Магазин

Показано 1945–1968 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема STV5109

В наявності

163,56 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипRGB-підсилювач відеосигналу високої напруги
Смуга пропускання8 МГц (типове)
Висока напруга живлення220 В (типове)
Низька напруга VCC12 В (типове, вивід 5)
Час наростання і спаду50 нс (типове)
КорпусMULTIWATT15
Кількість виводів15 шт

Мікросхема STV2249H ( Заміна для STV2248H )

В наявності

258,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипОднокристальний TV-процесор
КорпусSDIP56-P-600-1.78
Кількість виводів56 шт
Стандарти кольоруPAL/SECAM/NTSC
Живлення VCC18 В
Живлення VCCIF5 В
Цифрове живлення VCCD5 В

Мікросхема STV2246D ( Заміна для STV2246C , STV2246H )

В наявності

141,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
НомерSTV2246D
Заміна дляSTV2246C, STV2246H

Мікросхема STV2180A-BC оригінал демонтаж , DIP14

В наявності

94,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
КорпусDIP14
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення VCC9 В (8,5–9,5 В) при Tamb 25 °C, R9 = 4,02 кОм
Макс. напруга VCC11 В
Струм споживання15 мА (макс. 25 мА) при VCC = 9 В
Споживана потужність135 мВт (макс. 240 мВт) при VCC = 9 В
Робоча температура0…+70 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема STV2118A ( Заміна для STV2118B )

В наявності

391,98 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
КорпусSDIP42
Системи кольоруPAL/SECAM/NTSC (BGDKILMN)
Напруга живлення VCC1, VCC29 В (8,1–9,9 В), Tamb = 25 °C
Макс. напруга VCC12 В
Струм ICC175 мА (55–95 мА), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Струм ICC270 мА (50–90 мА), режим PAL/NTSC, VCC = 9 В
Потужність розсіювання1305 мВт (макс. 1700 мВт), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Робоча температура0…+70 °C
Тепловий опір Rth(j-a)40 °C/Вт, PD = 1,3 Вт

Мікросхема STV2116A б/в (нет SECAM / PAL есть )

В наявності

94,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
КорпусSDIP42
Системи кольоруPAL/NTSC (BGDKIMN), без SECAM
Напруга живлення VCC1, VCC29 В (8,1–9,9 В), Tamb = 25 °C
Макс. напруга VCC12 В
Струм ICC175 мА (55–95 мА), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Струм ICC260 мА (40–80 мА), режим PAL/NTSC, VCC = 9 В
Потужність розсіювання1215 мВт (макс. 1600 мВт), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Робоча температура0…+70 °C
Тепловий опір Rth(j-a)40 °C/Вт, PD = 1,3 Вт
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STV2112B демонтаж

В наявності

235,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
КорпусSDIP42
Напруга живлення VCC1, VCC29 В (8,1–9,9 В), Tamb = 25 °C
Макс. напруга VCC12 В
Потужність Ptot1305 мВт тип. / 1700 мВт макс., VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Робоча температура0…+70 °C
Температура зберігання-55…+150 °C
Тепловий опір Rth(j-a)40 °C/Вт, PD = 1,3 Вт
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRZ2152 ( STR-Z2152 ) оригінал демонтаж

В наявності

188,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема STRX6768 оригінал

В наявності

296,10 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO-3P, 7 виводів
Напруга сток–витік VDSS800 В (IDSS = 300 мкА, мінімум)
Опір RDS(on)1,0 Ом (IDS = 2,5 А, максимум)
Піковий струм стоку IDpeak20 А (одиничний імпульс)
Напруга запуску VCC(ON)18,2 В (типове)
Напруга зупинки VCC(OFF)9,7 В (типове)
Потужність розсіювання PD146 Вт (з нескінченним радіатором; без радіатора 2,8 Вт)
Робоча температура-20…125 °C
СтанОригінал

Мікросхема STRX6556 оригінал

В наявності

235,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
СтанОригінал

Мікросхема STRW6765C ( STRW6765 ) демонтаж

В наявності

131,60 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Напруга сток–витік VDSS800 В
Опір RDS(on)1,80 Ом (максимум)
Вихідна потужність (вхід Wide)50 Вт (тепловий номінал)
Вихідна потужність (вхід 230 В AC)110 Вт (тепловий номінал)
Напруга запуску VCC(ON)18,2 В (типове значення)
Напруга зупинки VCC(OFF)9,7 В (типове значення)
Захист VCC(OVP)25,5 В (мінімум)
КорпусTO-220, 7 виводів, повністю ізольований, вивід 2 відсутній
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRW6756 демонтаж

