Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP10NK60Z ( P10NK60Z ) оригінал ( заміна для FDP10N60NZ , BUZ91A , BUZ91 ), TO-220
86,48 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP10NK60Z (P10NK60Z) – потужний N-канальний MOSFET SuperMESH STMicroelectronics на 600 В, 10 А, корпус TO-220, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 5.7 А |
| Опір Rds(on) | 0.68 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип., 70 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 8 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.00–4.50 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 115 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
STP10NK60Z (P10NK60Z) – потужний N-канальний MOSFET SuperMESH виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-220. Напруга Vds – 600 В при VGS = 0 В. Струм стоку Id – 10 А при Tc 25 °C і 5.7 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – 0.68 Ом типово, 0.75 Ом максимум при Vgs 10 В, Id 4.5 А. Заряд затвора Qg – 48 нКл типово, 70 нКл максимум при Vdd 480 В, Id 8 А. Вхідна ємність Ciss типово 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – від 3.00 до 4.50 В при Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 115 Вт при Tc 25 °C. Затвор захищений стабілітронами, ESD 4 кВ.
Стан: оригінал, не демонтаж. STP10NK60Z може замінити FDP10N60NZ, BUZ91A і BUZ91, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даними виробника є також варіанти STB10NK60ZT4, STP10NK60ZFP і STW10NK60Z. Для заміни звіряйте корпус, напругу, струм і Qg. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Перемикальні схеми
Чим замінити STP10NK60Z?
За назвою товару він може замінити FDP10N60NZ, BUZ91A і BUZ91. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Прямі варіанти за даними виробника: STB10NK60ZT4, STP10NK60ZFP, STW10NK60Z.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи захищений затвор?
Так, затвор захищений стабілітронами (Zener-protected), ESD 4 кВ.
Який заряд затвора для вибору драйвера?
Qg – 48 нКл типово, 70 нКл максимум при Vdd 480 В, Id 8 А, Vgs 0–10 В.
Документація виробника: DS2635 Rev 12.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.