Магазин
Мікросхема TDA8395P ( ILA8395N )
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | SECAM-декодер, самокалібрувальний |
| Напруга живлення Vp | 7,2–8,8 В, вивід 3 |
| Вхідна напруга CVBS | 1,5 В (розмах, макс.), вивід 16 |
| Робоча температура | –25…+70 °C |
| Температура зберігання | –25…+150 °C |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема TDA8395P
В наявності
78,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | SECAM-декодер |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,2–8,8 В (тип. 8,0 В), вивід 3 |
| Струм споживання IP | 18 мА (тип.), 25 мА (макс.) при VP = 8,0 В, Tamb = 25 °C |
| Споживана потужність Ptot | 144 мВт (тип.), 220 мВт (макс.) |
| Вхідний композитний сигнал | 1,0 В (тип.), 1,5 В (макс.), розмах, вивід 16 |
| Вихід –(R–Y) | 1,05 В, розмах, вивід 9 |
| Вихід –(B–Y) | 1,33 В, розмах, вивід 10 |
| Робоча температура | –25…+70 °C |
| Корпус | DIP16 |
Демонтаж
Мікросхема TDA8375A , б/в перевірена
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | одночіповий ТВ-процесор PAL/NTSC з керуванням по шині I2C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 8,0 В (тип.) |
| Напруга живлення VP, макс. | 9,0 В |
| Струм споживання IP | 110 мА (тип.) |
| Чутливість відео-ПЧ | 70 мкВ (тип.) |
| Відеовихід ПЧ | 2,5 В (розмах, тип.) |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8362 ( TDA8362B , TDA8362B S7 , TDA8362 S7 , TDA8362E )
В наявності
183,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,2–8,8 В (тип. 8,0 В) |
| Напруга VP, макс. | 9,0 В |
| Струм споживання IP | 80 мА (тип.) |
| Споживана потужність | 700 мВт |
| Чутливість відео-ПЧ | 70 мкВ (тип.), 100 мкВ (макс.) |
| CVBS на виході | 2,4 В (розмах, тип.) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 40 К/Вт |
| Корпус | SDIP52 |
Мікросхема TDA8359J оригінал
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга VFB, макс. | 68 В |
| Вихідний струм Io(p-p) | 3,2 А |
| Струм зворотного ходу, пік | ±1,8 А при t ≤ 1,5 мс |
| Потужність Ptot, макс. | 10 Вт |
| Tamb, макс. | +85 °C |
| Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Корпус (докладно) | DBS9P (SOT523-1), 9 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8357J оригінал
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга VFB, макс. | 68 В |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2,0 А |
| Струм зворотного ходу, пік | ±1,2 А при t ≤ 1,5 мс |
| Потужність Ptot, макс. | 8 Вт |
| Робоча температура | –25…+75 °C |
| Tj, макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 6 К/Вт |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Корпус (докладно) | DBS9P (SOT523-1), 9 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8357J
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, повний міст, LVDMOS, клас G |
| Напруга живлення Vp | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 2·Vp … 66 В (тип. 45 В) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2,0 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу | ±1,2 А (макс.) |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Демонтаж
Мікросхема TDA8356 демонтаж, укорочені виводи
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, DC-зв’язана, клас G |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В (тип. 14,5 В) |
| Струм спокою Iq | 30 мА (типове значення) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1 А (макс.) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В (макс.) |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA8356 демонтаж
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, DC-зв’язана, клас G |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В (тип. 14,5 В) |
| Струм спокою Iq | 30 мА (типове значення) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1 А (макс.) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В (макс.) |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8351
В наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В |
| Струм спокою Iq | 30 мА |
| Вихідний струм Io(p-p) | 3 А |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1,5 А |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Макс. робоча температура | +75 °C |
Мікросхема TDA8350Q оригінал
В наявності
195,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS13P (SOT141-6) |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В |
| Струм спокою Iq | 30 мА |
| Вихідний струм Io(p-p) | 3 А |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1,5 А |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Макс. робоча температура | +75 °C |
| Вихід East-West: струм (лише втікання) | 500 мА |
| Вихід East-West: пікова напруга | 40 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8303A
В наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP-28 (SOT117) |
| Напруга живлення (вив. 7) | 9.5–13.2 В |
| Струм споживання (вив. 7) | 125 мА |
| Пусковий струм (вив. 11) | 6.5 мА |
| Робоча температура | –25…+65 °C |
| Температура зберігання | –55…+150 °C |
