Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGA25N120ANTD оригінал ( заміна для TGAN25N120ND , NGTB25N120IHLWG , 25N120IHL ) , TO-3P
249,10 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор FGA25N120ANTD на 1200 В, 25 А – для індукційного нагріву та мікрохвильових печей. Оригінал від Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Імпульсний струм ICM | 90 А |
| Vce(sat) (25А/15В/25°C) | 2.0 В тип. |
| Пряма напруга діода Vf | 2.0 В тип. / 3.0 В макс. |
| Розсіювана потужність Ptot | 312 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FGA25N120ANTD – IGBT-транзистор NPT Trench з вбудованим діодом від Fairchild Semiconductor (нині ON Semiconductor), також продається під назвами TGAN25N120ND, NGTB25N120IHLWG, 25N120IHL. Максимальна напруга колектор-емітер Vces – 1200 В. Струм колектора Ic – 50 А при Tc=25 °C і 25 А при Tc=100 °C (імпульсний ICM – 90 А). Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В тип. при Ic=25 А, Vge=15 В, Tc=25 °C (2.65 В тип. при Ic=50 А; 2.15 В тип. при Tc=125 °C). Вбудований діод: пряма напруга Vf 2.0 В тип. / 3.0 В макс. при If=25 А, час відновлення trr 235 нс тип. / 350 нс макс. Розсіювана потужність Ptot – 312 Вт при Tc=25 °C, робоча температура переходу Tj – від -55 до +150 °C. Корпус – TO-3P.
Товар – оригінал від Fairchild/ON Semiconductor, не демонтаж. Серед транзисторів у наявності аналога з підтвердженими параметрами (Vces не нижче 1200 В, Ic при 100 °C не нижче 20 А, той самий корпус TO-3P) зараз немає – за даними виробника прямими замінами вважаються IHW20N120R5 і IXYR50N120C3D1, але в нашому каталозі їх немає.
Де застосовують
- Індукційний нагрів (Induction Heating)
- Мікрохвильова піч (Microwave Oven)
Чим замінити FGA25N120ANTD?
За назвою товару це та сама деталь під позначеннями TGAN25N120ND, NGTB25N120IHLWG, 25N120IHL. За даними виробника прямими замінами вважаються IHW20N120R5 і IXYR50N120C3D1 – у нашому каталозі їх зараз немає, підбирайте за datasheet FGA25N120ANTD (Vces 1200 В, Ic 25 А при 100 °C, корпус TO-3P).
Як перевірити транзистор перед монтажем?
Мультиметром у режимі діода перевірте перехід колектор-емітер і затвор-емітер на відсутність пробою чи КЗ, звірте маркування з написом на корпусі.
Чи підходить FGA25N120ANTD для мікрохвильової печі?
Так, за даними Fairchild/ON Semiconductor деталь призначена саме для індукційного нагріву та мікрохвильових печей (Induction Heating, Microwave Oven).
Чому Vce(sat) у характеристиках вказана і для 25 А, і для 50 А?
При Ic=25 А (номінал при 100 °C) Vce(sat) – 2.0 В тип., при Ic=50 А (навантаження, характерне для 25 °C) – 2.65 В тип. Чим вищий струм, тим вища напруга насичення і більше тепловиділення.
Документація виробника: FGA25N120ANTD -- 1200V, 25A NPT Trench IGBT, Rev. C1 (Fairchild Semiconductor).
Заміни TGAN25N120ND, NGTB25N120IHLWG, 25N120IHL підтверджені лише назвою товару (product title), окремий datasheet цих номерів не звірявся – вважаємо їх альтернативними позначеннями тієї самої деталі.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діодний міст GBU2510 ( Заміна для GBU25M ) (1000V,25A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA=25°C) |
| Середній прямий струм If(av) | 25 А (з тепловідводом) |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (If=12,5А, Tj=25°C, макс.) |
| Ударний струм Ifsm (8,3мс) | 350 А (Tj=25°C) / 280 А (Tj=125°C) |
| Ударний струм Ifsm (1,0мс) | 700 А (Tj=25°C) / 560 А (Tj=125°C) |
| Робоча температура переходу | -40…+150°C |
| Корпус | GBU |
| Маса | 4,1 г |
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.