Магазин
IGBT-транзистор 70N65F ( 70N65FDM1 , SGT70N65FDM1 ) оригінал, TO247
В наявності
267,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP225Y ( TOP225YN ) оригінал демонтаж, TO220-3
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO-220 |
| Пробивна напруга стоку BVDSS | 700 В |
| Струм самозахисту ILIMIT | 2.00 А |
| Опір RDS(ON) при 25 °C | 3.9 Ом |
| Опір RDS(ON) при 100 °C | 6.4 Ом |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 67 % |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TOP224PN , DIP8
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP8 |
| Пробивна напруга стоку BVDSS | 700 В |
| Струм самозахисту ILIMIT | 1.50 А |
| Опір RDS(ON) при 25 °C | 5.2 Ом |
| Опір RDS(ON) при 100 °C | 8.6 Ом |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 67 % |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема TOP223PN ( TOP223P ) демонтаж, DIP8
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Сімейство | TOPSwitch-II |
| Корпус | DIP8 |
| BVDSS | 700 В (мін., ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| ILIMIT | 1,00 А (TJ = 25 °C, di/dt = 160 мА/мкс) |
| Частота перетворення | 100 кГц (IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| Максимальна потужність, 100/115/230 В AC ±15 % | 25 Вт (пайка на 1 кв. дюйм міді 2 oz, Tj не вище 100 °C) |
| Максимальна потужність, 85–265 В AC | 15 Вт (пайка на 1 кв. дюйм міді 2 oz, Tj не вище 100 °C) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TOP221Y , TO220-3
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Сімейство | TOPSwitch-II |
| Корпус | TO-220 |
| BVDSS | 700 В (мін., ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| ILIMIT | 0,25 А (TJ = 25 °C, di/dt = 40 мА/мкс) |
| Частота перетворення | 100 кГц (IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| Максимальна потужність, 100/115/230 В AC ±15 % | 12 Вт (з радіатором, Tj не вище 100 °C) |
| Максимальна потужність, 85–265 В AC | 7 Вт (з радіатором, Tj не вище 100 °C) |
Мікросхема TOP202YAI ( TOP202YN , TOP202Y ) , TO220-3
В наявності
125,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| BVDSS | 700 В мін. (Ta 25 °C) |
| RDS(on) при Tj 25 °C | 5,2 Ом тип., 6,0 Ом макс. (ID = 150 мА) |
| RDS(on) при Tj 100 °C | 8,6 Ом тип., 9,9 Ом макс. (ID = 150 мА) |
| ILIMIT | 1,25–1,75 А (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (90–110 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % (64–70 %) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
Мікросхема TNY288PG оригінал ( заміна для TNY288PN ) , DIP7
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Off-line ШІМ-перемикач (TinySwitch-4) |
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга DRAIN (макс.) | 725 В |
| Частота перетворення | 132 кГц |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Потужність, адаптер 230 В AC ±15 % | 16 Вт |
| Потужність, відкрита рама 230 В AC ±15 % | 28 Вт |
| RDS(on) при ID = 55 мА, TJ = 25 °C | 5,2 Ом (тип) |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8C (P), DIP7 у назві |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY280PN оригінал, DIP7
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Off-line ШІМ-перемикач (TinySwitch-III) |
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга DRAIN (макс.) | 700 В |
| Частота перетворення | 132 кГц |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Потужність, адаптер 230 В AC ±15 % | 20 Вт |
| Потужність, відкрита рама 230 В AC ±15 % | 36,5 Вт |
| Струм обмеження (мін / тип / макс) | 419 / 450 / 481 мА |
| RDS(on) при ID = 75 мА, TJ = 25 °C | 2,6 Ом (тип) |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8C (DIP7 у назві) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY279PN оригінал, DIP7
В наявності
92,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Off-line ШІМ-перемикач (TinySwitch-III) |
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга DRAIN (макс.) | 700 В |
| Частота перетворення | 132 кГц |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Потужність, адаптер 230 В AC ±15 % | 18 Вт |
| Потужність, відкрита рама 230 В AC ±15 % | 32 Вт |
| Струм обмеження (мін / тип / макс) | 326 / 350 / 382 мА |
| RDS(on) при ID = 65 мА, TJ = 25 °C | 3,9 Ом (тип) |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8C (DIP7 у назві) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY278PN оригінал ( TNY278PG ) , DIP7
В наявності
78,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-III |
| Тип керування | ON/OFF |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 350 мА (типовий, TJ 25 °C) |
| RDS(on) макс. при 25 °C | 6,0 Ом (55 мА, TJ 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц (середня, TJ 25 °C) |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8C (у назві DIP7) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY275PN ( TNY275PG ) , DIP7
В наявності
56,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-III |
| Тип керування | ON/OFF |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 275 мА (типовий, TJ 25 °C) |
| RDS(on) макс. при 25 °C | 22 Ом (28 мА, TJ 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц (середня, TJ 25 °C) |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8C (у назві DIP7) |
Мікросхема TNY268P ( TNY268PN ) оригінал ( заміна для MIP0255 ), DIP7
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-II |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін., Tj 25 °C) |
