Магазин
Мікросхема TEA1620P , DIP8
В наявності
88,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга на виводі DRAIN | 650 В (без допоміжного живлення) |
| Макс. напруга живлення VCC | 40 В (Tj > 0 °C) |
| Напруга запуску VCC(start) | 9.5 В (Tamb 25 °C) |
| Напруга зупинки VCC(stop) | 7.5 В (Tamb 25 °C) |
| RDSon | 48 Ом (тип., ISOURCE = -0.06 A, Tj = 25 °C) |
| Частота генератора | 10–200 кГц |
| Розсіювана потужність Ptot | 1.0 Вт (Tamb < 45 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 145 °C |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
Мікросхема TEA1610T, so-16
В наявності
188,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга драйвера верхнього плеча | 0–600 В |
| Напруга живлення VDD (макс.) | 15 В |
| Напруга запуску генератора | 13,4 В (VDD 13 В, Tamb 25 °C) |
| Вихідний струм драйверів (витікання) | 180 мА (VDD(F) 13 В) |
| Вихідний струм драйверів (втікання) | 300 мА |
| Максимальна частота моста | 500 кГц |
| Розсіювана потужність Ptot | 0,8 Вт (Tamb < 70 °C) |
| Робоча температура | -25…+70 °C |
Мікросхема TEA1552T оригінал ( заміна для DAP010 ), so-14
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SO-14 |
| Мережева напруга живлення | 70–276 В AC |
| Потужність джерела живлення | до 250 Вт |
| Напруга запуску VCC(start) | 11 В (10,3–11,7 В) |
| Висока частота генератора | 125 кГц при VCTRL < 1 В |
| Низька частота генератора | 25 кГц при VCTRL > 1,5 В |
| Поріг захисту за струмом | 0,52 В при V/t = 0,1 В/мкс |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TEA1533AT ( TEA1533T ) оригінал, so-14
В наявності
97,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP (Philips Semiconductors) |
| Корпус | SO-14 |
| Корпус (докладно) | SO14 (SOT108-1) |
| Напруга DRAIN, макс. | 650 В (абсолютний максимум) |
| Напруга VCC, макс. | 20 В (абсолютний максимум, постійно) |
| Напруга запуску VCC(start) | 10,3 / 11 / 11,7 В (мін. / тип. / макс.; Tamb 25 °C, VCC 15 В) |
| Частота генератора, низька | 20 / 25 / 30 кГц (мін. / тип. / макс.) |
| Частота генератора, висока | 145 / 175 / 205 кГц (мін. / тип. / макс.) |
| Розсіювана потужність Ptot | 0,75 Вт (Tamb < 70 °C) |
| Тепловий опір перехід-середовище | 100 К/Вт (у вільному повітрі) |
| Температура переходу Tj | -20 … +145 °C (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TEA1532P , DIP8
В наявності
68,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP (Philips Semiconductors) |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (SOT97-1), 8 виводів, 300 mil |
| Напруга DRAIN, макс. | 650 В (абсолютний максимум) |
| Напруга VCC, макс. | 20 В (абсолютний максимум, постійно) |
| Напруга запуску Vstart | 10,3 / 11 / 11,7 В (мін. / тип. / макс.; Tamb 25 °C, VCC 15 В) |
| Частота генератора | 50 / 63 / 75 кГц (мін. / тип. / макс.; VCTRL < 1 В) |
| Коефіцієнт заповнення, макс. | 67 / 70 / 73 % (мін. / тип. / макс.; Tamb 25 °C) |
| Розсіювана потужність Ptot | 0,75 Вт (Tamb < 70 °C) |
| Тепловий опір перехід-середовище | 95 К/Вт (у вільному повітрі) |
| Температура переходу Tj | -20 … +145 °C (абсолютний максимум) |
Мікросхема TEA1530AT ( EA1530A ) , so-8
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors) |
| Корпус | SO-8 |
| Пробивна напруга DRAIN | 650 В (мін.), Tamb 25 °C |
| Частота генератора | 63 кГц, VCTRL < 1 В |
| Напруга запуску | 11 В, Tamb 25 °C |
| Гістерезис UVLO | 2,3 В |
| VCC (макс.) | 20 В, постійно |
| Робочий струм ICC | 1,3 мА (тип.), VCC 15 В |
| Струм драйвера (втікання / витікання) | 250 / 500 мА, VCC 15 В |
| Вхідна мережа | 70–276 В |
| Потужність джерела | до 65 Вт |
| Ptot | 0,5 Вт, SO8, Tamb < 70 °C |
| Tj (макс.) | 145 °C |
Мікросхема TEA1524P , DIP8
В наявності
108,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга DRAIN (макс.) | 650 В, Tj > 0 °C |
| RDSon (тип.) | 3,4 Ом, Isource = -1,0 А, Tj 25 °C |
| Частота генератора | 10–200 кГц, тип. 100 кГц |
| Робочий струм ICC | 1,3 мА (тип.) |
| Напруга запуску VCC | 9,5 В |
| Напруга вимкнення VCC | 7,5 В |
| VCC (макс.) | 40 В |
| Вхідна мережа | 80–276 В |
| Ptot | 1,0 Вт, DIP8, Tamb < 45 °C |
Мікросхема TEA1522P , DIP8
В наявності
47,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга DRAIN (макс.) | 650 В, Tj > 0 °C |
| RDSon (тип.) | 12 Ом, Isource = -0,25 А, Tj 25 °C |
| Частота генератора | 10–200 кГц, тип. 100 кГц |
| Робочий струм ICC | 1,3 мА (тип.) |
| Напруга живлення VCC | -0,4…+40 В, постійно |
| Вхідна мережа | 80–276 В |
| Ptot | 1,0 Вт, DIP8, Tamb < 45 °C |
| Tj | -40…+145 °C |
