Магазин
Мікросхема TDA7056AT оригінал, so-20
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення Vp | 4,5 – 18 В |
| Вихідна потужність Po | 3,5 Вт (мін. 3 Вт), Vp 12 В, 16 Ом, THD 10 % |
| Максимальне підсилення Gv(max) | 35,5 дБ, Vp 12 В, 16 Ом |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ (мін. 75 дБ) |
| Струм спокою Iq(tot) | 8 мА (макс. 16 мА), Vp 12 В |
| THD | 0,3 % (макс. 1 %), Po 0,5 Вт, Vp 12 В, 16 Ом, 1 кГц |
| Корпус | SO-20 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7056A
В наявності
35,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення Vp | 4,5 – 18 В |
| Вихідна потужність Po | 3,5 Вт (мін. 3 Вт), Vp 12 В, 16 Ом, THD 10 % |
| Максимальне підсилення Gv | 35,5 дБ, Vp 12 В, 16 Ом |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ (мін. 75 дБ) |
| Струм спокою Ip | 8 мА (макс. 16 мА), Vp 12 В |
| THD | 0,3 % (макс. 1 %), Po 0,5 Вт, Vp 12 В, 16 Ом, 1 кГц |
| Тепловий опір перехід–корпус | 10 К/Вт |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
Демонтаж
Мікросхема TDA7056 демонтаж
В наявності
26,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моно BTL підсилювач потужності НЧ 3 Вт, без зовнішніх компонентів |
| Напруга живлення Vp | 3 – 18 В (типово 11 В) |
| Вихідна потужність Po | 3 Вт (мін. 2,5 Вт) при Vp 11 В; 16 Ом; THD 10 %; f 1 кГц; Tamb 25 °C |
| Коефіцієнт підсилення Gv | 40,5 дБ (39 – 42 дБ) при Vp 11 В; f 1 кГц |
| Струм спокою Ip | 5 мА (макс. 7 мА) при Vp 11 В; без навантаження |
| THD | 0,25 % (макс. 1 %) при Po 0,5 Вт; Vp 11 В; 16 Ом; f 1 кГц |
| Тепловий опір перехід–середовище | 55 К/Вт у повітрі без радіатора |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7056 оригінал
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моно BTL підсилювач потужності НЧ 3 Вт, без зовнішніх компонентів |
| Напруга живлення Vp | 3 – 18 В (типово 11 В) |
| Вихідна потужність Po | 3 Вт (мін. 2,5 Вт) при Vp 11 В; 16 Ом; THD 10 %; f 1 кГц; Tamb 25 °C |
| Коефіцієнт підсилення Gv | 40,5 дБ (39 – 42 дБ) при Vp 11 В; f 1 кГц |
| Струм спокою Ip | 5 мА (макс. 7 мА) при Vp 11 В; без навантаження |
| THD | 0,25 % (макс. 1 %) при Po 0,5 Вт; Vp 11 В; 16 Ом; f 1 кГц |
| Тепловий опір перехід–середовище | 55 К/Вт у повітрі без радіатора |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA6600-2 б/в
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Номер | TDA6600-2 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA6111Q
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | відеопідсилювач для керування катодом кольорового кінескопа (CRT) |
| Висока напруга живлення VDDH | 180 – 210 В (макс. 250 В), типово 200 В |
| Низька напруга живлення VDDL | 10,8 – 13,2 В (макс. 14 В), типово 12 В |
| Струм спокою по VDDH | 9 мА при VDDH 200 В; Voc = 0,5 VDDH |
| Смуга пропускання, малий сигнал | 16 МГц (мін. 13 МГц) при VocAC 60 В розмах; VocDC 100 В |
| Час наростання | 30 нс при Voc 50 – 150 В; CL 10 пФ |
| Тепловий опір перехід–корпус | 12 К/Вт, потрібен зовнішній радіатор |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Мікросхема TDA6109JF оригінал
В наявності
89,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Потрійний відеопідсилювач для кінескопа |
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
| Напруга живлення (робоча) | 180–210 В |
| Напруга живлення (макс.) | 250 В |
| Коефіцієнт підсилення | 51 (тип., VDD = 200 В, Tamb = 25 °C) |
| Струм спокою | 10.3 мА (тип., VDD = 200 В) |
| Швидкість наростання | 1850 В/мкс |
| Температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–радіатор | 11 К/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA6108JF ( TDA6108AJF )
