Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал демонтаж, TO220
47,00 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP75NF75 (P75NF75) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-220. Оригінал, демонтаж – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 75 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Струм Id (100 °C) | 70 А |
| Опір Rds(on) | 0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл тип., 160 нКл макс. (Vdd = 60 В, Id = 80 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
STP75NF75 (P75NF75) – N-канальний MOSFET серії STripFET II від STMicroelectronics у корпусі TO-220. За datasheet напруга Vds становить 75 В (при Vgs = 0), струм стоку Id – 80 А при 25 °C (обмежено корпусом) і 70 А при 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,0095 Ом типово і 0,011 Ом максимум при Vgs = 10 В, Id = 40 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В (типово 3 В) при Vds = Vgs, Id = 250 мкА. Максимальна напруга затвор-витік – ±20 В, робоча температура переходу – від -55 до 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Це оригінал, демонтаж: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (потрібен N-канал), Vds, струм Id, опір Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, корпус і розпіновку. Заряд затвора Qg – 117 нКл типово при Vdd = 60 В, Id = 80 А, Vgs = 10 В: якщо у заміни він суттєво більший, перевірте здатність драйвера.
Де застосовують
- Первинний ключ у високоефективних високочастотних ізольованих DC-DC перетворювачах для телекому та комп'ютерів
- Схеми з низькими вимогами до драйвера затвора
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити STP75NF75?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 75 В, Id не менше за 80 А при 25 °C з запасом, Rds(on) не гірший за 0,011 Ом при Vgs = 10 В. Порівнюйте datasheet самостійно.
Як перевірити транзистор перед монтажем?
Тестером перевірте, що між виводами немає пробою і немає обриву. Щоб повністю відкрити канал за параметрами Rds(on), подавайте на затвор Vgs = 10 В.
Чи є вказаний струм 80 А у корпусі TO-220?
Так, 80 А при 25 °C – значення, обмежене корпусом. При 100 °C datasheet дає 70 А.
Документація виробника: STB75NF75 - STP75NF75 - STP75NF75FP, Rev 8.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема TL494C ( TL494 , TL494CDR , TL494IDR , DBL494 , KIA494 ) оригінал, so-16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсних блоків живлення |
| Корпус | SO-16 |
| Корпус (докладно) | SOIC (D), 16 виводів |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 7–40 В |
| Напруга живлення Vcc (абс. максимум) | 41 В |
| Напруга колектора вихідного транзистора (рекомендована) | 40 В |
| Струм колектора вихідного транзистора (рекомендований) | 200 мА |
| Частота генератора | 1–300 кГц |
| Опорна напруга REF | 5 В (4,75–5,25 В) при Io = 1 мА, TA = 25 °C |
| Точність опорної напруги | 5 % |
| Робочий діапазон температур TL494C | 0…70 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.