Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P

164,50 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SMK1360 – N-канальний польовий транзистор на 600 В і 13 А у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В
Струм Id13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C)
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg41 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

SMK1360 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P для імпульсних стабілізаторів напруги. Параметри наведено за datasheet SMK1360CI (AUK): за таблицею замовлення ця деталь у корпусі TO-3P має маркування SMK1360. Напруга стік–витік Vds – 600 В. Струм стоку Id – 13 А при Tc 25 °C і 8,2 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 0,55 Ом, не більше 0,65 Ом при Vgs 10 В, Id 6,5 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В. Заряд затвора Qg – типово 41 нКл, максимум 63 нКл (Vds 480 В, Vgs 10 В, Id 13 А). Вхідна ємність Ciss типово 2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc 25 °C. Напруга затвор–витік – до ±30 В, температура переходу – до 150 °C. Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – типово 510 нс.

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу (N), Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-3P. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні стабілізатори напруги (switching regulator)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити SMK1360?

N-канальним MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 600 В, струмом Id не менше 13 А при Tc 25 °C і Rds(on) не більше 0,65 Ом при Vgs 10 В. Заряд затвора звіряйте з вашим драйвером.

Як перевірити такий транзистор?

Тестером перевірте відсутність пробою між виводами і цілість виводів. Параметри під навантаженням залежать від схеми.

Чому в документі SMK1360CI, а на деталі SMK1360?

У таблиці замовлення datasheet AUK деталь SMK1360CI у корпусі TO-3P має маркування SMK1360. Тобто це той самий транзистор.

Datasheet

Документація виробника: SMK1360CI (AUK).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SMK1360CI (AUK) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор GT30F123 ( 30F123 ) , TO220F оригінал ( 300V , 200A )

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор
Напруга Vces300 В
Імпульсний струм Icp200 А
Напруга насичення Vce(sat), тип.2,1 В
Вбудований діоднемає
КорпусTO-220F
Позначення30F123
СтанОригінал

IGBT-транзистор RJP30E2 оригинал демонтаж б/в, TO-3P

В наявності

127,84 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникRenesas
КорпусTO-3P
Напруга Vces360 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic35 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Ic(peak)200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Напруга насичення Vce(sat)1.7 В тип., 2.2 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В)
Порогова напруга Vge(off)2.5 В мін., 5 В макс. (Vce 10 В, Ic 1 мА)
Заряд затвора Qg34 нКл (Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А)
Вхідна ємність Cies1160 пФ (Vce 25 В, Vge 0, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5