Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP7NK80ZFP оригінал (800V,7A)
88,83 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP7NK80ZFP – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics з захистом затвора стабілітроном у ізольованому корпусі TO-220FP. Оригінал, 800 В, струм стоку 5,2 А (TC = 25 °C).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 5,2 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 3,3 А |
| Імпульсний струм Idm | 20,8 А |
| Опір Rds(on) | 1,5 Ом тип., 1,8 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 2,6 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип., 56 нКл макс. (Vdd = 640 В, Id = 5,2 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1138 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 / 3,75 / 4,5 В (мін. / тип. / макс.) при Vds = Vgs, Id = 100 мкА |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 30 Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 4,2 °C/Вт |
| Ізоляція Viso | 2500 В (RMS), t = 1 с, TC = 25 °C |
| ESD затвор-витік | 4000 В (HBM) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
STP7NK80ZFP – N-канальний MOSFET серії SuperMESH від STMicroelectronics у ізольованому корпусі TO-220FP. За datasheet напруга Vds становить 800 В (при Vgs = 0). Струм стоку Id для корпусу TO-220FP – 5,2 А при TC = 25 °C і 3,3 А при TC = 100 °C (обмежено лише максимальною температурою), імпульсний струм Idm – 20,8 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,5 Ом типово і 1,8 Ом максимум при Vgs = 10 В, Id = 2,6 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 3 до 4,5 В (типово 3,75 В) при Vds = Vgs, Id = 100 мкА. Заряд затвора Qg – 40 нКл типово і 56 нКл максимум при Vdd = 640 В, Id = 5,2 А, Vgs = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1138 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Між затвором і витоком є захисний стабілітрон, ESD затвор-витік – 4000 В (HBM, C = 100 пФ, R = 1,5 кОм). Розсіювана потужність Pd – 30 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rth(j-c) не більше 4,2 °C/Вт. Напруга ізоляції корпуса Viso – 2500 В (RMS) з усіх виводів на радіатор, t = 1 с, TC = 25 °C.
Це оригінал. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (потрібен N-канал), Vds не нижче 800 В, струм Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, а також корпус і розпіновку. Ізольований корпус дозволяє кріпити транзистор на радіатор без окремої прокладки.
Де застосовують
- Імпульсні ключові схеми
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP7NK80ZFP?
Шукайте N-канальний MOSFET з Vds не нижче 800 В у корпусі TO-220FP з тією самою розпіновкою, зі струмом Id не менше 5,2 А (TC = 25 °C) і з Rds(on) не гіршим за 1,8 Ом при Vgs = 10 В. Порівнюйте datasheet самостійно.
Чи потрібна ізоляційна прокладка до радіатора?
Корпус TO-220FP ізольований: Viso становить 2500 В (RMS) з усіх виводів на радіатор при t = 1 с, TC = 25 °C, тому окрема прокладка не потрібна.
Що дає захисний стабілітрон у затворі?
Між затвором і витоком встановлено стабілітрон; ESD затвор-витік за datasheet – 4000 В (HBM, C = 100 пФ, R = 1,5 кОм). Це підвищує стійкість затвора до статичного розряду.
Документація виробника: STB7NK80Z, STB7NK80Z-1, STP7NK80ZFP, STP7NK80Z, Doc ID 8979 Rev 6.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.