Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65S1K5CE ( IPA65R1K5CE ) оригінал, TO220F
202,10 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
65S1K5CE (IPA65R1K5CE) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії CoolMOS CE на 650 В у корпусі TO220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Серія | CoolMOS CE |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5.2 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3.3 А |
| Rds(on) | 1.26 Ом (тип., VGS=10 В, ID=1 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 10.5 нКл (тип., VDD=480 В, ID=1.5 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 225 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (ID=0.1 мА) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
65S1K5CE – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) серії CoolMOS CE виробництва Infineon, друге позначення – IPA65R1K5CE. Корпус – PG-TO 220 FullPAK (TO220F). Напруга Vds – 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мінімум; при Tj max – 700 В). Струм стоку Id – 5.2 А при Tc 25 °C і 3.3 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.26 Ом типово при VGS=10 В, ID=1 А, Tj 25 °C (максимум 1.50 Ом). Заряд затвора Qg – 10.5 нКл типово при VDD=480 В, ID=1.5 А, VGS 0–10 В. Вхідна ємність Ciss типово 225 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2.5–3.5 В при ID=0.1 мА. Потужність розсіювання Pd – 30 Вт для корпусу FullPAK при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Якщо підбираєте заміну, порівняйте з datasheet тип каналу, напругу Vds, струм Id при тій самій температурі корпусу, Rds(on) при тому самому VGS і корпус TO220F.
Де застосовують
- Каскади PFC, жорстко комутовані ШІМ-каскади та резонансні каскади
- Блоки живлення ПК, адаптери, LCD і PDP телевізори, освітлення
Чим замінити 65S1K5CE?
Серед товарів у наявності підходящого аналога за параметрами немає. Друге позначення цього транзистора – IPA65R1K5CE. Підбираючи заміну, порівняйте N-канал, Vds не нижче 650 В, Id, Rds(on) при VGS=10 В і корпус TO220F.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує 65S1K5CE?
5.2 А при Tc 25 °C і 3.3 А при Tc 100 °C. Це струм стоку Id, він залежить від температури корпусу.
Для чого використовують транзистор серії CoolMOS CE?
За даними виробника – у каскадах PFC, жорстко комутованих ШІМ-каскадах і резонансних каскадах, зокрема в блоках живлення ПК, адаптерах, LCD і PDP телевізорах та освітленні.
Документація виробника: IPA65R1K5CE (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.