Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSF13N50M оригінал ( TSF13N50 , FQPF13N50C , NS13N50C , STF13NK50Z , SVF13N50F , MDF13N50B , STP12NM50FP , STF12NM50N , MDF12N50F , FQPF11N50CF , 12N50E , FMV12N50E ), TO220F
173,90 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TSF13N50M – N-канальний польовий транзистор Truesemi у корпусі TO-220F для імпульсних джерел живлення і PFC. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.40 Ом тип. / 0.48 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
TSF13N50M – N-канальний MOSFET виробництва Truesemi у корпусі TO-220F. Напруга стік–витік Vds 500 В при Tj 25 °C. Струм стоку Id 13 А при Tc 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 8 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0.40 Ом типово, 0.48 Ом максимум при Vgs 10 В, Id 6.5 А. Потужність розсіювання Pd 48 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Заряд затвора Qg 45 нКл типово при Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Вбудований діод: Vsd до 1.5 В, trr 410 нс.
Товар оригінальний, не демонтаж. Для заміни дивіться на напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) і корпус: усі чотири значення мають бути не гірші за ці. У назві товару також вказані схожі позначення, серед них TSF13N50 і FQPF13N50C. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення високої ефективності
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 2SK3313 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 12 ≥ 0.8×13=10.4, Rds(on) Vgs 10 В max 0.62 ≤ 1.3×0.48=0.624, корпус TO-220F = TO-220F | Rds(on) на межі правила, більші втрати на нагрів; перевірте datasheet | Купити |
| SVF12N60F | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 12 ≥ 0.8×13=10.4, Rds(on) Vgs 10 В max 0.58 ≤ 1.3×0.48=0.624, корпус TO-220F = TO-220F | Перевірте datasheet перед заміною | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити TSF13N50M?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, Id не менше 13 А при 25 °C і Rds(on) не вищим за 0.48 Ом при Vgs 10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
Витягніть деталь зі схеми, перевірте, що між стоком і витоком немає короткого замикання, а вбудований діод проводить струм в одному напрямку. Затвор не повинен проводити струм ні на витік, ні на стік.
Для чого підходить TSF13N50M?
Для імпульсних джерел живлення високої ефективності та активної корекції коефіцієнта потужності (PFC).
Документація виробника: TSF13N50M (Truesemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.