В наявності
47,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Кількість каналів | 3 |
| Коефіцієнт підсилення | 51 (фіксований) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 250 В (абсолютний максимум) |
| Робоча напруга VDD | 180–210 В при Tj –20…+150 °C |
| Струм споживання Iq | 10,3 мА (тип.; VDD 200 В) |
| Смуга пропускання (малий сигнал) | 9,0 МГц (тип.; Vo(c) 60 В розмах) |
| Смуга пропускання (великий сигнал) | 8,0 МГц (тип.; Vo(c) 100 В розмах) |
| Час наростання на катоді | 50 нс (тип.; Vo(c) 50–150 В, меандр) |
| Час спаду на катоді | 50 нс (тип.; Vo(c) 150–50 В, меандр) |
| Швидкість наростання | 1850 В/мкс (тип.; Vi 4 В розмах, tr = tf = 40 нс) |
| Температура переходу Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
Мікросхема TDA6107Q ( TDA6107JF )
В наявності
47,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Кількість каналів | 3 |
| Коефіцієнт підсилення | 50 (фіксований) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 250 В (абсолютний максимум) |
| Робоча напруга VDD | 180–210 В при Tj –20…+150 °C |
| Струм споживання Iq | 6,9 мА (тип.; VDD 200 В) |
| Смуга пропускання (малий сигнал) | 5,5 МГц (тип.; Vo(c) 60 В розмах) |
| Смуга пропускання (великий сигнал) | 4,5 МГц (тип.; Vo(c) 100 В розмах) |
| Час наростання на катоді | 91 нс (тип.; Vo(c) 50–150 В, меандр) |
| Час спаду на катоді | 91 нс (тип.; Vo(c) 150–50 В, меандр) |
| Швидкість наростання | 900 В/мкс (тип.; Vi 4 В розмах, tr = tf = 40 нс) |
| Температура переходу Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
Мікросхема TDA6106Q
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Кількість каналів | 1 |
| Напруга живлення VDD, макс. | 250 В (абсолютний максимум) |
| Робоча напруга VDD | 180–210 В при Tamb –20…+65 °C |
| Внутрішнє опорне коло | 2,5 В |
| Смуга пропускання | 6 МГц |
| Час наростання на катоді | 74 нс (тип.; Voc 50–150 В, меандр) |
| Час спаду на катоді | 74 нс (тип.; Voc 150–50 В, меандр) |
| Швидкість наростання | 1200 В/мкс (тип.; 50–150 В) |
| Температура переходу Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
Мікросхема TDA6103Q
В наявності
35,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Кількість каналів | 3 |
| Напруга VDD, макс. | 250 В |
| Робоча напруга VDD | 180–210 В |
| Струм IDD | 9,25 мА |
| Смуга пропускання (Voc 60 В) | 7,5 МГц |
| Час наростання | 60 нс |
| Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | SIL9MP (SOT111BE), 9 виводів |
Мікросхема TDA6101Q ( TDA6100Q )
В наявності
34,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Кількість каналів | 1 |
| Напруга VDDH, макс. | 250 В |
| Напруга VDDL, макс. | 14 В |
| Робоча напруга VDDH | 180–210 В |
| Робоча напруга VDDL | 10,8–13,2 В |
| Смуга пропускання (Voc 60 В) | 9 МГц |
| Час наростання | 55 нс |
| Ptot, макс. | 1,9 Вт |
| Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
Мікросхема TDA5331T , smd
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Позначення | TDA5331T |
| Корпус | smd |
Мікросхема TDA4950
В наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | корекція подушкоподібних спотворень (схід–захід) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення VS | 17–30 В (тип. 24 В) |
| Макс. напруга живлення VS | 35 В |
| Корпус | POWERDIP8 (DIP-8) |
Мікросхема TDA4866
В наявності
61,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | повномостовий підсилювач кадрової розгортки |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 8.2–25 В |
| Напруга зворотного ходу VFB | до 60 В |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Струм відхилення (вив. 4 і 6) | 0.6–2 А |
Мікросхема TDA4865AJ
