Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P
164,50 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SMK1360 – N-канальний польовий транзистор на 600 В і 13 А у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А | 0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
SMK1360 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P для імпульсних стабілізаторів напруги. Параметри наведено за datasheet SMK1360CI (AUK): за таблицею замовлення ця деталь у корпусі TO-3P має маркування SMK1360. Напруга стік–витік Vds – 600 В. Струм стоку Id – 13 А при Tc 25 °C і 8,2 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 0,55 Ом, не більше 0,65 Ом при Vgs 10 В, Id 6,5 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В. Заряд затвора Qg – типово 41 нКл, максимум 63 нКл (Vds 480 В, Vgs 10 В, Id 13 А). Вхідна ємність Ciss типово 2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc 25 °C. Напруга затвор–витік – до ±30 В, температура переходу – до 150 °C. Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – типово 510 нс.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу (N), Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-3P. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні стабілізатори напруги (switching regulator)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити SMK1360?
N-канальним MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 600 В, струмом Id не менше 13 А при Tc 25 °C і Rds(on) не більше 0,65 Ом при Vgs 10 В. Заряд затвора звіряйте з вашим драйвером.
Як перевірити такий транзистор?
Тестером перевірте відсутність пробою між виводами і цілість виводів. Параметри під навантаженням залежать від схеми.
Чому в документі SMK1360CI, а на деталі SMK1360?
У таблиці замовлення datasheet AUK деталь SMK1360CI у корпусі TO-3P має маркування SMK1360. Тобто це той самий транзистор.
Документація виробника: SMK1360CI (AUK).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор RJP30E2 оригинал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип., 2.2 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Порогова напруга Vge(off) | 2.5 В мін., 5 В макс. (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл (Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, Vge 0, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.