Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Транзистор 2SK3918 , D-PAK

17,39 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

2SK3918 – N-канальний польовий транзистор NEC Electronics (Renesas Electronics) у корпусі D-PAK для низьковольтних DC/DC перетворювачів. Нова деталь.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds25 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм стоку192 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Опір Rds(on)7.5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 24 А)
Потужність Pd29 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss1300 пФ (типово)
Напруга затвор–витік Vgs±20 В (VDS = 0 В)
Енергія лавини Eas48 мДж (IAS 22 А)
Макс. температура каналу150 °C
Тип каналуN
КорпусTO-252 (D-PAK)
ВиробникNEC Electronics (Renesas Electronics)
Опис

2SK3918 – N-канальний MOSFET NEC Electronics (Renesas Electronics) у корпусі D-PAK (TO-252). Напруга стік–витік Vds 25 В (VGS = 0 В), струм стоку Id 48 А (Tc 25 °C), імпульсний струм стоку 192 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %). Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 7.5 мОм (VGS 10 В, ID 24 А). Вхідна ємність Ciss типово 1300 пФ. Напруга затвор–витік Vgs ±20 В (VDS = 0 В). Потужність розсіювання 29 Вт (Tc 25 °C), максимальна температура каналу 150 °C, енергія лавини Eas 48 мДж (IAS 22 А).

Це нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) і корпус: заміна має бути не гіршою за ці значення і мати таку саму розпіновку. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • DC/DC перетворювачі із синхронним випрямленням (низька напруга, великий струм)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
CS100N03 канал N = N, Vds 30 ≥ 25, Id(25 °C) 100 ≥ 0.8×48 = 38.4, Rds(on) VGS 10 В макс. 5.3 ≤ 1.3×7.5 = 9.75 мОм, корпус D-PAK = D-PAK Вхідна ємність Ciss 3500 пФ проти 1300 пФ – перевірте драйвер затвора. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити 2SK3918?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі D-PAK з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 25 В, струмом Id не менше потрібного у вашій схемі і Rds(on) не гіршим. Параметри перевіряйте за datasheet.

Як перевірити 2SK3918 мультиметром?

Виміряйте опір між усіма виводами: у справного транзистора немає пробою між стоком, витоком і затвором.

Чи підходить 2SK3918 для синхронного випрямлення?

Так, документ вказує на DC/DC перетворювачі із синхронним випрямленням (низька напруга, великий струм).

Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Datasheet

Документація виробника: 2SK3918 (NEC Electronics).

Корпус D-PAK відповідає варіанту 2SK3918-ZK у документі; Qg у документі однозначно не прочитано.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

2SK3918 (NEC Electronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5