Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP7NK80ZFP оригінал (800V,7A)
88,83 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP7NK80ZFP – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics з захистом затвора стабілітроном у ізольованому корпусі TO-220FP. Оригінал, 800 В, струм стоку 5,2 А (TC = 25 °C).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 5,2 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 3,3 А |
| Імпульсний струм Idm | 20,8 А |
| Опір Rds(on) | 1,5 Ом тип., 1,8 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 2,6 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип., 56 нКл макс. (Vdd = 640 В, Id = 5,2 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1138 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 / 3,75 / 4,5 В (мін. / тип. / макс.) при Vds = Vgs, Id = 100 мкА |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 30 Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 4,2 °C/Вт |
| Ізоляція Viso | 2500 В (RMS), t = 1 с, TC = 25 °C |
| ESD затвор-витік | 4000 В (HBM) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
STP7NK80ZFP – N-канальний MOSFET серії SuperMESH від STMicroelectronics у ізольованому корпусі TO-220FP. За datasheet напруга Vds становить 800 В (при Vgs = 0). Струм стоку Id для корпусу TO-220FP – 5,2 А при TC = 25 °C і 3,3 А при TC = 100 °C (обмежено лише максимальною температурою), імпульсний струм Idm – 20,8 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,5 Ом типово і 1,8 Ом максимум при Vgs = 10 В, Id = 2,6 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 3 до 4,5 В (типово 3,75 В) при Vds = Vgs, Id = 100 мкА. Заряд затвора Qg – 40 нКл типово і 56 нКл максимум при Vdd = 640 В, Id = 5,2 А, Vgs = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1138 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Між затвором і витоком є захисний стабілітрон, ESD затвор-витік – 4000 В (HBM, C = 100 пФ, R = 1,5 кОм). Розсіювана потужність Pd – 30 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rth(j-c) не більше 4,2 °C/Вт. Напруга ізоляції корпуса Viso – 2500 В (RMS) з усіх виводів на радіатор, t = 1 с, TC = 25 °C.
Це оригінал. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (потрібен N-канал), Vds не нижче 800 В, струм Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, а також корпус і розпіновку. Ізольований корпус дозволяє кріпити транзистор на радіатор без окремої прокладки.
Де застосовують
- Імпульсні ключові схеми
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP7NK80ZFP?
Шукайте N-канальний MOSFET з Vds не нижче 800 В у корпусі TO-220FP з тією самою розпіновкою, зі струмом Id не менше 5,2 А (TC = 25 °C) і з Rds(on) не гіршим за 1,8 Ом при Vgs = 10 В. Порівнюйте datasheet самостійно.
Чи потрібна ізоляційна прокладка до радіатора?
Корпус TO-220FP ізольований: Viso становить 2500 В (RMS) з усіх виводів на радіатор при t = 1 с, TC = 25 °C, тому окрема прокладка не потрібна.
Що дає захисний стабілітрон у затворі?
Між затвором і витоком встановлено стабілітрон; ESD затвор-витік за datasheet – 4000 В (HBM, C = 100 пФ, R = 1,5 кОм). Це підвищує стійкість затвора до статичного розряду.
Документація виробника: STB7NK80Z, STB7NK80Z-1, STP7NK80ZFP, STP7NK80Z, Doc ID 8979 Rev 6.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.