Магазин
Демонтаж
Мікросхема SE125N демонтаж
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга виявлення Vs | 125.2 ± 0.8 В |
| Напруга колектор–земля VCGO | 150 В |
| Струм колектора Ic | 20 мА |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема SE120N
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Підсилювач помилки (Error Amplifier IC), серія SE |
| Виробник | Sanken |
| Напруга спрацювання VS | 120.2 ±0.8 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–земля VCGO | 150 В (макс.) |
| Струм колектора Ic | 20 мА (макс.) |
| Робоча температура | -20…+125 °C (корпус) |
| Кількість виводів | 3 |
Мікросхема SE115N
В наявності
36,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга спрацювання Vs | 115.2 ± 0.8 В |
| Напруга колектор – земля VCGO | 150 В |
| Струм колектора Ic | 20 мА |
Мікросхема SE090N
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга виявлення Vs | 90.0 ± 0.8 В |
| Напруга колектор–земля VCGO | 150 В |
| Струм колектора Ic | 20 мА |
Мікросхема SDC606 ( SDC606U ) , DIP8
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга HV-транзистора | 700 В (VCB, абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність | 12 Вт, піково 15 Вт (вхід 85–265 В AC) |
| Напруга живлення VCC | 4,5–11,0 В |
| Частота генератора | 61 кГц (Ta 25 °C, VCC=7,0 В) |
| Струм запуску | 15 мкА (макс. 50 мкА) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Виробник | Shaoxing Devechip Microelectronics (SDC) |
Мікросхема SD7402 , so-16
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOP-16 (SOP-16-225-1.27) |
| Кількість каналів | 3 |
| Напруга живлення VCC | 5 В |
| Напруга живлення VSS | -12 В |
| Робочий струм ICC | 3 мА (макс. 5 мА) |
| THD | 0,05 % (макс. 0,1 %) |
| Сигнал/шум | 85 дБ (мін. 80 дБ) |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
Мікросхема SD6864, DIP8 ( SD6862 )
В наявності
46,53 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Tamb 25 °C) |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Частота перемикання | 25–67 кГц |
| Струм запуску | 3 мкА |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
Мікросхема SD6834 , DIP8
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Макс. частота перемикання | 67 кГц |
| Мін. частота перемикання | 25 кГц |
| Поріг запуску VSTART | 15,5 В |
| Поріг зупинки VSTOP | 8,3 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
Мікросхема SD6832 , DIP8
В наявності
20,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Макс. частота перемикання | 67 кГц |
| Мін. частота перемикання | 25 кГц |
| Поріг запуску VSTART | 15,5 В |
| Поріг зупинки VSTOP | 8,3 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
Мікросхема SD6830 , DIP8
В наявності
38,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга ключа VOC | 700 В |
| Макс. імпульсний струм ключа IOC | 1 А |
| Макс. напруга живлення Vcc | 18 В |
| Рекомендована напруга Vcc | 5–12 В (тип. 6 В) |
| Частота генерації | 61 кГц |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
Мікросхема SD4842P , DIP
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Корпус | DIP8 |
| BVDSS (VGS=0 В, ID=50 мкА) | 650 В |
| Id (Tamb=25 °C) | 2 А |
| Idm | 8 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=0.5 А) | 5.0 Ом (макс. 6.0) |
| EAS (L=51 мГн) | 68 мДж |
| Частота fOSC | 67 кГц |
| Vcc макс. | 21 В |
Мікросхема SD4841P оригінал ( Заміна для SW8603 , SW253G ), DIP8
В наявності
33,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Корпус | DIP8 |
| BVDSS (VGS=0 В, ID=50 мкА) | 650 В |
| Id (Tamb=25 °C) | 1.5 А |
| Idm | 6 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=0.5 А) | 8.0 Ом (макс. 9.6) |
| EAS (L=51 мГн) | 30 мДж |
| Частота fOSC | 67 кГц |
| Vcc макс. | 21 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SC1S311 ( 1S311 ) , smd
В наявності
100,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга Vcc | 35 В |
| Напруга запуску Vcc(ON) | 15.1 В (typ) |
| Частота fOSC | 21.0 кГц (typ) |
| Макс. час відкритого стану | 40.0 мкс (typ) |
Демонтаж
Мікросхема SAA1293-02 демонтаж
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 40 виводів, пластиковий |
| Пам'ять станцій | до 39 станцій |
| Клавіатура | до 32 клавіш прямого вибору |
| Аналогові виходи | 4 шт. |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема SA482P , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (пробій) | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Струм стоку при 25 °C | 2,0 А |
| Струм стоку при 100 °C | 1,3 А |
| Rds(on) | 5,0 Ом (тип., VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Частота генератора | 67 кГц |
| Макс. шпаруватість | 77 % |
| Макс. напруга Vcc | 30 В |
Мікросхема SA482D , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairtek |
| Тип | ШІМ-контролер BiCMOS зі вбудованим MOSFET |
| Струм вбудованого MOSFET | 2 А (за описом у документі, без умов вимірювання) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема S8035BE ( STI8035BE ) , so-8
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Sunto Semiconductor |
| Вихідна напруга (H_L=1) | 19 В (EN=1, H_L=1) |
| Вихідна напруга (H_L=0) | 14 В (EN=1, H_L=0) |
| Вихідний струм | 650 мА (за заголовком документа) |
| Напруга живлення Vin | 9–14 В (рекомендовані умови) |
| Обмеження струму виходу | 900 мА (макс.) |
| Частота BOOST | 1 МГц (EN=1) |
| ККД | 90 % (тип.) |
| Теплове відключення | 160 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | eSOP8L, 8 виводів + тепловідвідна площадка |
Мікросхема RT8284N , so-8
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Вихідний струм | 2 А |
| Вхідна напруга (рекомендовані умови) | 4.5–23 В |
| Макс. напруга VIN (абсолютний максимум) | 25 В |
| Частота перетворення | 340 кГц (фіксована) |
| Опорна напруга VFB | 0.923 В (VIN 4.5–23 В, типове) |
| Вихідна напруга | 0.923–20 В |
| ККД | до 95 % |
| Корпус | SO-8 |