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підсилювач кадрової розгортки |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP1 | 9–35 В |
| Вихідний струм розгортки (розмах) | 3.8 А |
| Корпус | DBS7P |
| Робоча температура | -20 … +75 °C |
Мікросхема TDA4864AJ
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підсилювач кадрової розгортки |
| Напруга живлення VP1 | 9–30 В (IVOUT = -1.25 А під час ходу променя) |
| Напруга живлення VP2 | VP1 – 1 … 60 В |
| Вихід VP3 | 0 … VP1 + 2.2 В |
| Вихідний струм (пік-пік), макс. | 2.5 А |
| Струм споживання IP1 | 6 мА тип., 10 мА макс. |
| Струм спокою IP2 (IVOUT = 0) | 25 мА тип., 60 мА макс. |
| Тепловий опір кристал – основа | 6 К/Вт |
| Температура кристала Tj, макс. | 150 °C |
| Робоча температура середовища | –20…+75 °C |
| Корпус | DBS7P |
Мікросхема TDA4863AJ
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підсилювач потужності кадрової розгортки |
| Напруга живлення VP1 | 9–30 В (TA 25 °C) |
| Напруга живлення VP1, макс. | 40 В |
| Напруга живлення VP2, макс. | 60 В |
| Вихідний струм (пік-пік), макс. | 3 А |
| Частота кадрової розгортки | до 200 Гц |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід – основа | 6 К/Вт |
| Робоча температура Tamb | –20…+75 °C |
| Корпус | DBS7P |
Мікросхема TDA4665
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | лінія затримки основної смуги на один рядок |
| Затримка сигналу | 64 мкс (один рядок) |
| Напруга живлення VP1, VP2 | 5 В (діапазон 4,5–6 В) |
| Напруга живлення, макс. допустима | 7 В |
| Підсилення Vo/Vi (PAL і NTSC) | 5,8 дБ (мін. 5,3, макс. 6,3) |
| Внутрішня тактова частота | 3 МГц |
| Робоча температура Tamb | 0–70 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість виводів | 16 шт. |
Мікросхема TDA4605-3
В наявності
55,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 шт. |
| Напруга живлення V6, робочий діапазон | 7,5–15,5 В |
| Напруга живлення V6, макс. допустима | 20 В |
| Напруга вмикання V6E | 12 В (TA 25 °C, VS 10 В) |
| Напруга вимикання V6A | 5 В (TA 25 °C, VS 10 В) |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Виробник | Siemens Semiconductor Group |
Мікросхема TDA4605-2 ( TDA4605 )
В наявності
32,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 шт. |
| Напруга живлення V6, робочий діапазон | 7,5–15,5 В |
| Напруга живлення V6, макс. допустима | 20 В |
| Напруга вмикання V6E | 12 В (TA 25 °C, VS 10 В) |
| Напруга вимикання V6A | 5 В (TA 25 °C, VS 10 В) |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Виробник | Infineon |
Мікросхема TDA4601 , SIP9
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 9-SIP |
| Кількість виводів | 9 шт. |
| Напруга живлення V9, робочий діапазон | 7,8–18 В |
| Напруга живлення V9, макс. допустима | 20 В |
| Опорна напруга V1 | 4,2 В (TA 25 °C, I1 < 0,1 мА) |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Виробник | Siemens Semiconductor Group |
Мікросхема TDA4504B ( TDA8304 )
В наявності
198,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | малосигнальна обробка для багатостандартного кольорового ТВ |
| Напруга живлення (пін 8) | 10 / 12 / 13,2 В (мін / типове / макс) |
| Струм споживання (пін 8) | 90 / 115 / 140 мА (мін / типове / макс) |
| Корпус | DIL-32, пластик (SOT201), 32 виводи |
Мікросхема TDA3654Q
В наявності
73,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | вихідний каскад вертикальної розгортки, системи 90° і 110° |
| Напруга живлення (макс.) | 40 В |
| Вихідна напруга (макс., пін 5) | 60 В |
| Вихідний струм (пік–пік, макс.) | 3 А |
| Робоча температура | -25…+60 °C |
| Корпус | SIL-9 вигнутий у DIL, пластик (SOT157), 9 виводів |