В типове (Vge=15 В, Ic=15 А, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 1400 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, If=15 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема UC3842B оригінал, so-8
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Опорна напруга Vref (тип) | 5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В |
| Частота генератора fOSC (тип) | 52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В |
| Поріг увімкнення UVLO (тип) | 16 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 96 % (тип) при VCC = 15 В |
| Вихідний струм (макс.) | 1,0 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 30 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC2845B ( UC2845BN ) оригінал, DIP8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Minidip (DIP8), UC2845BN |
| Напруга живлення (макс.) | 30 В (джерело з малим опором) |
| Потужність розсіювання | 1,25 Вт (Tamb ≤ 25 °C, Minidip) |
| Опорна напруга Vref | 5,00 В (Tj 25 °C, Io = 1 мА) |
| Частота генератора | 250 кГц (Tj 25 °C, RT = 6,2 кОм, CT = 1 нФ) |
| Робоча частота (режим за струмом) | до 500 кГц |
| Поріг запуску UVLO | 8,4 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % |
| Робочий діапазон температур | −25…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N18R оригінал, TO220(60V,180A)
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 180 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 114 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,4 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6647 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CS20J65 оригінал демонтаж , TO-3P (20A,650V)
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, super junction |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 60 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,14 Ом тип., 0,18 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (ID=20 А, VDD=520 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2005 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TSA5511AT , smd
В наявності
129,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Напруга живлення | 5 В (діапазон 4.5–5.5 В, Tamb 25 °C) |
| Струм споживання | 35 мА (VCC 5 В, Tamb 25 °C; діапазон 25–50 мА) |
| Діапазон вхідної частоти | 64–1300 МГц |
| Коефіцієнт ділення | 256–32767 |
| Частота кварцового резонатора | 4 (3.2–4.48) МГц |
| Опорна частота фазового компаратора | 7.8125 кГц при кварці 4 МГц |
| Робоча температура | -10…+80 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
| Керовані порти | 8 |
| Корпус | SO-20 |
Мікросхема TSA5511
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Напруга живлення | 5 В (діапазон 4.5–5.5 В, Tamb 25 °C) |
| Струм споживання | 35 мА (VCC 5 В, Tamb 25 °C; діапазон 25–50 мА) |
| Діапазон вхідної частоти | 64–1300 МГц |
| Коефіцієнт ділення | 256–32767 |
| Частота кварцового резонатора | 4 (3.2–4.48) МГц |
| Опорна частота фазового компаратора | 7.8125 кГц при кварці 4 МГц |
| Робоча температура | -10…+80 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
| Керовані порти | 8 |
Мікросхема TPA3130 ( TPA3130D2 ) , HTSSOP32
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стереопідсилювач класу D |
| Виробник | Texas Instruments |
| Напруга живлення (PVCC, AVCC) | 4.5…26 В |
| Гранична напруга живлення | 30 В |
| Вихідна потужність (міст 8 Ом, 15 В) | 2 x 15 Вт |
| ККД | >90 % |
| Частота перемикання | до 1.2 МГц |
| Температура навколишнього середовища | -40…85 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 36 °C/Вт |
| Корпус | HTSSOP32 (DAP, 11.00 x 6.20 мм) |
Мікросхема TPA3113D2 оригінал, htssop-28
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стерео підсилювач класу D без вихідного фільтра, SpeakerGuard |
| Напруга живлення | 8–26 В (AVCC, PVCC) |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (8 Ом, THD+N 10 %, VCC 10 В) |
| Потужність в моно (PBTL) | 12 Вт (4 Ом, THD+N 10 %, VCC 10 В) |
| ККД | 87 % |
| Струм спокою | 32 мА, макс 50 (SD = 2 В, без навантаження, PVCC = 24 В) |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Корпус (докладно) | htssop-28 (28-pin TSSOP PWP, PowerPAD, 9.70 x 4.40 мм) |
| Виробник | Texas Instruments |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TPA3110D2 , smd
В наявності
101,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стерео підсилювач класу D без вихідного фільтра, SpeakerGuard |
| Напруга живлення | 8–26 В (AVCC, PVCC) |
| Вихідна потужність на канал | 15 Вт (8 Ом, THD+N 10 %, VCC 16 В) |
| Вихідна потужність на канал, VCC 13 В | 10 Вт (8 Ом, THD+N 10 %) |
| Потужність в моно (PBTL) | 30 Вт (4 Ом, THD+N 10 %, VCC 16 В) |
| ККД | 90 % |
| Струм спокою | 32 мА, макс 50 (SD = 2 В, без навантаження, PVCC = 24 В) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Виробник | Texas Instruments |