В наявності

117,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Призначенняквазірезонансний первинний імпульсний регулятор з вбудованим MOSFET і контролером
ВиробникSanken
Напруга Vdss650 В (мінімум, ID = 300 мкА)
Опір Rds(on)0,73 Ом (максимум, ID = 2,2 А)
Імпульсний струм стоку IDpeak15 А (одиночний імпульс)
Лавинна енергія EAS400 мДж (одиночний імпульс, VDD = 99 В, L = 20 мГн, ILpeak = 6,05 А)
Напруга живлення контролера Vcc35 В (максимально допустима)
Потужність розсіювання MOSFET29 Вт (з нескінченним радіатором; без радіатора 1,3 Вт)
Температура каналу Tch150 °C (максимум)
Напруга запуску Vcc(ON)18,2 В (типове значення, діапазон 16,3–19,9 В)
Напруга зупинки Vcc(OFF)9,7 В (типове значення, діапазон 8,8–10,6 В)
Тепловий опір канал–рамка1,5 °C/Вт (максимум)
КорпусTO-220F-6L
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRW6753 ( STRW6753R )

В наявності

117,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Призначенняквазірезонансний імпульсний регулятор з вбудованим MOSFET і схемою керування
ВиробникSanken
Напруга Vdss650 В
Опір Rds(on)1,70 Ом (максимум)
Вихідна потужність (вхід 85–264 В AC)58 Вт (теплова межа)
Вихідна потужність (вхід 230 В AC)120 Вт (теплова межа)
Напруга запуску Vcc(ON)18,2 В (типове значення)
Напруга зупинки Vcc(OFF)9,7 В (типове значення, максимум 10,6 В)
КорпусTO-220F-7

Мікросхема STRW6553A демонтаж

В наявності

84,60 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO-220
Призначенняквазірезонансний зворотноходовий імпульсний регулятор для мережевих джерел живлення
Силовий транзисторвбудований MOSFET з гарантованою лавинною енергією
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRW6262A ( STRW6262 ) демонтаж

В наявності

108,10 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO220-6
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRW6252 демонтаж(Заміна для STRW6251 )

В наявності

117,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO-220F-6L
Напруга Vdss650 В (мін.; Ta 25 °C)
Rds(on)2,8 Ом (макс.; Ta 25 °C)
Струм Id(max)3,2 А (Ta -20…+125 °C)
Частота fosc(avg)67 кГц (тип.; Vcc 18 В)
СтанДемонтаж б/в

Транзистор CS13N50 оригінал, TO220

В наявності

59,69 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
КорпусTO-220
ВиробникWuxi China Resources Huajing Microelectronics
Напруга Vds (VGS=0 В, ID=250 мкА)500 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)13 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)10 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=6.5 А)0.34 Ом (тип.), 0.45 Ом (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg45 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C)150 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал

Мікросхема STRS6706

В наявності

163,56 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Номер деталіSTRS6706
КатегоріяМікросхеми

Мікросхема STRS6308

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
НомерSTRS6308

Мікросхема STRS6307 оригінал

В наявності

108,10 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Кількість виводів9 шт (нумерація виводів 1–9 на схемі IC601)
СтанОригінал

Мікросхема STRS5741 оригінал ( STRS5841 , STRS5941 )

В наявності

126,90 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
СтанОригінал

Мікросхема STRM6529 ( STR-M6529 ) оригінал

В наявності

141,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Напруга Vds (макс.)800 В
Струм стоку, постійний5.4 А
Струм стоку, імпульс20 А (1 мс, одиночний)
Опір Rds(on)1.8 Ом (тип., макс. 2.2, VGS 10 В, ID 2.5 А)
Струм витоку FET300 мкА (макс., VDS 800 В)
Напруга живлення VIN (макс.)35 В
Вмикання VIN14.4–17.6 В (VIN зростає)
Вимикання UVLO9.0–11 В (VIN спадає)
Поріг OVP26–31 В
Час спаду250 нс (макс., VDD 250 В, ID 2.5 А, 10–90 % VDS)
Енергія лавини400 мДж (одиночний імпульс)
Ізоляція2000 В (RMS)
Tj макс. (FET)150 °C
Робоча температуравід -20 до +125 °C (Ta)
КорпусSIP overmolded (з ізольованим радіатором)
СтанОригінал

Мікросхема STRL472 оригінал

В наявності

258,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Vdss900 В мін.
Rds(on)7,7 Ом макс.
КорпусSIP-10 (Sanken STA-10L)
Крок виводів2,54 мм
Висота над платою<12 мм
ЗахистиOCP – імпульс за імпульсом; OLP, TSD – з фіксацією
СтанОригінал

Мікросхема STRG9656

В наявності

85,54 ₴
На канікулах до 20.11