Мікросхема TEA1521P , DIP8
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC (граничне значення) | -0,4…+40 В (continuous) |
| Напруга запуску VCC(startup) | 9,0–10,0 В (тип. 9,5 В), Tamb 25 °C |
| Напруга зупинки (undervoltage lockout) | 7,0–8,0 В (тип. 7,5 В), Tamb 25 °C |
| Граничний струм джерела/стоку | -0,5…+0,5 А |
| Напруга на виводі DRAIN | -0,4…+650 В (Tj > 0 °C) |
| Частота осцилятора | 10…200 кГц (тип. 100 кГц) |
| Робочий струм споживання ICC(oper) | 1,3 мА (тип.), 1,9 мА (макс.), Tamb 25 °C |
| Загальна розсіювана потужність | 1,0 Вт (DIP8, Tamb < 45 °C) |
| Температура переходу | -40…+145 °C |
| Кількість виводів | 8 (DIP8) |
Мікросхема TEA1507P , DIP8
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Мережа живлення | універсальна, 70–276 В AC |
| Потужність застосування | до 250 Вт |
| Напруга запуску VCC(start) | 11 В (10,3–11,7 В) при Tamb = 25 °C |
| Макс. напруга на виводі DRAIN | 650 В (абсолютний максимум / пробивна напруга) |
| Повна розсіювана потужність | 1,0 Вт при Tamb < 55 °C |
| Температура переходу Tj | від -20 до +145 °C (абсолютні максимальні значення) |
| Поріг захисту за струмом OCP | 0,52 В (0,48–0,56 В) при V/t = 0,1 В/мкс, Tamb = 25 °C |
| Поріг теплового захисту | 140 °C (130–150 °C) при Tamb = 25 °C |
Мікросхема TEA1506T , so-14
В наявності
85,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-14 |
| Напруга запуску VCC(start) | 11 В (10,3–11,7 В) при Tamb = 25 °C |
| Макс. напруга живлення VCC | 20 В (безперервно, абсолютний максимум) |
| Гістерезис VCC(start) – VCC(UVLO) | 2,3 В (2,0–2,6 В) при Tamb = 25 °C |
| Струм споживання в роботі | 1,3 мА (1,1–1,5 мА), без навантаження на виводі DRIVER, VCC = 15 В, Tamb = 25 °C |
| Нижня фіксована частота | 25 кГц (20–30 кГц) при Tamb = 25 °C |
| Верхня фіксована частота | 175 кГц (145–205 кГц) при VCTRL = 1,5 В, Tamb = 25 °C |
| Поріг захисту за струмом OCP | 0,52 В (0,48–0,56 В) при V/t = 0,1 В/мкс, Tamb = 25 °C |
| Поріг теплового захисту | 140 °C (130–150 °C) при Tamb = 25 °C |
| Температура переходу Tj | від -20 до +145 °C (абсолютні максимальні значення) |
Мікросхема TEA1506P , DIP8
В наявності
50,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга запуску VCC(start) | 11 В (10,3–11,7 В) при Tamb = 25 °C |
| Макс. напруга живлення VCC | 20 В (безперервно, абсолютний максимум) |
| Гістерезис VCC(start) – VCC(UVLO) | 2,3 В (2,0–2,6 В) при Tamb = 25 °C |
| Струм споживання в роботі | 1,3 мА (1,1–1,5 мА), без навантаження на виводі DRIVER, VCC = 15 В, Tamb = 25 °C |
| Нижня фіксована частота | 25 кГц (20–30 кГц) при Tamb = 25 °C |
| Верхня фіксована частота | 175 кГц (145–205 кГц) при VCTRL = 1,5 В, Tamb = 25 °C |
| Поріг захисту за струмом OCP | 0,52 В (0,48–0,56 В) при V/t = 0,1 В/мкс, Tamb = 25 °C |
| Поріг теплового захисту | 140 °C (130–150 °C) при Tamb = 25 °C |
| Температура переходу Tj | від -20 до +145 °C (абсолютні максимальні значення) |
| Повна розсіювана потужність | 0,75 Вт при Tamb < 70 °C |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема TDA8946J демонтаж
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VCC | 18 В (діапазон 6…25 В) |
| Вихідна потужність Po | 15 Вт на канал (мін. 13 Вт) при RL = 8 Ом, THD 10 %, VCC = 18 В |
| Струм спокою Iq | 28 мА (макс. 42 мА) при VCC = 18 В |
| Підсилення Gv | 32 дБ (31…33 дБ) |
| Робоча температура Tamb | −40…+70 °C |
| Корпус | DBS17P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8944AJ оригінал
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC | 12 В (діапазон 4.5…18 В) |
| Вихідна потужність Po | 7 Вт (мін. 6 Вт) на канал, RL = 8 Ом, THD 10 %, VCC = 12 В |
| Струм спокою Iq | 40 мА (макс. 50 мА), VCC = 12 В, RL = 8 Ом |
| THD | 0.07 % (макс. 0.5 %) при Po = 1 Вт |
| Макс. підсилення | 30 дБ |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ |
| SVRR | 55 дБ |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Корпус | DBS17P |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8927J демонтаж
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VP | ±25 В (діапазон ±15…±30 В) |
| Макс. напруга VP | ±30 В |
| Струм спокою Iq(tot) | 35 мА (макс. 45 мА), без навантаження, VP = ±25 В |
| ККД | 94 % при Po = 30 Вт, VP = ±25 В |
| Po (SE, 4 Ом, THD 10 %) | 65 Вт при VP = ±25 В; 80 Вт при VP = ±27 В |
| Po (BTL, 8 Ом, THD 10 %) | 150 Вт при VP = ±25 В |
| Піковий струм IORM | 7.5 А |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DBS17P |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