| RDS(ON) | 5,2 Ом (тип.) / 6,0 Ом (макс.) при ID = 55 мА, Tj 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 550 мА (тип.), 512–588 мА при Tj 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (тип.) при Tj 25 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY266PN ( TNY266P ) оригінал (заміна для TNY265PN ), DIP7
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-II |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін., Tj 25 °C) |
| RDS(ON) | 14 Ом (тип.) / 16 Ом (макс.) при ID = 35 мА, Tj 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 350 мА (тип.), 325–375 мА при Tj 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (тип.) при Tj 25 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY264PN ( TNY264P ) , DIP7
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга Vds (DRAIN), макс. | 700 В (відносно SOURCE, TA 25 °C) |
| Частота перемикання fosc | 132 (124–140) кГц, TJ 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 250 (233–267) мА, TJ 25 °C |
| RDS(on) | 28 Ом (макс. 32) при ID 25 мА, TJ 25 °C |
| Потужність (відкрите виконання, 50 °C) | 9 Вт (230 В AC ±15 %); 6 Вт (85–265 В AC) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема TNY255P ( TNY255PN ) , DIP8
В наявності
81,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга Vds (DRAIN), макс. | 700 В (відносно SOURCE, TA 25 °C) |
| Частота перемикання fosc | 130 (115–140) кГц, TJ 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 280 (255–310) мА, TJ 25 °C |
| RDS(on) | 23 Ом (макс. 27) при ID 33 мА, TJ 25 °C |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 (64–69) % |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема TNY254PN ( TNY254P ) демонтаж, DIP8
В наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга Vds (DRAIN), макс. | 700 В (відносно SOURCE, TA 25 °C) |
| Частота перемикання fosc | 44 (40–48) кГц, TJ 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 255 (230–280) мА, TJ 25 °C |
| RDS(on) | 31 Ом (макс. 36) при ID 25 мА, TJ 25 °C |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 68 (66–71) % |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TNY253PN демонтаж, DIP8
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Призначення | мережевий (off-line) перемикач, 0–10 Вт |
| BVDSS | 700 В мін. (IDS = 100 мкА, Tj 25 °C) |
| RDS(on) при Tj 25 °C | 31 Ом тип., 36 Ом макс. (ID = 25 мА) |
| RDS(on) при Tj 100 °C | 50 Ом тип., 60 Ом макс. (ID = 25 мА) |
| Частота перемикання | 44 кГц (40–48 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 68 % (66–71 %) |
| ILIMIT | 150 мА (135–165 мА, Tj 25 °C) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TNY178PN оригінал , DIP7
В наявності
89,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-LT |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8C, 8 виводів (у назві DIP7) |
| BVDSS | 650 В (VBP/M = 6,2 В, VEN = 0 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (TJ = 25 °C) |
| Ліміт струму ILIMIT | 350 (326–374) мА (BP/M 0,1 мкФ, di/dt = 70 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| RDS(on), TJ = 25 °C | 5,2 Ом, макс. 6,0 (ID = 55 мА) |
| RDS(on), TJ = 100 °C | 7,8 Ом, макс. 9,0 (ID = 55 мА) |
| Потужність, адаптер | 16 Вт (230 В AC ±15 %), 10 Вт (85–265 В AC) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY176PN оригінал, DIP7
В наявності
82,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-LT |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8C, 8 виводів (у назві DIP7) |
| BVDSS | 650 В (VBP/M = 6,2 В, VEN = 0 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (TJ = 25 °C) |
| Ліміт струму ILIMIT | 275 (256–294) мА (BP/M 0,1 мкФ, di/dt = 55 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| RDS(on), TJ = 25 °C | 14 Ом, макс. 16 (ID = 35 мА) |
| RDS(on), TJ = 100 °C | 21 Ом, макс. 24 (ID = 35 мА) |
| Потужність, адаптер | 10 Вт (230 В AC ±15 %), 7 Вт (85–265 В AC) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY176DG , smd
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-LT |
| Макс. напруга DRAIN | 650 В |
| Піковий струм DRAIN | 720 (1350) мА |
| Ліміт струму ILIMIT (мін/тип/макс) | 256 / 275 / 294 мА (TJ 25 °C) |
| RDS(ON) типово | 14 Ом (ID 35 мА, TJ 25 °C) |
| Частота fOSC типово | 132 кГц |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема TNY175PN , DIP
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-LT |
| Макс. напруга DRAIN | 650 В |
| Піковий струм DRAIN | 560 (1050) мА |
| Ліміт струму ILIMIT (мін/тип/макс) | 233 / 250 / 273 мА (TJ 25 °C) |
| RDS(ON) типово | 19 Ом (ID 28 мА, TJ 25 °C) |
| Частота fOSC типово | 132 кГц |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема TNY175DG , smd
В наявності
29,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TinySwitch-LT |
| Макс. напруга DRAIN | 650 В |
| Піковий струм DRAIN | 560 (1050) мА |
| Ліміт струму ILIMIT (мін/тип/макс) | 233 / 250 / 273 мА (TJ 25 °C) |
| RDS(ON) типово | 19 Ом (ID 28 мА, TJ 25 °C) |
| Частота fOSC типово | 132 кГц |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема TM1637 , smd
В наявності
35,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Titan Micro Electronics |
| Напруга живлення VDD | 5 ±10 % В (Ta -40…+85 °C; 4,5–5,5 В) |
| Макс. напруга VDD | 7,0 В (Ta 25 °C) |
| Дисплей | 8 сегментів × 6 розрядів, спільний анод |
| Матриця клавіатури | 8 × 2 біт |
| Інтерфейс | двопровідний послідовний (CLK, DIO) |
| Частота RC-генератора | 450 кГц |
| Струм сегментів SEG1–SEG8 | 140 мА типово, мінімум 80 мА (Vo = 0,3 В) |
| Потужність розсіювання | 400 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SO-20 |