Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
Транзистор IRFD220 (200V,0.8A,1W,0.8R), DIP4
36,19 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFD220 – N-канальний польовий транзистор Vishay Siliconix на 200 В і 0.8 А в корпусі DIP4 (HVMDIP). Підходить для швидких ключових схем на платі.
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (TA = 25 °C) | 0.80 А |
| Струм Id (TA = 100 °C) | 0.50 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.48 А, максимум) | 0.80 Ом |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 1.0 Вт |
| Заряд затвора Qg (максимум) | 14 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 260 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | DIP4 (HVMDIP, 4 виводи) |
IRFD220 (200V, 0.8A, 1W, 0.8R) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Vishay Siliconix у корпусі DIP4 (HVMDIP, 4 виводи). Напруга стік-витік Vds – 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 0.80 А при VGS = 10 В і TA = 25 °C, 0.50 А при TA = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 0.80 Ом при VGS = 10 В, ID = 0.48 А. Розсіювана потужність Pd – 1.0 Вт при TA = 25 °C. Заряд затвора Qg – до 14 нКл при VGS = 10 В, ID = 4.8 А, VDS = 160 В. Вхідна ємність Ciss типово 260 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В, напруга затвор-витік – до ±20 В.
Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу (N), Vds, струм Id при тій самій температурі, Rds(on) при VGS = 10 В і корпус DIP4 з тим самим розташуванням виводів. Якщо у заміни заряд затвора Qg удвічі більший, перевірте драйвер затвора. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Швидкі перемикання
- Ключові схеми на платі, монтаж у корпусі з 4 виводами
Чим замінити IRFD220?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі DIP4 з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 200 В, струмом Id не меншим за 0.80 А при TA = 25 °C (або близьким до нього) і Rds(on) не вищим за 0.80 Ом при VGS = 10 В.
Як перевірити IRFD220 мультиметром?
У режимі перевірки діодів вбудований діод між стоком і витоком має пропускати струм в один бік (Vsd до 1.8 В при IS = 0.80 А). Канал, що проводить в обидва боки при розрядженому затворі, свідчить про пробій.
Чи підходить IRFD220 для автоматичного монтажу?
Так, корпус із 4 виводами призначений для автоматичного монтажу, виводи ставляться з кроком 0.1 дюйма.
Яка напруга стік-витік у IRFD220?
Vds – 200 В при VGS = 0 В, ID = 250 мкА. У назві товару вказано 200V.
Документація виробника: IRFD220, Document Number 91131, S21-0885-Rev. D.
Параметри наведено за datasheet виробника Vishay (Document Number 91131).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.