IGBT-транзистор XNF20N60T оригінал, TO220F
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner |
| Напруга Vces | 600 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип. |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.2 В тип. / 6.5 В макс. |
| Пряма напруга діода VF | 1.8 В тип. / 2.3 В макс. |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8177F оригінал
В наявності
41,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Різниця напруг V3 – V2, макс. | 50 В |
| Напруга живлення генератора зворотного ходу | до 70 В |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8177 оригінал демонтаж
В наявності
39,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 75 В (вив. 6 відносно вив. 4) |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8177 оригінал
В наявності
66,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 75 В (вив. 6 відносно вив. 4) |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8172 ( TEA8172 )
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | вихідний підсилювач вертикальної розгортки |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення макс. (вивід 2) | 35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу макс. | 60 В, V5, V6 |
| Вихідний струм | 2 А, f = 50–200 Гц, t > 10 мкс |
| Вихідний струм піковий | 5 А, f = 50–200 Гц, t ≤ 10 мкс |
| Повна розсіювана потужність | 20 Вт, Tcase 90 °C |
| Температура переходу макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт |
| Температура теплового захисту | 140 °C, типово |
| Корпус | HEPTAWATT |
Мікросхема TDA8146
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | корекція растру схід–захід (East/West) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 15–29 В (тип. 24 В), Tj 25 °C, Vs = 24 В у тесті |
| Напруга живлення макс. | 33 В |
| Вихідний струм (втікаючий) | до 800 мА, вивід 7 |
| Вихідний струм (витікаючий) | до 100 мА, вивід 7 |
| Опорна напруга (вивід 5) | 8,2 В, Vs = 24 В, Tj 25 °C |
| Температура переходу | 0…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 80 °C/W макс. |
| Корпус | DIP14 |
Мікросхема TDA8145 ( TD8145 , TEA2031A ) , DIP8
В наявності
32,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | корекція растру схід–захід (East/West) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 17–30 В (тип. 24 В), Tamb 25 °C, Vs = 26 В у тесті |
| Напруга живлення макс. | 35 В |
| Опорна напруга | 8,0 В (7,6–8,8 В), Tamb 25 °C |
| Розсіювана потужність | 500 мВт, Tamb 50 °C |
| Температура зберігання і переходу | –25…+150 °C |
| Корпус | POWERDIP8 (DIP-8) |
Мікросхема TDA8139
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | здвоєний стабілізатор напруги |
| Вихідна напруга 1 | 5,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Tamb 25 °C, Vin1 = 7 В |
| Вихідна напруга 2 | 2,8–16 В (регульована) при Io2 = 10 мА, Tamb 25 °C, Vin2 = 10 В |
| Вхідна напруга | 7–18 В |
| Вихідний струм | до 750 мА |
| Вхідна напруга макс. | 20 В (абсолютний максимум) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | 9-SIP |
Мікросхема TDA8138A , TO-220-7
В наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | здвоєний стабілізатор напруги |
| Вихідна напруга 1 | 5,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Vin1 = 7 В, Tj 25 °C |
| Вихідна напруга 2 | 12 В (11,76–12,24 В) при Io2 = 10 мА, Vin2 = 14 В, Tj 25 °C |
| Вихідний струм (кожен вихід) | до 1 А |
| Вхідна напруга макс. | 20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220-7 |
Мікросхема TDA8138 , HSIP9
В наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | здвоєний стабілізатор напруги |
| Вихідна напруга 1 | 5,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Vin1 = 7 В, Tj 25 °C |
| Вихідна напруга 2 | 12 В (11,76–12,24 В) при Io2 = 10 мА, Vin2 = 14 В, Tj 25 °C |
| Вихідний струм (кожен вихід) | до 1 А |
| Вхідна напруга макс. | 20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | HSIP9 |
Демонтаж
Мікросхема TDA8133 демонтаж
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | 9-SIP |
| Вихідна напруга 1 | 5,1 В ±2 % |
| Вихідна напруга 2 | 8 В ±2 % |
| Вихідний струм | до 0,75 А на кожному виході |
| Макс. вхідна напруга | 20 В (абсолютний максимум, вивід 1) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 8 °C/Вт (макс.) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 60 °C/Вт (макс.) |
| Рекомендована температура переходу | 130 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7566 оригінал
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Потужність на 4 Ом | 4 x 25 Вт (VS 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Макс. потужність на 4 Ом | 4 x 40 Вт (VS 14,4 В) |
| Напруга живлення | 8–18 В |
| Піковий вихідний струм | 8 А (неповторюваний, t = 100 мкс) |
| Струм спокою | 150 мА, макс. 300 мА (VS 14,4 В, RL 4 Ом) |
| Підсилення | 26 та 12 дБ (по I2C) |
| Потужність розсіювання | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Керування | I2C |
| Стан | Оригінал |